瑞斯特 (RST) RST2P100 REVA 为 SOT23-3 封装 P 沟道增强型场效应晶体管，依托沟槽 MOS 工艺实现高压开关导通功能，器件额定漏源耐压 VDS=-100V，常温 25℃下连续漏极额定电流 ID=-2A，属于中小功率高压贴片开关器件。该器件栅源阈值电压区间 - 1V~-3V，在 VGS=-10V、ID=-2.5A 工况下典型导通电阻 RDS (ON)=270mΩ，VGS=-4.5V、ID=-1.6A 时典型导通电阻 290mΩ，低导通损耗可减小回路稳态发热；极限电气规范统一，栅源耐受电压 ±20V，25℃外壳条件下最大耗散功率 25W，100℃外壳时功率降至 1W，瞬时 300μs 脉冲电流可达 - 6A，最高允许结温 150℃，存储温域覆盖 - 55℃~150℃；静态漏电控制优异，零栅压下 80V 反向漏电流 IDSS 最大值仅 1μA，85℃高温环境下最大 30μA，栅极漏电流 IGSS 控制在 ±100nA 以内，器件内置源漏寄生二极管，1A 电流下正向压降典型 0.75V，反向恢复时间 30ns、恢复电荷 33nA，适合中速开关回路，全参数均以 25℃环境为标定基准，宽温电路可依托温度相关特性曲线完成温升与导通损耗量化校核。