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04-29
置顶ic吧吧主招募结果公示
亲爱的ic吧的吧友们：大家好！ @芯半导体. 为本吧吧主候选人得票最多者，共计0张真实票数，根据竞选规则，官方最终批准其成为本吧正式吧主。公示期三天。 吧……
🧑贴吧吧主小管家
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03-17
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🧑贴吧吧主小管家
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01:09
英飞凌BCR402停产[NU402]拼对拼兼容替代BCR402
NU402是一款线性恒流驱动IC，常用于LED照明，可直接替代英飞凌的BCR402，无需更改电路设计。 它由深圳市数能积体电路有限公司推出，输出电流20m……
🧑美丽一枝梅
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09-03
MAX33070EASA、MAX17502GATB、MAPS-010166 - 供应与回收
明佳达电子、星际金华（供应 | 回收）MAX33070EASA RS-485收发器、MAX17502GATB同步降压转换器、MAPS-010166数字相移……
🧑贴吧用户_Q78CJDQ
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09-02
精16位加法器设计
利用多米诺逻辑，反向特性行波进位，该如何设计一个16位加法器，有大佬能指导一下吗
🧑望天发呆的阿呆
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09-01
瑞斯特 TYN840RG 单向可控硅技术解析
TYN840RG是瑞斯特推出的40A大电流等级单向可控硅器件，采用符合RoHS规范的TO-220C封装，核心特性围绕超大电流冲击耐受、高dv/dt指标与强……
🧑RSTTEK001
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09-01
段式液晶驱动LCD液晶屏驱动静态LCD驱动VKS232
一、概述VKS232是一个点阵式存储映射双模式的LCD驱动器，可支持 静态扫描点数最大116点（116SEGx1COM）的LCD屏,也可支 持动态扫描点数……
🧑vinka杨桃
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09-01
NU502-160MA恒流驱动器芯片焊盘兼容NU501的使用
NU502使用CMOS工艺，采用电流镜技术，主电流无需经过采样电阻，更低的输出压差，以及更小的体积的采样电阻。是NU501的互补产品，采用SOT23-6L……
🧑美丽一枝梅
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09-01
NU502使用CMOS工艺适用于NU501档位电流外的应用，焊盘兼容NU501的使用
🧑美丽一枝梅
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08-31
瑞斯特(RST) RSTP1580GU MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RSTP1580GU是依托专属Super Trench超级沟槽工艺定向优化开发的N沟道增强型功率MOSFET，器件采用DFN5X6-8L……
🧑RSTTEK001
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08-31
瑞斯特(RST) RSTP60T15G MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RSTP60T15G是采用专属优化型Super Trench超级沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET，器件采用DFN5X6-8L紧……
🧑RSTTEK001
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08-31
瑞斯特(RST) RSTP40T11 MOSFET技术特性解析
瑞斯特(RST)推出的RSTP40T11是依托专属优化Super Trench超级沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220-3L经……
🧑RSTTEK001
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08-30
瑞斯特(RST) RSTB301Q MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RSTB301Q是采用先进沟槽工艺开发的30V级半桥集成双N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型DFN3×3-8L高密度封装，内部集成……
🧑RSTTEK001
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08-30
瑞斯特(RST) RST7580 MOSFET技术特性解析
瑞斯特(RST)推出的RST7580是采用先进沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220-3L直插封装，核心标定参数为漏源额定电压7……
🧑RSTTEK001
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08-30
瑞斯特(RST) RST6050 MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RST6050是采用先进沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET，器件采用TO-220-3L直插封装，属于无铅环保产品，全系列通过10……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特(RST) RST5055K MOSFET技术特性解析
瑞斯特(RST)推出的RST5055K是依托先进沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L无铅封装，核心标定参数为漏源额定电压50……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特(RST) RST3415Y MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RST3415Y是依托先进沟槽工艺开发的P沟道增强型功率MOSFET，器件采用SOT-23-3L小型表贴封装，为无铅环保产品，整盘卷盘规……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特(RST) RST3415E MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RST3415E是依托先进沟槽工艺研制的P沟道增强型功率MOSFET，器件采用SOT-23小型表贴封装，属于无铅环保器件，整盘包装规格为……
🧑RSTTEK001
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08-29
瑞斯特RST3050I MOSFET参数解读与典型应用
RST3050I是瑞斯特（RST）面向中低压、大电流功率变换推出的N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽工艺与高密度元胞结构，封装形式为TO-251（IP……
🧑RSTTEK001
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08-29
VKL092Q高抗干扰段码驱动超抗干扰液晶驱动省电液晶显示驱动
VKL092Q是一个点阵式存储映射的/&'驱动器，可支持最 大92点（236(*[&20）的/&'屏。单片机可通过 ,&接 口配置显示参数和读写显示数据，……
🧑vinka2
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08-28
瑞斯特 (RST) RST2305A MOSFET 技术解析
瑞斯特 (RST) RST2305A 为 SOT‑23 微型贴片封装 N 沟道 MOSFET，漏源耐压‑12V，25℃环境下连续漏极电流‑4.1A，脉冲峰……
🧑RSTTEK001
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08-28
段式屏显示芯片液晶驱动器点阵液晶屏驱动VK0192
一、概述VK0192是一个点阵式存储映射的LCD驱动器,可支持最大 192点（24SEGx8COM）的LCD屏。单片机可通过3/4线串 行接口配置显示参数……
🧑vinka杨桃
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08-28
瑞斯特 (RST) RST1570 MOS管技术分享
RST1570 是瑞斯特采用高密度沟槽元胞工艺的 TO‑220‑3L 直插型 N 沟道增强型功率 MOS，器件漏源耐压 150V，25℃壳温下连续漏极电流……
🧑RSTTEK001
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08-27
瑞斯特(RST) RST0224D MOSFET技术解析
RST0224D基于沟槽栅工艺平台开发，是一款面向中高功率硬开关场景的N沟道增强型功率MOSFET。其核心电气参数为200V漏源耐压、24A连续漏极电流（……
🧑RSTTEK001
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08-27
数显驱动器LED数显驱动LED驱动原厂VK1624
一、概述VK1624是一种数码管或点阵LED驱动控制专用芯片，内部集 成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱动等电路。SEG脚 接LED阳极，GRID脚……
🧑vinka杨桃
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08-26
瑞斯特(RST) RST0140K2 MOSFET技术解析
瑞斯特(RST) RST0140K2是一款基于先进沟槽工艺开发的100V耐压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2L贴片封装。器件在10V栅压……
🧑RSTTEK001
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08-26
瑞斯特(RST) RST0106R MOSFET技术解析
RST0106R是瑞斯特（RST）基于先进沟槽技术开发的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223-3L贴片封装，定位于中小功率开关与电源管理应用领……
🧑RSTTEK001
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08-25
瑞斯特(RST) RST80H16 MOSFET技术解析
RST80H16是瑞斯特（RST）基于先进沟槽工艺开发的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用标准TO-220-3L封装，面向中大功率开关应用。其核心电气……
🧑RSTTEK001
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08-25
瑞斯特RST60PD05S MOSFET技术解析与应用
瑞斯特(RST) RST60PD05S是一款基于先进沟槽技术开发的双P沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8贴片封装，内部集成两颗独立的P沟道MOSF……
🧑RSTTEK001
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08-25
长晶JSCJ 一级代理商现货热卖
CJAB35P03 BAT54S KL4 CJAB55P03A CJAB35N03S ESDBL3V3Y1 ESDSU5V0A1 ESDSU5V0AE1 ……
🧑北神PUBG
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