瑞斯特(RST) RST8810BCS REVA是一款采用SOT23-6L小型贴片封装的双N沟道增强型MOSFET，在单颗芯片内集成两颗独立控制的N沟道功率管。该器件耐压20V，连续漏极电流10A，典型导通电阻低至11mΩ（VGS=4.5V）和14mΩ（VGS=2.5V），并具备低至1.5V的栅极驱动能力。器件栅源耐压±12V，结温范围-55°C至150°C，热阻RθJA瞬态80°C/W、稳态127°C/W（1英寸²焊盘条件下），最大功耗1.0W（TA=25°C，t≤10s）。产品通过100% UIS与Rg测试，符合RoHS环保标准，适用于笔记本电源管理、便携设备及单节锂电池包等高功率密度场景。