长江云报道 昨天（11号），由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金等共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。
据介绍，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，这颗由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。

棒子瑟瑟发抖？三星电子公司已于2014年8月首次在全球范围内批量生产32层3D NAND芯片，2015年8月为48层，而2016年12月为64层。现在在搞96层3D NAND芯片。

5年之后看

看看量产良率以及销路盈亏情况。

国家存储器基地项目今正式装机
2018年4月11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目，以“芯存长江，智储未来”为主题，庆贺存储器基地芯片生产机台设备正式进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入试生产、投产阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。万勇市长、陈瑞峰常务副市长、徐洪兰副市长出席，我委刘卫军副主任参加活动。
国家存储器基地一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存生产厂房。2016年12月30日，长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）开工建设，2017年9月长江存储一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，二季度生产机台设备搬入，力争三季度实现3D NAND试产。项目一期达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
武汉市委副书记、市长万勇表示，国家存储器基地机台搬入，是“中国芯”的一大步，也是“新武汉造”的一大步。32层闪存产品研发成功、64层闪存产品研发进展迅速，标志着中国企业在填补芯片领域空白迈出了重要的一步，进一步拉近了我国在高端芯片领域与少数先进国家并跑的距离，这让我们尤其感到振奋和自豪。期待今年10月设备点亮投产，期待明年底64层闪存产品产能爬坡量产，期待“中国芯”在全球市场反响良好，期待基地第二、第三工厂尽早开工建设；“中国芯、武汉造”即将成为现实，中国“缺芯少屏”的历史将由此改写。

这些东西短时间内不会对三星造成多大影响，但是这些东西从来不是一朝一夕的事情，一两年内不会影响，三五年以后就会发现不一样了，十年后就彻底颠覆，就是这样的

慢慢来，没有谁能一步登天

先解决有无问题，再提高到一流水平

紫光的ddr4出来没？？？

芯片和航空发动机是现在的中国最大的短板

现在量产就是良率上来了，长江存储是64层大规模量产

任重而道远 。。。
不过还是值得庆贺，先解决有没有的问题，然后设备，技术人员，研发人员，良品率，量产化，产能都逐步提升和巩固，然后在升级代差。。只能一步步来。

前进永远比原地踏步强