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来谈谈gaafet这玩意吧? 我认为目前做gaafet最稳的还是intel。 分析: 1,gaafet相对finfet,在单个晶体管层面并不需要微缩,甚至还可以做更大些——gaafet只是相当于把finfet 90度翻转过来,由原本的长边在顶和底、宽边在两侧,变成了宽边在顶和底,长边在两侧; 2,gaafet的晶体管层,光刻尺寸其实比finfet要粗——从俯视角看:finfet的fin(鳍片)其实比gaafet的sheet要窄很多,finfet的密度之所以比gaafet要小,原因是一只finfet管子需要多片fin,做一行40片fin,可能只出10个finfet管子(平均3fin+1分隔fin算);而gaafet则不同,它的sheet是通过交叠沉积出来的,从俯视角gaafet就像只有一根很宽的单“fin”的finfet,gaafet里,40片“宽fin”,真能出40个gaafet管子; 3,那gaafet的难度是什么: a,晶体管层的沉积与蚀刻; b,金属互连层的光刻——连线层用多重自对准不好做,因为多重自对准只能做简单图案,而用多重LE,那多个掩模对齐起来恐怕良率不会太高,不过有euv就好办多了; c,连线变窄了,电阻开始变大,又需要考虑rc延迟这类破事了; d,信号布线与电源布线因为挨太近,开始要考虑干扰与争抢了; 4,为什么说做gaafet最稳的还是intel?因为第3点中的c、d,intel都已经彻底解决了——钴夹铜互连(铜电子平均自由程40nm左右)和钴互连(钴电子平均自由程10nm左右)分别能解决3nm以下约1nm以上制程的互连问题(当线宽小于材质的电子平均自由程时,会发生散射,电阻会忽然暴涨);解决d的背面供电技术,intel也是首先实现制造成品(vlsi2023上演示过)
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