瑞斯特(RST) RSTN30D07A2 REVA是一款采用DFN3.3×3.3-8-EP封装的双N沟道增强型MOSFET，集成两颗性能一致的N沟道功率MOSFET于单一芯片内。该产品单通道耐压30V，连续漏极电流达18A（TC=25°C），在VGS=10V条件下导通电阻典型值低至7mΩ，VGS=4.5V时导通电阻典型值为10mΩ，具备优异的导通损耗特性。器件栅源耐压±20V，最大结温150°C，热阻RθJC为6~9.1°C/W，支持100%UIS雪崩测试，整体呈现出低导通电阻、高电流处理能力与良好热性能的综合优势。