再来谈谈intel3这工艺
intel吧
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level 14
ssagg3 楼主
intel3这工艺从发布之初，我就对它一个点感到奇怪：它提供的所有变体之中，高性能的只有一个“intel 3-PT”。只有“PT”没有纯“P”——它的“高性能”是必须和“tsv”绑定的。其中原因我一直想不明白。
WX上看到一篇叫《Intel在MeteorLake上增
加3
D Decaps（译）》的文章，也许是这个问题的答案——关键点可能在decap电容上：它可能需要base die提供巨大的去耦电容作支撑？
2026年02月04日 05点02分 1
level 14
ssagg3 楼主
就是10nm时宣传过的“SuperMIM”。
后来intel 4发布时顺带式地提了一下又把其密度翻倍后，至少在宣传上似乎就把其“冷处理”了，但其实背后一直还在点这条科技树。
18A比intel4的提升不多，从376提到397，提升近可忽略。但结合背面供电似乎可以单独提供一个“18A-P”变体。
2026年02月04日 05点02分 2
level 14
ssagg3 楼主
最后看看别人对台积电的预测
2026年02月04日 05点02分 3
level 7
天空一闪一闪
所以intel3工艺大致相当于台积电n4p吧[阴险]
2026年02月04日 06点02分 4
ssagg3
谈intel3只是“引子”，我实际在谈的是“decap”，无关节点。你可以搜搜这玩意的作用，很可能是某友商烧u的原因[阴险]
2026年02月04日 06点02分
ssagg3
看6楼
2026年02月04日 06点02分
天空一闪一闪
@ssagg3 你前面提到的看到了，图片里面也没说相当于台积电什么水平[吃瓜]
2026年02月04日 08点02分
ssagg3
@天空一闪一闪 单论片上集成的MIM容量密度的话，据我所知台积电还没有达到intel4上那个376密度的，连未来的N2都达不到，先进封装上的还行，满意了吧？[呵呵]
2026年02月04日 09点02分
level 14
ssagg3 楼主
再谈谈x3d的烧u事件。
个人推测：因为9000x3d已把v-cache置于ccd底下，所以我认为故障的原因应该不是高温；推测原因是v-cache本身就增加少量功耗，加上相比非x3d供电要先穿过底板再给上层ccd供电由此会带来的压降，如果片上去耦电容容量不足，就有可能引发红字部分的作用不足
2026年02月04日 06点02分 6
666666king80
掉压只会死机 不会造成屋里损坏 物理损坏还是新微码在内存训练时soc电压过高造成温控 电流墙失效
2026年02月05日 01点02分
ssagg3
@666666king80 看全啊，它是两方面作用——够时储、不够时放。你不能只看个“不够”时的情况。
2026年02月05日 01点02分
666666king80
@ssagg3 够时就储存多余的电不介入啊 反而减少了电压over shot.....掉压的时候介入减少under shot
2026年02月05日 10点02分
ssagg3
@666666king80 “够时就储存多余的电不介入啊”这句话不太通顺，没看太明白。
2026年02月06日 03点02分
level 8
大唐教授粉丝
单看能耗，intel3比n4强一点。
2026年02月04日 09点02分 7
level 9
海映蓝了天
，
2026年02月04日 09点02分 8
吧务
level 13
朴素的圆
是不是这个东西。
查了下umc会引入super mim到intel 12中
2026年02月04日 12点02分 9
ssagg3
对，“Omni”好像就是“全用途”意思？2楼18a图里也叫这个名称了。intel 12这种成熟节点没留意，不过这种低密度节点应该不需要太高电容密度吧，我猜多数是为了用在封装上给其他tile供电
2026年02月05日 01点02分
ssagg3
我这贴主要想表达的是一个“推理”：1，intel3只有pt和没有纯p——是不是这个p就是需要t来支撑起来的？2,t就是tsv——这是用于支持3d封装的，这也就是这个p(性能)需要base die去提供什么支持？ 然后就找到这个MIM相关。
2026年02月05日 01点02分
ssagg3
3,猜测最近的烧u原因，我认为有可能就是去耦电容容量不够，特别是负载从高忽然降下来时的过冲。我记得5000x3d还没有这种烧毁现象，如果没记得这点的话，也算可以当个间接依据吧，老工艺晶体管密度小。
2026年02月05日 02点02分
朴素的圆
@ssagg3 我t指的应该就是这个节点本身就做base tile。intel标出mim的图片是在供电部分最粗的部分，在18a就在背部，都是在一个节点里给晶体管供电。倒是intel 12有可能给先进节点ai加速器供电。
2026年02月05日 13点02分
吧务
level 13
朴素的圆

18a有18a-p和18a-pt， 3-pt感觉intel不怎么提了
2026年02月05日 14点02分 10
ssagg3
这种“P”我严重怀疑只是放宽了gate pitch罢了，没什么黑科技。
2026年02月06日 03点02分
吧务
level 13
朴素的圆
https://community.intel.com/t5/Blogs/Intel-Foundry/Systems-Foundry-for-the-AI-Era/Intel-Foundry-Advances-Chip-Power-Delivery-with-Next-Generation/post/1735691
2026年02月05日 14点02分 11
ssagg3
不是说这个，这个是新材料，IEDM2025上也发了
2026年02月06日 03点02分
level 1
宝宝你又急😋
[真棒]好起来了
2026年02月06日 06点02分 12
level 6
付小告10
良率多少？
2026年02月07日 10点02分 13
level 1
一花一尘
牢英吧的管理 这么喜欢删评
2026年02月07日 17点02分 14
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