瑞斯特(RST) RST3415Y是依托先进沟槽工艺开发的P沟道增强型功率MOSFET，器件采用SOT-23-3L小型表贴封装，为无铅环保产品，整盘卷盘规格为直径180mm、胶带宽度8mm，单盘包装数量3000片，核心基础参数为漏源额定电压-20V，25℃下连续漏极电流-4A，设计针对低栅极驱动场景做了专项优化，最低支持1.8V栅极电压即可正常运行，在低导通阻抗、低栅极电荷特性上实现了小功率场景的性能平衡，同时内置2500V HBM等级的ESD防护结构，适配紧凑型低功耗开关电路的设计需求。