Ousemi的个人资料

可用于直流和交流伺服电机，国产RDC SC2161替代ADi的AD2S1210 SC2161是一款10位至16位分辨率旋变数字转换器，集成片上可编程正弦波振荡器，为旋变器提供正弦波激励。替代ADi的AD2S1210 应用场合：直流和交流伺服电机控制编码器仿真电动助力转向电动汽车集成的启动发电机/交流发电机汽车运动检测与控制

富士通FRAM MB85RS256B，替代FM25V02A 富士通MB85RS256B， MB85RS256BPNF-G-JNE1，MB85RS256BPNF-G-JNERE1。直接替代infineon/Cypress FM25L256，FM25V02A，FM25W256，FM33256B，CY15B286Q。

TERA7126软硬件兼容替代ADuC7124BCPZ126、ADuC7126BSTZ126 TERA7126可软硬件直接替代ADuC7124BCPZ126、ADuC7126BSTZ126、ADuC7126BSTZ126I、ADuC7126BSTZ126IRL。 TERA7126特性 12位 1 MSPS ADC 多达16个ADC通道 12位电压输出DAC 提供4个DAC输出可编程逻辑阵列(PLA) 16个PLA元件 32位RISC架构全差分模式和单端模式片内基准电压源片内温度传感器电压比较器 JTAG端口支持代码下载和调试修正的片内振荡器外部时钟晶体可达44 MHz的外部时钟源

TERA7126完全替代ADUC7126，适用于10G~400G光通信、基站 TERA7126可软硬件直接替代ADuC7124BCPZ126、ADuC7126BSTZ126、ADuC7126BSTZ126I、ADuC7126BSTZ126IRL。 TERA7126应用场景基站系统、光纤网络工业控制和自动化系统智能传感器、精密仪器

SMC5351替代芯科Si5351A、Si5351B、Si5351C适用于音视频传输设备 SMC5351B 增加了一个内部 VCXO，且可灵活地替代独立时钟和同步时钟。它可以通过可靠地谐调到更大的范围来解决高成本的定制晶振应用。SMC5351C 可通过一个外部参考时钟 CLKIN 实现相似的灵活应用。 SMC5351B 的独特性在于它可以通过 VC 脚上相同的控制电压产生多个输出频率。这个特性使得SMC5351B可替代多个被锁定到相同参考时钟的 PLL 或 VCXO。兼容替代SILICON LABS芯科Si5351A、Si5351B、Si5351C

多通道高端时钟芯片SMC5351替代芯科Si5351A、Si5351B、Si5351C SMC5351 是一款可通过 I2C 配置的时钟发生器，且可完全替代高精度应用中的晶振、压控振荡器（VCXO）、锁相环（PLL）、输出缓冲器等。的SMC5351系列高精度多通道时钟芯片，采用自研高端时钟技术，在保证高性能的前提下，同时降低了系统成本、功耗和芯片面积，在消费，工业及通讯等多领域提供了最具竞争力的高端SMC5351系列时钟芯片：SMC5351A、SMC5351B、SMC5351C、SMC5350A、SMC5350B、SMC5350C等。

杨贺杨 4GB NAND FLASH 存储芯片杨贺杨主要产品为工业类SLC NAND, SD NAND以及P-NOR等闪存芯片。替代镁光,三星,华邦,旺宏等品牌W25N04KVZEI、GD5F4GQ4UB、MT29F4G01AAADDHC 4Gb NAND FLASH HYF4GQ4IAACAE HYF4GQ4UTACAE HYF4GQ4UTADAE HYF4GQ4UTDCAE HYF4GQ4UAACAE HYF4GQ4UAADAE HYF4GQ4UAACBE

杨贺杨1GB到16GB NAND FLASH 与镁光,三星,华邦,旺宏等品牌兼容 SPI NAND FLASH 1Gb HYF1GQ4IDACAE HYF1GQ4UDACAE HYF1GQ4UDADAE HYF1GQ4UTACAE HYF1GQ4UTADAE HYF1GQ4UTDCAE 替代W25N01GVZEIG、GD5F1GQ5UEYIGR、F35UQA001G-WWT。

