RSTN4080A1YD REVA是瑞斯特(RST)推出的一款单N沟道增强型MOSFET，采用PDFN5×6-8L封装，额定参数为40V/80A。该器件在VGS=10V、IDS=40A条件下导通电阻典型值4.4mΩ、最大值5.7mΩ，在VGS=4.5V、IDS=35A时导通电阻典型值5.4mΩ、最大值6.7mΩ。漏源击穿电压BVDSS最小值40V，栅源耐压±20V，最大结温150°C，存储温度范围-55°C至150°C。最大连续漏极电流在壳温25°C时为80A，100°C时降至60A；脉冲漏极电流IDM在25°C时高达300A。最大功耗在TC=25°C时为54W，100°C时降至22W。热性能方面，结到壳稳态热阻RθJC为2.3°C/W，结到环境热阻在t≤10s条件下为17°C/W，稳态条件下为50°C/W（基于1平方英寸焊盘）。雪崩特性上，单脉冲雪崩电流IAS在L=0.1mH条件下为50A，单脉冲雪崩能量EAS为125mJ，具备较强的感性负载关断承受能力。该器件通过100%UIS及Rg测试验证，符合RoHS标准。