瑞斯特(RST) RSTP30T13GU是依托专门优化的Super Trench超级沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5X6-8L高密度贴片封装，核心标定参数为漏源额定电压30V、25℃环境下连续漏极电流130A，器件通过工艺定向优化实现了极低的导通内阻与栅极电荷组合表现，栅极电荷与导通内阻的乘积FOM品质因数表现优异，全器件完成100% UIS单脉冲雪崩测试与100% ΔVds特性校验，无铅镀层满足环保合规要求，支持最高150℃的连续工作结温，定向针对高频开关与同步整流场景完成特性优化。