DAC2167-250，国产16位250MSPS高速采样DAC，适用于通信、雷达等 DAC2167LFP-250应用领域通信设备：DAC2167LFP-250可用于光通信、无线基站和卫星通信等领域，将数字信号转换为模拟信号，实现数据传输和通信功能。广播和音频设备：DAC2167LFP-250可用于广播系统和音频设备中，将数字音频信号转换为模拟信号，实现音频播放和处理功能。测试和测量仪器：DAC2167LFP-250在测试设备和测量仪器中广泛应用，用于产生精确的模拟信号，以进行信号分析、频谱测量和波形生成等任务。医疗设备：DAC2167LFP-250可用于医疗成像设备、超声设备和生物传感器中，将数字数据转换为模拟信号，实现医学图像显示和诊断功能。工业自动化：DAC2167LFP-250适用于工业自动化系统中，用于控制和监测设备，实现精确的模拟输出。雷达和导航系统：DAC2167LFP-250可用于雷达和导航系统中，将数字信号转换为模拟信号，实现目标探测和位置跟踪等功能。

国产16位250MSPS采样速率DAC，替代AD9747 DAC2167LFP-250可用于光通信、无线基站和卫星通信等领域，将数字信号转换为模拟信号，实现数据传输和通信功能。 DAC2167LFP-250为双通道DAC芯片，分辨率为16bit，最高采样率达250MSPS。该芯片具有低噪声、低杂散、低交调失真的特点，并允许输出超过奈奎斯特频率的信号。由于该芯片具有高速、高精度和功能灵活等特性，在多个领域具有广泛的应用。

DAC2167LFP-250高速DAC芯片，直接替代AD9747 DAC2167为高动态范围 DAC、双通道数模转换器，具有16位分辨率，采样速率最高可达250MSPS。可在奈奎斯特频带内输出多载波宽带信号。内部针对直接变频发射应用做了专门设计，包括增益和偏置补偿。DAC 输出可与模拟正交调制器进行无缝连接。采用4线SPI接口，可对DAC进行配置、读取等操作。DAC输出电流8.6mA配置到31.7mA。产品特色 1.利用低噪声与交调失真 (IMD) 特性，宽带信号可实现高质量合成。 2.专有开关输出可以增强动态性能。 3.可编程电流输出与双辅助 DAC 既提供灵活性，同时增强系统功能。

国产3ppm极低温漂、0.05%高精度电压基准源，LHR3020、LHR3025 替代REF5020，ADR4520，REF5025，ADR4525，REF5030，ADR4530，REF5040，ADR4540，REF5045，REF5050，ADR4550等。低温漂： --高等级：3 ppm/°C（最大值） --标准等级：8 ppm/°C（最大值）高准确度： --高等级：0.05%（最大值） --标准等级：0.1%（最大值）低噪声：1.5μVpp/V 出色的长期稳定性： --50ppm/1000 小时（典型值）前 1000 小时(MSOP8L) --25ppm/1000 小时（典型值）后 1000 小时(MSOP8L) 高输出电流：±10mA 温度范围：–40°C至125°C

芯动神州16位 500MSPS 速率DAC，DAC2163替代AD9783 高动态范围、双DAC 低噪声与交调失真单载波 W-CDMA ACLR = 80dBc(61.44MHz 中频) 创新的开关输出级能够让可用输出超过奈奎斯特频率 LVDS 输入以双端口或可选交错式单端口方式工作差分模拟电流输出可以从 8.6mA～31.7mA 满量程范围内编程辅助 10 位电流 DAC 具有源电流/吸电流能力，用于消除外部失调零点内部集成 1.2V 精密基准源工作电源：1.8V～3.3V 功耗：320mW 小尺寸、无铅、72 引脚 QFN 封装芯动神州500MSPS速率DAC替代AD9783

国产16位500MSPS采样速率ADC，芯动神州DAC2163替代AD9783 DAC2163具有高动态范围、16位分辨率、双通道数模转换器(DAC)，采样速率最高可达500 MSPS，可替代AD9783。DAC2163具有适合直接变频传输应用的特性，其中包括增益与失调补偿，而且能够与模拟正交调制器无缝连接。 DAC2163LFP-500 –40°C到+85°C 72-QFN 168/托盘

