瑞斯特(RST) MBR6045W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属overlay接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-247S封装为直插式三引脚设计，引脚1和引脚3分别为两个独立二极管的阳极（Anode），引脚2为公共阴极（Common Cathode），封装本体配备大面积金属散热片安装孔，可通过螺钉固定至外部散热器，实现高效的热管理。与标准TO-247封装相比，TO-247S采用简化引脚结构，引脚间距5.45mm，较标准TO-247更宽，降低了引脚间爬电距离要求，同时保持了大功率散热能力。封装外壳采用环氧树脂模塑成型，材料符合UL 94V-0阻燃等级，引脚可焊性良好，焊接耐受温度最高260℃（10秒），管装包装每管30颗。在电气特性方面，该器件的峰值重复反向电压VRRM为45V，在25℃环境温度下测试击穿电压BV不低于45V（IC=0.5mA）。正向导通特性优异，在IF=30A时典型正向压降VF为0.57V，最大值不超过0.62V，显著低于同等规格普通硅整流二极管，这是肖特基结构利用多数载流子传导机制带来的核心优势。平均整流输出电流总额定值为60A，每臂（Per Leg）30A，非重复峰值浪涌电流IFSM在8.3ms半正弦波、额定负载条件下高达500A，具备优异的抗浪涌冲击能力。反向漏电流IR在VR=45V、TJ=25℃时最大值为50μA（即0.05mA），在125℃高温下上升至6mA，呈现典型的肖特基器件温度敏感性特征。工作结温范围-55℃至+175℃，存储温度范围-55℃至+175℃。