关于半导体制程虚标的问题
中国芯吧
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level 5
pepino 楼主
2020年07月22日 02点07分 1
level 5
pepino 楼主
首先，从22nm开始，制程标称和实际沟槽尺寸已经没有联系。
其次，从晶体管密度折算，三星虚标最严重，台积电其次，牙膏厂比较老实。
最后，GAA工艺的问题很大，即使做出来性能大概率也不及FinFET。
2020年07月22日 02点07分 2
level 11
贴吧用户_6S5DXZa48
以intel 10nm来看,intel的14nm,22nm都有虚标?
2020年07月22日 02点07分 3
pepino
看上文： 从22nm开始，制程标称和实际沟槽尺寸已经没有联系。 牙膏厂比较老实
2020年07月22日 02点07分
吧务
level 15
-yuto-
牙膏厂制程落后了就开始说别人玩虚标，实际上牙膏厂标的10nm的这个密度最后量产的时候做不到的而降低了密度，实际密度不如台积电第1代的7nm。
2020年07月22日 03点07分 4
pepino
8000万晶体管和7000万晶体管的区别而已。另外你想多了，这个mebiuM是个果蛆。
2020年07月22日 03点07分
骁龙2212
@pepino 8代酷睿coffee lake开始为了提频到5GHz改善功耗和高频稳定性，都是用的低密度14纳米，牙膏虚标比台积电严重
2020年07月24日 09点07分
吧务
level 15
-yuto-
至于牙膏厂的7nm，PPT数据密度是很高，但是实际上的量产会不会像10nm一样一直出不来产品呢，别人的5mm都已经亮产了。
2020年07月22日 03点07分 5
PeterX
只是讨论老不老实的问题。做不做的出是另一回事
2020年07月22日 03点07分
1