CA-IS3722HS替代SiliconLab Si8622E、TI ISO7721、ADI ADuM1201 川土微 CA-IS3722HS替代ADI以下型号 ADuM121N1BRZ ADuM1281ARZ ADuM1281BRZ ADuM1281CRZ MAX12931BASA ADuM1201AR ADuM1201ARZ ADuM1201BR ADuM1201BRZ ADuM1201CR ADuM1201CRZ ADuM1241ARZ ADuM1281ARZ ADuM1281BRZ ADuM1281CRZ ADuM3201ARZ ADuM3201BRZ ADuM3201CRZ

WIZnet W5500、W5300、W5100S、W5700P、W6100、W5500-io W5100S是一款高性能的单芯片网络接口芯片，内部集成全硬件的TCP/IP协议栈，以太网MAC和10Base-T/100Base-TX以太网控制器。主要应用于高集成、高稳定、高性能和低成本的嵌入式系统中。使用W5100S，用户MCU可以方便的处理IPv4，TCP，UDP，ICMP，IGMP，ARP，PPPoE等各种TCP/IP协议。W5100S分别拥有8KB的发送缓存和接收缓存，可以最大限度地减少MCU的开销。主机还可以同时使用W5100S的4个独立的硬件SOCKET，并基于每个硬件SOCKET开发独立的互联网应用。 W5100S支持SPI接口和并行系统总线接口。它还提供低功耗/低热量设计，WOL（Wake On LAN），以太网PHY掉电模式等。 W5100S是基于W5100改进的低成本网络接口芯片。W5100使用的任何固件及程序都可以直接在W5100S上使用，无需任何修改。此外，W5100S采用48引脚LQFP和QFN无铅封装，明显小于W5100的80引脚封装，方便产品小型化。

DAC2163双通道,16bit,500MSPS采样速率 LVDS接口DAC DAC2163具有高动态范围、16位分辨率、双通道数模转换器(DAC)，采样速率最高可达500 MSPS。这些器件具有适合直接变频传输应用的特性，其中包括增益与失调补偿，而且能够与模拟正交调制器无缝连接。应用领域无线基础设施：WCDMA, CDMA2000, TD-SCDMA, WiMAX 宽带通信：LMDS/MMDS, 点对点仪器仪表：射频(RF)信号发生器、任意波形发生器

川土微全系列|CA-IS3722HS高速双通道数字隔离替代ISO7721 CA-IS3722HS具有高绝缘能力，有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端，从而干扰或损坏敏感电路。高CMTI 能力有望保证数字信号的正确传输。 CA-IS3722HS器件采用8 脚窄体SOIC，8 脚宽体SOIC 和16 脚宽体SOIC 封装。所有产品均具有3.75kVrms 的隔离额定值，宽体封装的产品支持绝缘耐压高达5kVrms。应用 • 工业自动化 • 电机控制 • 医疗电子 • 隔离开关电源 • 太阳能逆变器 • 隔离 ADC, DAC 信号传输速率：DC to 150Mbps • 宽电源电压范围：2.5V to 5.5V • 宽温度范围：‐40°C to 125°C • 无需启动初始化 • 默认输出高电平和低电平选项 • 优异的电磁抗扰度 • 高 CMTI：±150kV/µs (典型值) • 低功耗，(典型值): ▪ 电流为 1.5mA/通道（@5V， 1Mbps ） ▪ 电流为 6.6mA/通道（@5V， 100Mbps ） CA-IS3722HS替代以下型号： SiliconLab Si8622EB-B-IS Si8622EC-B-IS ADI ADuM121N1BRZ ADuM1281ARZ ADuM1281BRZ ADuM1281CRZ MAX12931BASA ADuM1201AR ADuM1201ARZ ADuM1201BR ADuM1201BRZ ADuM1201CR ADuM1201CRZ ADuM1241ARZ ADuM1281ARZ ADuM1281BRZ ADuM1281CRZ ADuM3201ARZ ADuM3201BRZ ADuM3201CRZ TI ISO7721D ISO7221AD ISO7221BD ISO7221CD ISO7221MD ISO7321CD ISO7421D ISO7421ED ISO7421MDREP

