瑞斯特（RST）基于同一硅片平台推出了两款互为封装互补的150V N沟道增强型功率MOSFET——LR049N15SW2-RST（TO-263表面贴装）与LR052N15SW3-RST（TO-220直插封装）。两者均采用SGT屏蔽栅沟槽工艺，共享150V漏源耐压、173A连续漏极电流（Tc=25℃）的电气平台，差异主要体现在封装形态及由此带来的导通电阻：VGS=10V时，TO-263版导通电阻典型值4.2mΩ，TO-220版为4.6mΩ。两款器件栅极总电荷仅74nC，FOM（Qg×RDS(on)）表现良好，在大电流通流能力与开关损耗之间取得了平衡，覆盖电机控制、电池管理与DC/DC变换等中大功率场景。