LR175N25S10-RST是瑞斯特(RST)推出的一款250V耐压等级N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLL封装与SGT屏蔽栅极工艺，定位中压大电流开关场景。器件核心规格为250V漏源耐压、100A连续漏极电流（TC=25℃硅片极限）以及16.2mΩ的典型导通电阻，脉冲漏极电流达400A，单脉冲雪崩能量EAS为1122mJ，最大耗散功率338W，工作结温范围-55℃至150℃。相较于40V与100V系列产品，该型号将耐压等级提升至250V档位，同时保持TOLL封装的紧凑尺寸与低通阻特性，在中高压母线应用中提供了兼顾功率密度与导通损耗的器件选型。