先来比比sram密度
2MB的sram面积约1.4mm2，实际sram密度约7ff的一半多点儿，4ff的一半不到（也符合n7—n5 30%sram提升）
就sram密度来讲甚至稍逊于10ff和10lpe（10lpe强于10ff）这也符合主要pitch指标基本平10ff弱于10lpe。但是不符合6T，10ff和10lpe分别是8.75 8.25T，按理说6T的sram密度应当更高，但是却逊于友商10nm，所以sram可能并不是基于6T的高密度库制作。
整体密度的话还是认为会逊于n7 在80mtr附近

那感觉也不像np2啊，更像np1p优化版本.

那太离谱了吧，60％左右的晶体管就能打k9000了

从sram角度看，这个工艺可能真的不是smic动手的，恕我直言 smic做不出这么垃圾的sram密度，10nm级的pitch+sdb+6T高度的n+1至少是个16 17级的mib/mm2甚至可能接近20，接近n7级别 这b玩意就11.x不到12mib/mm2的密度 真的抠脚

上海微电子

性能不行，开始甩锅工艺了吧，还不是cpu.gpu构架辣鸡，你让苹果来做功耗会这样爆炸吗

问题在于它不一定就是用6T库做的SRAM，关键路径为了性能用8T也不是不可能

emm我是在手机上用截图自带的尺子量的，只是为了否定某些认为密度达到120MTr的观点，想要做精确分析最好自己对照着仔细量一下，或者直接去问K神

密度只是一方面，性能能耗确确实实达到了n7水平，

感觉更像是smic n+1
具体等电镜扫描拿到cpp mmp数据就能定论了。等着吧

那说明是n+1工艺SRAM 和10nm差不多，又用的6t

我反正对比A510，算出来新工艺在118.552mtr

不是人种 的问题而是土壤的问题

现实真的狠狠打脸了很多不懂装懂的砖家，实际是100＋。