RST30H15是瑞斯特(RST)基于超高密度沟槽栅工艺开发的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220-3L通孔插装封装，面向30V电压平台下需要极低导通电阻和超大电流能力的功率开关应用。该器件漏源击穿电压30V，在10V栅压下导通电阻典型值仅2.3mΩ、最大限值3.0mΩ，4.5V栅压下典型值3.2mΩ、最大限值4.0mΩ，连续漏极电流高达150A，100℃壳温下仍保持105A，脉冲电流能力达600A，单脉冲雪崩能量1700mJ，同时具备良好的ESD防护能力，为硬开关高频电路和超大电流功率变换提供了高可靠性解决方案。