旷岳KY7606替代AD7606，电池化成测试设备应用旷岳KY7606直接替代AD7606BSTZ，KY7606软硬件兼容替代ADS8588S。主要参数单电源操作：2.5~5.5V 真双极性模拟输入范围：±10V, ±5V 低功耗：130mW 待机模式：35mW 在全球碳中和的宏观背景下，新能源汽车市场迎来爆发式增长，带动动力电池装车量持续提升。电池分容化成是电池生产过程中的重要环节，电池厂商对大容量动力电池分容化成测试设备提出了更高的要求： 1.需要多通道并联实现更大的电流。 2.可以实现更低成本的串联充电(需要高共模电流电压采样)。 3.电池分容需要更高精度的电流电压采样（一般0.05%采样精度）。 4. 低成本，高可靠性。 KY7606在无过采样情况下其信噪比能达到89dB，能够帮助BFT设备实现更高精度的电压电流调节。更低的THD和INL性能助力实现更加稳定的数字闭环。KY7606非常适合应用于电池分容化成的高精度采样，同时KY7606性能上可对标ADI AD7606与TI ADS8588S。超低的功耗实现更低成本的电源供电系统，同时降低功耗可以降低结温提升系统的可靠性。

维晟WS1850S深圳销售，13.56MHz非接触式读写卡芯片 WS1850S-符合ISO/IEC14443A/B标准。 13.56MHz非接触式读写卡芯片宽电压工作范围，电源电压2.0 ~ 5.5V 极低的待机和扫描功耗，有效读卡距离可达8 ~ 10cm

IBS宽带电力线载波HPLC IBS6222、IBS6212兼容THS6222和THS6212 英彼森宽带电力线载波(HPLC)IBS6222、IBS6212兼容THS6222和THS6212。在30MHZ带宽下，该产品可提供15.7dbm的功率放大能力并保持优异的线性度，可完全支持G.9932中各项传输模板。 HPLC 线路驱动功放:采用独特的电路设计架构，针对复杂的电网环境强化了诸多关键产品指标，如:极限耐压能力、浪涌保护能力、超低功耗下的通信能力、重载驱动能力等。

IBS6222、IBS6212英彼森宽带载波驱动器芯片,兼容THS6222/THS6212 英彼森宽带电力线载波(HPLC)IBS6222、IBS6212兼容THS6222和THS6212。满足有线通信系统对于低失真、低功耗、高线性度、高可靠性的极致需求。 HPLC 线路驱动功放:采用独特的电路设计架构，针对复杂的电网环境强化了诸多关键产品指标，如:极限耐压能力、浪涌保护能力、超低功耗下的通信能力、重载驱动能力等。在30MHZ带宽下，该产品可提供15.7dbm的功率放大能力并保持优异的线性度，可完全支持G.9932中各项传输模板。

TERA32C07126 32位RISC MCU|P2P替代ADI的aduc7126、aduc7124 TERA32C07126 系列高性能精密微控制器，支持 DDM SFF-8472 全数字诊断技术，适用于电信、以太网和光纤通道 SFP、QSFP、XFP 传输。TERA32C07126系列提供 16 个可编程逻辑阵列(PLA)，灵活应对模块的定制化需求。替代ADI的aduc7126和aduc7124，功能替代aduc7023

0.05%精度1ppm低噪音低温漂电压基准源，3peak TPR50系列宽输入电压范围:- 3v ~ 15v 固定输出电压:- 1.25 V, 2.048 V, 2.5 V, 3v, 3.3 V, 4.096 V, 4.5 V, 5v 低温系数: - 1ppm /°C 典型范围为0°C至70°C - 2ppm /°C - 40°C至105°C - 2.5 ppm/°C 典型范围为- 40°C至125°C 高初始精度:-最大0.05% 低噪音:- 3μVpp/V 温度范围:−40℃~ 125℃ 包选项：SOP8、MSOP8

