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RSTTEK001
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瑞斯特(RST) RSTNG30N016A2 REVA是一款采用PDFN3.3×3.3-8L小型封装的N沟道增强型功率MOSFET，具备30V漏源耐压与100A连续漏极电流能力，在VGS=10V条件下典型导通电阻为1.6mΩ，VGS=4.5V时典型值为2.3mΩ。该器件通过100% UIS（非钳位感性开关）测试，单脉冲雪崩能量在L=0.1mH条件下达42mJ，雪崩电流29A，热阻RθJC稳态值为3℃/W，结温范围覆盖-55℃至150℃，潮湿敏感等级为MSL1，符合RoHS标准，适用于对空间尺寸与效率均有严格要求的便携式及电池供电设备。
2026年08月08日 10点08分
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