瑞斯特(RST)推出的RSTP0225G是依托专属优化Super Trench超级沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型高压功率MOSFET，采用DFN5X6-8L高密度贴片封装，核心标定参数为漏源额定电压200V、25℃环境下连续漏极电流25A，工艺定向调校实现了33mΩ的10V栅压典型导通内阻与极低栅极电荷的优化组合表现，栅极电荷与导通内阻的乘积FOM品质因数表现优异，全器件完成100% UIS单脉冲雪崩测试与100% ΔVds特性校验，无铅镀层满足无卤环保合规要求，支持最高150℃的连续工作结温，定向针对200V级高压高频开关与同步整流场景完成专项特性优化。