瑞斯特(RST) RSTD12N88SJ REVA是一款采用TO-252-2表面贴装封装的N沟道增强型功率MOSFET，定位于低压大电流开关电源与功率变换应用。该器件漏源击穿电压额定值为120V，在壳温25°C条件下连续漏极电流高达30A，100°C壳温下仍可输出22.5A，脉冲电流峰值额定值达90A。导通电阻在栅源电压10V、漏极电流5A条件下典型值为88mΩ，最大值120mΩ；在4.5V逻辑电平驱动下典型值为110mΩ，最大值130mΩ，具备直接由低压PWM控制器或驱动IC驱动的兼容性。栅源电压额定值为±20V，阈值电压典型值约1.6V（范围1.0V至2.5V），结温额定值150°C。器件通过100% UIS雪崩测试，在0.5mH电感条件下单脉冲雪崩电流20A、雪崩能量100mJ，采用无铅绿色工艺并符合RoHS标准，在可靠性与鲁棒性方面具备较宽的设计裕量。