FT8393MDD1-DRB 是FMD推出的 原边反馈（PSR）恒流/恒压控制器，内部集成 650 V 功率 MOSFET，采用 SOP-7 封装，目标功率 5 V/3.4 A（17 W）。最大亮点：无需光耦、无需 TL431、无需次级电流检测，即可实现 ±3 % 恒压精度、±5 % 恒流精度，轻松满足 DoE Level VI 能效，专为 USB 快充、机顶盒辅助电源、无线路由器适配器而设计。
典型应用电路：2 颗电阻 1 颗电容完事
BOM 极简：
电流检测：Rcs 一颗 1 % 电阻
电压反馈：RFBU、RFBD 两颗 1 % 电阻
VCC 电容：10 µF/25 V X7R
输出电容：470 µF ×2（低 ESR）
无 Y 电容设计，传导 EMI 余量 > 6 dB
管脚封装与定义（SOP-7）
Pin 名称 描述
1 VCC 芯片电源 9-25 V，内部 14.7 V 启动，7 V UVLO
2 FB 辅助绕组分压输入，2 V 基准，内置线补
3 NC 悬空，Layout 做 1 mm 隔离
4 CS 原边电流检测，500 mV 阈值，350 ns LEB
5,6 DRAIN 内部 650 V MOSFET 漏极，连续 1.4 A，峰值 4 A
7 GND 信号地 + 功率地
内部框图：一颗芯片 = 控制器 + MOSFET + 保护器
关键模块：
QR 控制：谷底导通，最高 115 kHz，效率提升 2 %
线补：随负载增大自动抬高 FB 基准，补偿电缆压降 3 %/6 %/9 % 可选
CC 算法：原边 Ipks 采样 + 退磁时间计算，恒流精度 ±5 %
CV 算法：辅助绕组平台电压与 2 V 基准比较，恒压精度 ±3 %
电气亮点速览
参数 数值 备注
启动电流 3 µA 1 MΩ 启动电阻即可，待机 < 75 mW
工作电流 0.4 mA VCC 电容 10 µF 足够
电流限制 500 mV Rcs = 0.5 Ω → Ipks = 1 A
过温保护 155 ℃ 10 ℃ 迟滞，自恢复
电缆补偿 3 % 固定 MDD1 后缀已固化，无需外调
传导 EMI 余量 > 6 dB 抖频 + 谷底导通
调试锦囊
CC 点校准：
IOUT = 0.5 × Kcc × NPS / Rcs
Kcc = 500 mV，NPS = Np/Ns，Rcs 1 % 精度即可
线补选型：
MDD1 = 3 % 固定；MDD2 = 6 %；MDD3 = 9 %，根据电缆长度选
QR 变压器：
漏感 < 5 µH，谐振频率 600 kHz-1 MHz，避免谷底错位
EMI 优化：
DRAIN 铺铜 < 8 mm × 8 mm，RCD 吸收并 100 pF 小电容，抑制振铃
实测效率（Demo 板 5 V/3.4 A）
输入电压 115 VAC 230 VAC
平均效率 87.3 % 87.9 %
10 % 负载 81.2 % 81.8 %
待机功耗 68 mW 74 mW
输出纹波 60 mV 65 mV
芯片温升 38 ℃ 35 ℃
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一句话总结
FT8393MDD1-DRB 用 一颗 SOP-7 芯片 + 2 颗电阻 + 1 颗电容 就把 17 W 快充做成“三无”产品：
无光耦、无 TL431、无次级电流检测。
下次做 5 V 3.4 A 适配器，记住：
“MDD1 一贴，BOM 省一半，认证一次过。”