一、优恩半导体两级低残压-差共模浪涌保护方案
方案特色：
1、最前端的熔断保险作电路过载、短路及MOV失效后的保护；
2、L-N差模之间采用两级压敏电阻组合的防护方案，可有效降低保护后的残压值，适用于后端电路耐压值较低的应用；
3、共模L/N线分别使用一颗压敏电阻再串接陶瓷气体放电管对PE，提供浪涌泄放路径；
4、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流；
5、若要满足输入对地的绝缘耐压测试需要调整GDT的电压参数。
二、优恩半导体单级低漏电-差共模浪涌保护方案
方案特色：
1、最前端的熔断保险作电路过载、短路保护；
2、L-N差模之间采用压敏串放电管的方式，可以有效降低此并联之路的漏电流，提升压敏的使用寿命；
3、共模L/N线分别使用一颗压敏电阻再串接陶瓷气体放电管对PE，提供浪涌泄放路径；
4、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流；
5、若要满足输入对地的绝缘耐压测试需要调整GDT2的电压参数。
三、优恩半导体单级通用型-差共模浪涌防护方案
方案特色：
1、通过最前端的熔断保险作电路过载、短路保护；
2、L-N差模之间采用常规并接压敏电阻的高性价比方案；
3、共模L/N线分别使用一颗压敏电阻再串接陶瓷气体放电管对PE，提供浪涌泄放路径；
4、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流；
5、若要满足输入对地的绝缘耐压测试需要调整GDT的电压参数。
四、优恩半导体满足AC500V绝缘耐压-差共模浪涌测试方案
方案特色：
1、最前端的熔断保险作电路过载、短路及MOV失效后的保护；
2、L-N差模之间采用两级压敏电阻组合的防护方案，可降低因前端共模放电管电压过高而引起的差模残压过压的问题；
3、共模L/N线分别使用一颗压敏电阻再串接一颗高压陶瓷气体放电管对PE，满足绝缘耐压的同时，为共模浪涌提供泄放路径；
4、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流。
五、优恩半导体热失效保护高靠性-差共模浪涌防护方案
方案特色：
1、3Pin的TMOV中的温度保险可以直接串在输入端代替熔断保险，节约PCB占用面积；
2、L-N差模之间采用TMOV热失效保护型压敏电阻，在应用电路中可以有效防止压敏因失效而引起的安全事件，提高产品的可靠性、安全性；
3、共模L/N线分别使用一颗压敏电阻再串接陶瓷气体放电管对PE，提供浪涌泄放路径；
4、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流；
5、若要满足输入对地的绝缘耐压测试需要调整GDT的电压参数。
六、优恩半导体两级低残压-差模浪涌防护方案
方案特色：
1、最前端的熔断保险作电路过载、短路及MOV失效后的保护；
2、L-N差模之间采用两级压敏电阻组合的防护方案，可有效降低保护后的残压值，适用于后端电路耐压值较低的应用；
3、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流。
七、优恩半导体单级低漏电-差模浪涌保护方案
方案特色：
1、最前端的熔断保险作电路过载、短路保护；
2、L-N差模之间采用压敏串放电管的方式，可以有效降低此并联之路的漏电流，提升压敏的使用寿命；
3、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流。
八、优恩半导体单级通用型-差模浪涌防护方案
方案特色：
1、通过最前端的熔断保险作电路过载、短路保护；
2、L-N差模之间采用常规并接压敏电阻的高性价比方案；
3、N线上面串接功率NTC，可以有效抑制开机时的浪涌电流。
符合标准要求：IEC61000-4-5、GB/T17626.5、EN61000-4-5
以上EMC防护方案仅供参考，如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制，请随时与优恩半导体联络，我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和EMC解决方案。