瑞斯特(RST) BZT52B2V4T1G THRU BZT52B75T1G系列是一组小功率表面贴装齐纳稳压二极管，采用SOD-123封装，涵盖2.4V至75V的宽稳压电压范围，后缀"B"表示±2%的稳压精度等级。该系列基于硅平面工艺制造，在25°C环境温度下，总耗散功率PD为500mW，正向电压VF在IF=10mA时典型值为0.85V，结温Tj最高可达150°C，存储温度范围覆盖-55°C至+150°C。热阻RθJA为556°C/W（或417°C/W），功率降额曲线显示环境温度从25°C升至100°C时允许耗散功率从500mW线性下降至约200mW，至150°C时降额至零，设计时必须据此进行热预算。在电气特性方面，以BZT52B2V4T1G为例，在IZ=5mA测试条件下稳压范围为2.352V至2.448V，动态阻抗ZZT最大值为100Ω；在IZ=1mA时ZZK最大值为600Ω，反向漏电流IR在VR=1V时最大为50μA，温度系数为-3.5mV/℃至0mV/℃，呈现负温度系数特性。随着稳压电压升高，如BZT52B75T1G在IZ=2mA测试条件下稳压范围为73.5V至76.5V，动态阻抗ZZT最大值为250Ω，反向漏电流IR在VR=53V时最大为0.04μA，温度系数转为正值（73.4mV/℃至88.6mV/℃），这种宽稳压范围内的温度系数变化反映了低电压型号处于齐纳击穿与雪崩击穿的过渡区域而高电压型号以雪崩击穿为主导的物理机制差异。