IMW120R060M1H、S9S12GN32BMLCR、LPC1768FBD100 - 供应与回收
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明佳达电子、星际金华——长期供应及回收:IMW120R060M1H、S9S12GN32BMLCR、LPC1768FBD100。
IMW120R060M1H(英飞凌 CoolSiC™ SiC MOSFET)
系列:CoolSiC™ IMW 系列(工业级碳化硅功率器件)
功能:1200V N 沟道沟槽型 SiC MOSFET,面向高频、高效率工业电源与电力转换应用。
核心特性:
耐压 / 电流:VDS=1200V,连续漏极电流ID=36A(25°C)。
导通电阻:RDS(on)=60mΩ(@18V/13A/25°C),低损耗。
开关性能:超低栅极电荷(QG=31nC)、无反向恢复损耗、开关损耗几乎不随温度变化,支持 100kHz+ 高频。
体二极管:坚固低损耗,可硬换流,适合同步整流。
温度 / 封装:−55°C 至 +175°C(结温 TJ);TO‑247‑3(3 引脚直插)。
典型应用:工业 PFC、光伏逆变器、储能变流器、车载充电机(OBC)、高频 DC‑DC 转换器
S9S12GN32BMLCR(NXP 16 位汽车级 MCU)
系列:S12G 系列(低成本 16 位车规级 MCU)
功能:16 位 HCS12 内核微控制器,专为车身控制、工业传感与低功耗嵌入式系统设计。
核心特性:
内核 / 主频:16 位 HCS12,25MHz。
存储:32KB Flash、2KB SRAM、1KB EEPROM。
外设:10 位 ADC(8 通道)、3×SCI(支持 LIN)、2×SPI、1×I²C、定时器 / PWM、26 路 GPIO。
电压 / 温度:3.13V–5.5V;−40°C 至 +125°C(TA),AEC‑Q100 车规级。
封装:LQFP‑32(7×7mm),紧凑型设计。
典型应用:汽车车身控制器(BCM)、车窗 / 灯光控制、工业传感器节点、家电控制板。
LPC1768FBD100(NXP 32 位工业级 MCU)
系列:LPC1700 系列(Cortex‑M3 高性能 MCU)
功能:32 位 ARM Cortex‑M3 内核微控制器,高集成度、低功耗,面向工业控制、物联网与嵌入式通信系统。
核心特性:
内核 / 主频:ARM Cortex‑M3,100MHz,带 NVIC。
存储:512KB Flash、64KB SRAM,支持 ISP/IAP 编程。
通信接口:以太网 MAC、USB 2.0(设备 / 主机 / OTG)、2×CAN 2.0B、4×UART、3×SPI、3×I²C、I2S。
模拟 / 外设:8 通道 12 位 ADC、10 位 DAC、电机控制 PWM、正交编码器、4 个通用定时器、70 路 GPIO。
电压 / 温度:2.4V–3.6V(典型 3.3V);−40°C 至 +85°C(工业级)。
封装:LQFP‑100(14.1×14.1mm)。
典型应用:工业 PLC、伺服驱动、物联网网关、医疗设备、车载信息娱乐系统。
2026年05月07日 06点05分 1
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