瑞斯特(RST) RSTP60T15G是采用专属优化型Super Trench超级沟槽工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET，器件采用DFN5X6-8L紧凑型带裸露焊盘的表贴封装，属于无铅环保产品，全系列完成100% UIS单脉冲雪崩测试与100%漏源电压漂移校验，核心基础参数为漏源额定电压60V，25℃环境下连续漏极电流可达150A，专属工艺针对性优化高频开关性能，通过极低导通阻抗与低栅极电荷的组合特性实现通态损耗和开关损耗的同步最小化，栅极电荷与导通阻抗乘积FOM表现优异，适配多类60V级超大电流高频电路的设计需求。