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08-18
看到一颗超薄 DFN 封装的开关机芯片,封装型号 DFN-8L,想问问大家。型号是 ES599-74D243,超薄无引脚,焊盘全在底面,底部散热焊盘悬空,……
🧑szecmic1
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08-17
瑞斯特(RST) SN74LVC1G58是一款基于LVC(Low-Voltage CMOS)工艺的低功耗可配置多功能逻辑门器件,采用6引脚封装,支持1.6……
🧑RSTTEK001
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08-17
瑞斯特(RST) SN74HCT373是一款基于CMOS工艺的八位D型透明锁存器集成电路,采用20引脚封装,内部集成八路独立的透明锁存通道,每路配备三态输……
🧑RSTTEK001
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08-17
瑞斯特(RST)推出的SN74HCS05是一款基于CMOS工艺制造的六路反相器,其显著特点在于所有输出端均采用开漏(Open-Drain)结构。该器件内部……
🧑RSTTEK001
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08-17
BS66F350是合泰推出的一款A/D+LED触控Flash单片机,专为需要触摸按键和LED显示的应用场景设计。它属于BS66F3xx系列中的中端型号,在……
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08-17
瑞斯特(RST) SN74HC245是一款基于高速CMOS工艺设计的八路三态双向总线收发器,内部集成八组独立的双向缓冲通道,每组通道配备方向控制(DIR)……
🧑RSTTEK001
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08-17
ESP32-P4搭载双核RISC-V处理器,拥有 AI指令扩展、先进的内存子系统,并集成高速外设。ESP32-P4专为高性能和高安全的应用设计,充分满足下……
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08-17
一.概述:VK1629是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制 专用芯片,内部集成有4线串行接口、数据锁存器、LED 驱 动、键盘扫描等电路。SE……
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08-08
瑞斯特(RST) RSTNG30N016A2 REVA是一款采用PDFN3.3×3.3-8L小型封装的N沟道增强型功率MOSFET,具备30V漏源耐压与1……
🧑RSTTEK001
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07-20
博通集成:BK7259原理图 BK7259:定位端侧AI主力平台,主打“能看会动”,搭载M55x4处理器与U65 NPU(0.3TOPS算力),支持MIP……
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08-14
一、VK1628是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制 专用芯片,内部集成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱 动、键盘扫描等电路。SEG脚接……
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08-13
瑞斯特(RST) SN74HC08是一款基于高速CMOS工艺的四路2输入与门逻辑器件,采用14引脚标准封装,在单芯片内集成了四个独立的2输入与门单元。该器……
🧑RSTTEK001
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08-12
NU505 是台湾数能推出的一款单通道定电流 LED 驱动 IC,采用双引脚设计(DFN1006-2L 封装),可直接取代传统 LED 灯带中的分压电阻,……
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08-11
瑞斯特(RST) RSTTG100N65 REVA是一款采用TO-220封装的N沟道增强型功率MOSFET,其核心定位为中高压、中小电流功率开关应用。该器……
🧑RSTTEK001
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08-11
RSTTG40N028 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装,定位于超大电流、极低导通损耗的超低压功率开……
🧑RSTTEK001
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08-11
RSTT75N10F REVA是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220FP封装,具备100V耐压、70A连续漏极电流能力……
🧑RSTTEK001
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08-11
NU9910兼容HV9910B.SMD802.TB99.SQ9910等同类IC. NU9910是一款PWM高效LED驱动控制IC,专为高亮度LED应用设计……
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08-11
明佳达电子、星际金华(供应)TE 连接器护套 | 环形端子——284703-1、2-521406-2、2-33459-6。 【产品详情信息】 1. 284……
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08-09
RSTNG100N038A1L REVA是瑞斯特(RST)推出的一款单N沟道增强型功率MOSFET,采用DFN5×6L-8_EP贴片封装,面向大功率开关电……
🧑RSTTEK001
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08-09
瑞斯特(RST) RSTNG100D07A1 REVA是一款采用先进工艺制造的双N沟道增强型功率MOSFET,采用DFN5×6C-8_EP2封装,单管具备……
🧑RSTTEK001
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08-09
瑞斯特(RST) RSTNG60N014A1 REVA是一款面向大电流功率应用设计的N沟道增强型MOSFET,采用DFN5×6A-8L_EP封装,具备60……
🧑RSTTEK001
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08-08
RSTNG40N025A1 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款40V/120A N沟道增强型MOSFET,采用PDFN5×6-8L封装,在导通电阻、电流……
🧑RSTTEK001
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08-08
RSTN20100A1是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用DFN5x6-8封装,定位于低压大电流功率管理应用。该器件具备20V的……
🧑RSTTEK001
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08-07
RSTN20120A2是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用DFN3.3x3.3A-8_EP1_P封装,专为低压中等电流、紧凑型功……
🧑RSTTEK001
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08-07
RSTN4080A1YD REVA是瑞斯特(RST)推出的一款单N沟道增强型MOSFET,采用PDFN5×6-8L封装,额定参数为40V/80A。该器件在……
🧑RSTTEK001
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08-07
DP4330A是一款超低功耗、高集成度、高性能、适用于Sub-1GHz频段无线应用的射频收发器。它具有1.8V~3.6V较宽的输入电压范围,最大发射功率可……
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08-07
瑞斯特(RST) RSTN2310A是一款采用SOT-89-3L封装的60V N沟道功率沟槽MOSFET,额定连续漏极电流3A,在VGS=10V条件下典型……
🧑RSTTEK001
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08-07
瑞斯特(RST) RSTN100P75A1 REVA是一款采用DFN5x6-8_EP封装的P沟道增强型功率MOSFET,额定耐压-100V,连续漏极电流能……
🧑RSTTEK001
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08-06
瑞斯特(RST) RSTN60P15A2 REVA是一款采用DFN3x3A-8_EP封装的P沟道增强型功率MOSFET,具备-60V漏源耐压与-26A连续……
🧑RSTTEK001
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08-05
瑞斯特(RST) RSTN40L48 REVA是一款采用DFN3.3×3.3A-8_EP封装的高性能P沟道增强型功率MOSFET,专为负电压轨功率管理应用……
🧑RSTTEK001
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