RST3050I是瑞斯特（RST）面向中低压、大电流功率变换推出的N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽工艺与高密度元胞结构，封装形式为TO-251（IPAK）插装封装。器件标称漏源耐压VDS为30V、连续漏极电流ID高达50A，在壳温100℃时连续电流仍可达35A，脉冲漏流IDM为140A，最大功耗PD为60W，结-壳热阻RθJC低至2.5℃/W，结温工作范围-55℃至175℃。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V、ID=25A条件下典型值仅8mΩ、最大11mΩ，在5V逻辑电平驱动下典型10mΩ、最大16mΩ，并经过100% UIS单脉冲雪崩测试，雪崩能量EAS为70mJ，兼顾了低导通损耗、大电流承载与抗冲击能力，适用于对效率与热性能要求较高的中大功率电源及驱动场合。