level 1
基于BSIMSOI的SOI-MOSFET模型研究 - 道客巴巴 (doc88.com)
2021年09月03日 09点09分
4
level 1
HFSS, ADS Momentum和EMX比较 (sohu.com)
2021年10月11日 02点10分
6
level 1
mp.weixin.qq.com/s/5n3LBprelHrouVOm6AdyvA
2021年10月11日 07点10分
8
level 1
Bbs.eetop.cn/thread-349748-1-1.html
2021年10月14日 07点10分
9
level 1
bs.eetop.cn/thread-847981-1-1.html
2022年01月14日 01点01分
25
level 1
enku.baidu.com/view/1417484f49649b6649d74737.html
2022年01月14日 05点01分
27
level 1
Carbon Junction Implant: Effect on Leakage Currents and Defect
Distribution
2022年02月07日 10点02分
30
level 1
A reliable approach
to charge-pumping measurement in MOS transistors
2022年02月07日 12点02分
31
level 1
Lateral profiling of oxide charge and
interface traps near the MOSFET junctions
Characterization and modeling of gate-induced-drain-leakage,” IEICE
Transactions on Electron Devices
2022年02月07日 12点02分
32