一次讲透,看完还不懂就不是我问题了
amd吧
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仅看楼主
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楼主
这次会以多楼多次连载方式,由如何正确理解3DVcache开始,到最后会牵扯出Zen4缓存的完整推理过程。如果看完还不懂,就不是我问题了。
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先说明,除有质量提问和指正外不要回复,我会删回复,讲完再讨论。
本贴主题围绕缓存。
2022年01月19日 22点01分
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楼主
从最近很火的3DVcache讲起,第一次见到3DVcache是在去年Computex上,苏妈拿着一块5900X,其中一颗CCD透过折射光能明显看出不一样,苏妈接着介绍这种3DVcache
2022年01月19日 22点01分
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楼主
(2)严格说,它是AMD 3D chiplet技术下,透过台积电SOIC技术,以3D封装方式把SRAM封装在CCD之上,作高速缓存用途,所以取名为3D V-cache,这个名字中,3D二字是重点,谨记这一点。
2022年01月19日 22点01分
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楼主
(3)这颗3D chiplet大致生产步骤,先将两块7nm 32m的SRAM以层叠方式,通过TSV和CuToCu键合,说白就是硅打孔再打铜棒连通,然后再把这块64m的3D V-cache用同样工艺与CCD键合,每次键合两硅之间的缝合材料也是硅,两侧不平的空间用结构硅填补。(实际生产顺序不是这样,而且CCD和SRAM都是反转来加工的,原理不难有机会我再讲)
2022年01月19日 23点01分
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亞瑟·卡姆蘭
这样一来核心的散热难上加难
2022年01月20日 00点01分
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@亞瑟·卡姆蘭
除了封装在CCD顶,还可以封装在底,或者从侧面插入,解决散热不难,只不过这次封装在顶工艺上反而是比较简单。这个日后开帖讲。
2022年01月20日 21点01分
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@别理我123
第一阶段(现在):在CCD上封装一块3DVcache。第二阶段:CCD上封装一块CCD,变成3DCCD,这时候CCD仍然可以选择2D或3D出场。第三阶段:将CCD内L3全部外置,纯技术核和缓存按需叠不同层数,这时候它没有2D版本,是纯3DIC。
2022年01月21日 07点01分
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@别理我123
第三形态适合企业级对计算密度的追求,很少面积和节点就能做到很高性能,消费级不太需要。所以EPYC和Ryzen的CCD终有一日不通用。
2022年01月21日 07点01分
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楼主
(4)按照2020年台积电指出,SOIC已经可以12Hi,即技术上可以12层键合,AMD首次3DVcache是2Hi 64m,如果做满12Hi,单一颗CCD就有416m缓存。为什么首次是2Hi?暂时只有一个似乎有关的信息,但我未认真跟进,是推上狐狸挖掘AMD专利文档后发现,大概说像这种层叠缓存并不像片载缓存,当访问它时是有内部分区访问的,AMD有专利方法去解决它。
2022年01月19日 23点01分
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楼主
(5)虽然不知道具体原因,但单颗CCD 2Hi就足以让milan-X追加了512m缓存,而某主板BIOS的X3D选项已经可以开关4层了,想必下一步就是4Hi。
2022年01月19日 23点01分
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楼主
(6)为什么缓存要添加到这么大?外媒一句话我印象深刻,它说“milan-X颠覆性地解决了企业级十几年来的延迟问题”,当CPU核心越多,节点越多,延迟就会越高,遇到对延迟依赖的程序就不友好,以往知道但不好解决,因为2D芯片增加缓存意味着单片面积增大,造价非常昂贵,而3D封装只需用chiplet立起来,造价相对低,扩展性高,占用空间小。
2022年01月19日 23点01分
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睡觉💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤
2022年01月20日 00点01分
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楼主
(7)继续,先说明一下,我所说的都是非常肤浅的,业余的,爱好者程度的解读,缓存设计是非常专门,高知识门槛的技术。我试图用我的观察,把最基本的概念理顺后复盘一次给各位,让大家对现在很多新技术有一些正确的理解,而不是被商业媒体带错方向的理解。
2022年01月20日 22点01分
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楼主
(8)外媒用颠覆性来形容milan-X大缓存解决了企业级多年的延迟问题,跟我们对5800X3D在架构不变情况下也能显著提升游戏性能的心情是一样的。表面看是加了缓存,缓存大了有效果,实际上,是缓存由2D转3D的结果,3D封装技术成就了这一切。
2022年01月20日 22点01分
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AMD官网下载3DVcache PDF文档,里面介绍都围绕3D封装本身,这才是重点,很多人放错重点在缓存上。
2022年01月20日 23点01分
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楼主
(9)因为EPYC和Ryzen CCD通用这个特殊性,所以将单个CCD缓存加到96m很明显并非Ryzen本意和所需,而是EPYC技术属性的拿用,Ryzen虽然用了EPYC这个技术属性,但也要花同样的使用代价。
2022年01月20日 22点01分
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楼主
(10)我见很多吧友将“3DVcache”想象成一个万能加速模块,可以加CCD上,也可以加APU上,GPU上,这是不对的。增大缓存第一优先选项是更换新制程,靠密度提升条件置换,这样成本效益高,片内性能也更高,屏蔽分级方便。而3D封装缓存更适合作为锦上添花,比如milan变milan-X,或者一些定制用途,但在消费级,加3DVcache本身就已经无成本效益可言。
2022年01月20日 22点01分
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有钱万能,无钱万万不能。
2022年01月20日 23点01分
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楼主
(11)设计一个基础架构,它的流水线里各级缓存分配是平衡的,未流片前,在EDA软件里就可以通过模拟性能反复修正,不会出现瓶颈位置。Zen3这颗CCD,并不会配上3DVcache才是满血版,3DVcache将流水线末端一个总要因素L3“指令池”的容量大幅度扩大,等于将其中一个性能因素畸形强化,当然对性能有帮助。
2022年01月20日 23点01分
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畸形强化,时机未成熟。
2022年01月20日 23点01分
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楼主
(12)最需要3DVcache的地方应该是缓存被弱化过的架构,或者根本无片内三缓的架构。比如Zen4c就是典型例子,它由两颗Zen4合并组成,由于Zen4c定位针对云计算,对核心数需求优先,所以合并时大幅精简了三级缓存,这种架构可以通过3DVcache,将失去的L3补回来。另一种无片内三缓的架构,是更先进的架构,因为它没有2D版本,必须带3D封装出场,是纯种3DIC,CCD和三缓都以不同层数方式堆叠。
2022年01月20日 23点01分
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睡觉💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤💤,大家不要回复
2022年01月20日 23点01分
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楼主
请问大家是否(2)~(12)节都看到,有没有某些节不显示。
2022年01月20日 23点01分
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level 11
柒三莫
因为服务器级和PC、hedt的需求其实有点小区别。服务器的复杂分支运算不多,主要是大量多并发的简单IO操作,所以把面向桌面设计的CCD直接拿到服务器用并不是很对口。
为此AMD之前甚至拿出来“一个ccd,一个核心”的方案。而3d cache能在一定程度上缓解这一问题
intel对此也做出一定的修正,比如说在Broadwell-E到Skylake-X的迭代中,英特尔修改了L3和L2的设计,增大了non inclu L2的容量,并取消了mesh总线到L3的链路(只有l2了)
2022年01月21日 04点01分
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