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08-05

高低温热流仪TS560在车规级芯片中的应用

高低温气流仪是评估芯片在剧烈温差交替环境下可靠性的关键装置。其核心功能是产生可控的高低温气流，并快速切换作用于待测芯片，以量化其抵抗温度骤变的能力。车用……

🧑中冷低温

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08-05

瑞斯特(RST) RSTN30N04A2 MOS技术解析

瑞斯特(RST) RSTN30N04A2 REVA是一款采用DFN3.3x3.3-8L_EP1F封装的单N沟道增强型MOSFET，面向超高功率密度的同步整……

🧑RSTTEK001

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08-04

瑞斯特(RST) RSTN30C10A1 MOS技术解析

瑞斯特(RST) RSTN30C10A1 REVA是一款采用DFN5x6C-8_EP2封装的互补双MOSFET器件，内部集成一颗N沟道与一颗P沟道增强型M……

🧑RSTTEK001

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08-03

瑞斯特RSTN20D06A2 MOS的电气特性与应用

RSTN20D06A2是瑞斯特（RST）推出的一款双通道N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3.3×3.3-8L封装，单芯片集成两个独立N沟道MOSFE……

🧑RSTTEK001

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07-31

瑞斯特(RST) RSTLG1203 MOS技术解析

瑞斯特RSTLG1203 REVA是一款采用TOLL封装的N沟道增强型功率MOSFET，定位于中高电压、大电流功率变换应用。该器件额定漏源电压120V，连……

🧑RSTTEK001

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07-30

瑞斯特(RST) RSTLG40N008SL MOS技术解析

RSTLG40N008SL REVA是瑞斯特（RST）推出的一款采用TO-LL封装的大电流N沟道增强型MOSFET，专为高功率密度、高效率的电源转换应用而……

🧑RSTTEK001

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07-30

瑞斯特(RST) RSTGD100N15 MOS技术解析

瑞斯特RSTGD100N15 REVA是一款采用TO-252-2（DPAK）贴片封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定耐压100V，连续漏极电流42A（……

🧑RSTTEK001

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07-29

瑞斯特(RST) RSTDG30120 MOS技术解析

RSTDG30120 REVA是瑞斯特（RST）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2封装，具备30V耐压与120A连续漏极电流能力……

🧑RSTTEK001

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07-29

瑞斯特(RST) RSTDG100N06GD MOS技术解析

瑞斯特(RST) RSTDG100N06GD REVA是一款采用TO-252-2封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定漏源击穿电压100V，在VGS=1……

🧑RSTTEK001

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07-29

瑞斯特(RST) RSTD30150YD MOS技术解析

RSTD30150YD RevA是瑞斯特(RST)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装，定位于低压超大电流功率管理应用。该……

🧑RSTTEK001

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07-29

瑞斯特(RST) RSTD6009 MOS技术解析

RSTD6009 RevA是瑞斯特（RST）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2封装，面向大电流、高功率密度应用设计。该器件耐压6……

🧑RSTTEK001

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07-28

瑞斯特(RST) RSTD4012B MOS技术解析

RSTD4012B RevA是瑞斯特(RST)推出的一款集成N沟道与P沟道增强型MOSFET的互补对管器件，采用TO-252-4封装，通过100% UIS……

🧑RSTTEK001

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07-28

ThermoTST高低温循环冲击机有效减低芯片研发周期

ThermoTST高低温循环冲击机能够有效压缩芯片研发周期，降低企业研发与量产综合成本。传统可靠性测试流程繁琐、迭代周期长，反复测试整改极易延误产品上市节……

🧑中冷低温

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07-28

LED显示芯片数显屏驱动器电池座数码管驱动VK1629

概述：VK1629是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制专用芯片，内部集成有4线串行接口、数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描等电路。SEG脚……

🧑vinka杨桃

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07-27

瑞斯特(RST) RSTD150N50 MOS技术解析

RSTD150N50 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款采用TO-252-2封装的中高压N沟道增强型MOSFET，其核心参数定位于150V耐压、30A连……

🧑RSTTEK001

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07-27

瑞斯特(RST) RSTD65N06CSM MOS技术解析

瑞斯特(RST) RSTD65N06CSM是一款采用TO-252-3封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定耐压65V，连续漏极电流可达80A（Tc=25……

🧑RSTTEK001

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07-27

瑞斯特(RST) RSTD40P07 MOS技术解析

RSTD40P07 REVA是瑞斯特（RST）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252-2（DPAK）贴片封装，具备-40V耐压与-70A……

🧑RSTTEK001

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07-24

瑞斯特(RST) RSTD12N88SJ MOS技术解析与应用

瑞斯特(RST) RSTD12N88SJ REVA是一款采用TO-252-2表面贴装封装的N沟道增强型功率MOSFET，定位于低压大电流开关电源与功率变换……

🧑RSTTEK001

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07-23

瑞斯特(RST) RSTB100N033 MOS技术解析

瑞斯特(RST) RSTB100N033 REVA是一款采用TO-263-2封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定漏源击穿电压100V，连续漏极电流16……

🧑RSTTEK001

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07-23

瑞斯特(RST) RST8810BCS MOS技术解析

瑞斯特(RST) RST8810BCS REVA是一款采用SOT23-6L小型贴片封装的双N沟道增强型MOSFET，在单颗芯片内集成两颗独立控制的N沟道功……

🧑RSTTEK001

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07-23

瑞斯特(RST) RST6048 MOS技术解析

瑞斯特(RST) RST6048 REVA是一款单N沟道增强型MOSFET器件，采用紧凑型SOT-23封装，专为高耐压、小电流的高速开关与模拟开关应用而设……

🧑RSTTEK001

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07-23

省成本，外围极简的PD协议芯片JD6601P

高集成度外围简单小封装多协议JD6601PAS6/JD6601PBS6/JD6601PCS6/JD6601PDS6支持20-65W 省成本，外围极简的PD……

🧑百盛新纪元66

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07-21

瑞斯特(RST) RST4421SM MOS技术解析与应用

瑞斯特(RST) RST4421SM REVA是一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET，额定漏源电压-60V，连续漏极电流-7.5A（25°……

🧑RSTTEK001

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07-20

瑞斯特(RST) RST4264DS MOS技术解析

瑞斯特(RST) RST4264DS是一款采用SOP-8封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定耐压60V，连续漏极电流12A，在VGS=10V时导通电阻……

🧑RSTTEK001

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07-20

数显驱动点阵数显驱动数码管驱动厂家16K33A

一、概述 VK16K33A是一种带按键扫描接口的数码管或点阵LED驱动控制专用芯片，内部集成有数据锁存器、键盘扫描、LED驱动模块等电路。数据通过I2……

🧑vinka杨桃

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07-20

瑞斯特半导体超级电容

🧑百度网友1667de2

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07-18

瑞斯特(RST) RST3400TW MOS技术解析

瑞斯特(RST) RST3400TW RevA是一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET，专为工业级DC/DC变换器等低压中功率应用场景设计。该……

🧑RSTTEK001

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07-18

瑞斯特(RST)RST2312T5 MOSF技术解析与应用场景

瑞斯特(RST) RST2312T5 RevA是一款采用SOT-523封装的单N沟道增强型MOSFET，专为工业DC/DC变换器等低压大电流电源管理应用设……

🧑RSTTEK001

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07-17

瑞斯特半导体超级电容

🧑百度网友1667de2

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07-17

瑞斯特半导体超级电容

🧑百度网友1667de2