瑞斯特(RST) RST3400TW RevA是一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET，专为工业级DC/DC变换器等低压中功率应用场景设计。该器件漏源击穿电压BVDSS为30V，连续漏极电流ID在25°C环境温度下为5.7A，脉冲电流能力达25A，体二极管连续正向电流1.7A。导通电阻方面，VGS=10V、IDS=5.7A条件下典型值为26mΩ，VGS=4.5V、IDS=5A时为28mΩ，VGS=2.5V、IDS=3.2A时为32mΩ，在低至2.5V的栅极驱动电压下仍可维持较低的导通电阻，具备优异的低压驱动兼容性。器件工作结温范围为-55°C至150°C，25°C时最大功耗1.25W，70°C时降至0.8W，热阻RθJA为90°C/W。此外，该器件通过100% UIS雪崩测试与Rg测试，具备良好的抗雪崩击穿能力与栅极可靠性，整体在紧凑封装、低导通电阻与宽驱动电压范围之间取得了良好的平衡，适用于对空间与效率均有要求的工业电源应用。