SC15 大会上，Nvidia 首席架构设计师 Stephen W. Keckler 强调，随着显存带宽的增加，其对显卡功耗的增加将会变得不容忽视。下面的图片给出了不同显存在不同带宽下的功耗对比。不过从 Stephen 的演讲内容来看，这张图的正确读图方式比较奇怪，应该是从图上读显存带宽应该是贴近每一个柱的最右端读数的。
由图可知，256 GB / s 的 GDDR5（GTX 1070），其功耗占大约 60 W。Tesla P100 的 HBM 2（720 GB / s），功耗估计在 35 W ~ 40 W 之间。而 Fiji 核心搭配的 HBM （512 GB / s），其功耗为 25 W；按照路线图，Volta 架构的最大显存带宽达到 1.2 TB / s，这时 HBM 2 显存的功耗也会达到 60 W（HBM 3 大约在 2019 ~ 2020 年才会量产）。如果继续用 HBM 2 实现 2.5 TB / s 的带宽（可能是超频？），其功耗会达到 120 W；假若能将 HBM 2 的能效增加到原来的 1.5 倍，在输出超过 4 TB / s 的显存带宽时，其功耗甚至可以超过 160 W。
Nvidia 正在尝试解决这场显存功耗的危机。Pascal 和 Volta 架构中，HBM 2 显存占的功耗并不算太多。不过到了 2020 年，Nvidia 未公布代号的新架构很可能会采用新的显存架构来缓解显存功耗的需求。
现在，镁光和三星也已经在着手研发新的显存和内存颗粒了。GDDR6 每针带宽可以冲击 14 G
bp
s，电压从 GDDR5 的 1.5 V 降低到 1.35 V；而每 Gbps 的功耗会下降 30 % 以上。三星和海力士也已经投入研制 HBM 3 ，新的 HBM 将在相近的功耗下实现 2 倍或以上的容量或带宽。与此同时，成本更低的面向消费级的 HBM 1.5 或许有希望使 HBM 显存不再是顶级显卡独占。
对于 LPDDR5，应该就没有那么快了。因为在此之前还有 LPDDR4X，三星、海力士、镁光都有相关的规划，至于相比于LPDDR4有何不同，不同点就在于速度从原来的 3733 Mbps 提高到 4266 Mbps，电压则维持不变（1.1 V）。关于 DDR5 内存，他们的设想是单条容量最小为 8 GB、最大容量为 32 GB（32 GB × 4 ＝ 128 GB 的内存，有点逆天），带宽最高为 6.4 Gbps，比 DDR4 足足提升了 100 % ，但是在电压上则是维持了在 1.1 V，与 DDR4 持平，可以说设想 DDR5 的进步是历史上的第一次飞跃。而关于 DDR5 内存的量产，美光则计划在 2019 年开始，而三星则会在 2018 年就行动起来了（不能输！）。

fiji的hbm才25w，还不如1070的gddr5高
这是从侧面说明amd核心热炸了吗？

显存功耗所占的比重确实不低。

NV不行吖