RSTNG100N038A1L REVA是瑞斯特(RST)推出的一款单N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5×6L-8_EP贴片封装，面向大功率开关电源及DC-DC转换器应用设计。该器件耐压100V，连续漏极电流达130A（Tc=25°C），100°C时降至98A，脉冲电流390A，在VGS=10V条件下导通电阻典型值仅3.8mΩ、最大值4.5mΩ，VGS=4.5V时典型值5mΩ、最大值6mΩ，属于同电压等级中导通损耗极低的优异水平。栅极阈值电压典型值3V（范围2V~4V），栅源耐压±20V，输入电容典型值3593pF（最大值4671pF），输出电容623pF，反向传输电容76pF，总栅极电荷58nC（VDS=50V、VGS=10V、ID=50A条件下），栅源电荷16nC、栅漏电荷15nC，开关延迟时间td(on)典型25ns、上升时间14ns，关断延迟时间td(off)典型61ns、下降时间124ns，整体开关速度适中。热性能方面，结到壳热阻RθJC低至0.5°C/W，结到环境热阻RθJA为55°C/W（基于1平方英寸焊盘），最大结温175°C，存储温度范围-55°C至175°C，具备出色的散热能力与宽温域可靠性。