hemt电学特性仿真远低于实验数值，求助
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level 2
郑集成
楼主
前几天做了一个gan/algan的hemt电学特性仿真，结构很简单，50nmSiN钝化层，25nmAlGaN势垒层，3umGaN缓冲层。跑输出特性和转移特性曲线走势都正常，就是数值比实验结果低一个数量级。附上我的代码，异质结处能带和电子浓度图，还有输出特性转移特性曲线，转移特性漏极忘了是0.1V还是0.5V，输出特性栅压分别为0，-1，-3，-5，漏极从0到20V。实验数据输出特性的漏极电流一般都是几百mA的吧，我这个只有几十mA。。。有大神能帮忙看看是什么问题吗？？
2024年08月16日 14点08分
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level 3
射手碧海晴天
考虑极化效应了没
2024年08月19日 11点08分
3
郑集成
考虑了，看了饱和状态的电场强度和电子浓度、迁移率，发现应该是发生了电流崩塌。
2024年08月23日 07点08分
level 1
小烦小烦💤
调整网格
2024年08月30日 01点08分
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level 1
毛不改October
想问一下为什么源极和漏极也要定义功函数参数，它俩不是欧姆接触吗？
2025年02月27日 09点02分
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哇啦WOWB
所见略同
2025年02月28日 13点02分
level 7
哇啦WOWB
有时候调整一些掺杂，结构电流量级都会发生挺大变化的
2025年02月28日 13点02分
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