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level 13
破凡羽 楼主
2021年03月17日 07点03分 1
level 12
贴吧用户_0VMt9XJ
有大佬能解释下这个代表什么么
2021年03月17日 08点03分 3
yzmjason
半导体的基础就是PN结，这个是做掺杂用的，结的深度可以更深，浓度更高。高能量都是禁止进口的，因为雷达之类的芯片要用到这个
2021年03月17日 08点03分
level 14
fly漫步雨淋
芯片制造需要掺杂某些特定的元素，而控制掺杂元素的多少，深度 ，位置都有极高的要求和精度，这个是可以和光刻机相媲美的尖端设备，过去我国要靠进口，这次美中不足的是是只实现了28纳米级别的全谱系的国产化，如果实现3纳米全谱系的国产化，就可以与美国交易EUV的光刻机了
2021年03月17日 08点03分 4
level 15
我不是大水货
下一步就是产线整合和关键零部件国产化
2021年03月17日 08点03分 5
level 12
GKD☎
估计现在的目标就是这两年解决28nm纯国产吧？28nm基本上能满足华为除手机以外业务开展了吧？
2021年03月17日 08点03分 6
xtchar
28nm就可以做7nmDUV了，多次曝光，真能做出来还是能用的
2021年03月18日 07点03分
level 15
电阻表Ω
28nm到5nm 5年能到么 毕竟已经有突破口了
2021年03月17日 08点03分 7
rahxe
7nm有可能，但是应该还要再迟一两年，5nm不用euv，良率成本太难控制，而euv的5nm要实现规模量产估计要到28甚至，30年
2021年03月18日 05点03分
level 12
你出现在我诗的每①页
路漫漫其修远兮，慢慢来吧[阴险]
2021年03月18日 01点03分 10
level 11
Athlon64FX62
军事意义大于民用意义
2021年03月18日 05点03分 12
level 13
F℉º
收了弯弯啥都有了
2021年03月18日 12点03分 13
1