瑞斯特(RST) RST4264DS是一款采用SOP-8封装的N沟道增强型功率MOSFET，额定耐压60V，连续漏极电流12A，在VGS=10V时导通电阻最大值12mΩ、典型值8.3mΩ，VGS=4.5V时最大值13.7mΩ、典型值10.5mΩ。该产品具备低导通损耗、快速开关特性及优异的雪崩耐受能力，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机控制及负载开关等应用。其关键优势在于通过优化的栅极电荷设计（VGS=4.5V时Qg典型值9.7nC，VGS=10V时20.3nC）实现了较高的开关效率，同时支持100% UIS（非钳位感性开关）雪崩能量测试，单脉冲雪崩能量EAS达64mJ，保证了在感性负载应用中的可靠性。封装采用多引脚并联设计，四个漏极引脚（5-8）和三个源极引脚（1-3）分别并联，有效降低了封装寄生电阻并提升了散热能力。