瑞斯特(RST)推出的RSTP40T11是依托专属优化Super Trench超级沟槽工艺开发的无铅N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220-3L经典直插封装，核心标定参数为漏源额定电压40V、25℃环境下连续漏极电流110A，工艺定向调校实现了极低的导通内阻与栅极电荷组合表现，栅极电荷与导通内阻的乘积FOM品质因数表现优异，全器件完成100% UIS单脉冲雪崩测试与100% ΔVds特性校验，无铅镀层满足无卤环保合规要求，支持最高175℃的连续工作结温，定向针对40V级高频开关与同步整流场景完成专项特性优化。