RSTD150N50 REVA是瑞斯特(RST)推出的一款采用TO-252-2封装的中高压N沟道增强型MOSFET，其核心参数定位于150V耐压、30A连续漏极电流及低导通电阻。该器件在VGS=10V条件下典型导通电阻为45mΩ，最大不超过48mΩ，在150V电压等级器件中实现了较高的导通效率。栅源耐压达±20V，阈值电压VGS(th)范围2.0V~4.0V，栅极漏电流控制在±100nA以内，零栅压漏电流在85°C结温下仍低于30μA。封装采用标准TO-252-2（DPAK）形式，热阻RθJC为1.5°C/W，壳温25°C时最大功耗达83W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级可靠性要求。