0.05%精度，低噪音低温漂基准|3peak TPR5012、TPR5020、TPR5030 TPR50系列是一系列高精度和低温漂移电压基准，初始精度为0.05%，温度系数为2.5 ppm/°C。TPR50系列所有产品均可支持±10ma的下沉和上升电流，并具有低压降。 TPR5012-SO1R TPR5020-SO1R TPR5025-SO1R TPR5030-SO1R TPR5033-SO1R TPR5040-SO1R TPR5045-SO1R TPR5050-SO1R TPR5012-VS1R-S TPR5020-VS1R-S TPR5025-VS1R-S TPR5030-VS1R-S TPR5033-VS1R-S TPR5040-VS1R-S TPR5045-VS1R-S TPR5050-VS1R-S

SP77MF65TF替代IPW65R041CFD，650v CooIMOSm 应用充电桩、谐振开 SP77MF65TF替代IPW65R041CFD，650v CooIMOSm 应用充电桩、谐振开关 650v CooIMOSm CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。由此产生的器件提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供了极快且坚固的二极管体。极低的开关、换流和导通损耗与最高的鲁棒性相结合，使特别是谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更易冷却。

内置FRAM的RFID芯片，超高频无限次MB97R8110 FeRAM嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大，数据写入速度快。如果我们的RFID LSI用于标签中记录工厂中产品的工艺流程历史，则可以缩短生产时间。此外，一些 RFID LSI产品具有无线和SPI 的双接口。该产品可以通过 SPI接口进行快速处理，并且可以在断电期间使用无线接口读取重要数据。MB97R8110 ，UHF band 860 to 960MHz ，8Kbyte容量，通讯规格 ISO/IEC18000-63EPC C1G2Ver.1.2.0

Fujitsu rfid Wafer，MB89R118C 搭载FRAM用于13.56MHz RFID的芯片MB89R118C，最重要的特点就是内嵌铁电存储器（FRAM）由于擦写速度快、耐擦写次数高，它们已经作为数据载体型被动 RFID 芯片而被全世界广泛采用。详细ordering PN：MB89R118C1-DIAP15-P1HF band13.56MHz ，2Kbyte内存ISO/IEC15693通信规格1万亿次以上稳定擦写

供应安森美LB1838M-TRM-E，现货 LB1838M-TRM-E概述 LB1838M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低压应用。

安森美LB1838M-TRM-E现货 LB1838M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机，相机和其他便携式设备。

dapu大普超高稳定度恒温晶振OCXO，温度稳定度0.2 ppb 大普通信超高稳定度系列恒温晶振推荐频点：10MHz O55A系列 O23B系列 O22B系列 O22A系列 O22S系列大普通信超低相噪系列恒温晶振 O55系列 O23系列 O22B系列 O22A系列标准频率10M~100MHz，温度稳定度0.3ppb，最低-105相噪dBc/Hz@10Hz，-170相噪dBc/Hz@10KHz

大普通信超低相噪系列恒温晶振 O55系列 O23系列 O22B系列 O22A系大普通信超低相噪系列恒温晶振 O55系列 O23系列 O22B系列 O22A系列标准频率10M~100MHz，温度稳定度0.3ppb，最低-105相噪dBc/Hz@10Hz，-170相噪dBc/Hz@10KHz，

大普通信022B-G426-80.00M，温度±0.2ppb恒温晶振OCXO 超低相噪O22B系列 O22B-G426-80.00MHz 频率：80MHz 输出波形：Sine wave Level 6 dBm Load 50 Ω Harmonics Suppression -30 dBc Spurious Suppression -60 dBc 工作温度内频率稳定性：±0.01ppm

富士通RFID芯片MB89R118C1-DIAP15-P1 MB89R118C最重要的特点就是内嵌铁电存储器（FRAM）富士通FRAM嵌入式 RFID LSI 的优点是存储器密度大，数据写入速度快，读写次数接近无限次。 13.56MHz ， 2Kbyte内存 ISOIEC15693通信规格 1万亿次以上稳定擦写

13.56MHz非接触式读写卡芯片，Wisesun维晟WS1850S 高集成度超低功耗的非接触式读写卡芯片，工作在13.56MHz，支持双线圈驱动的各类读写卡方案宽电压工作范围，电源电压2.0 ~ 5.5V 极低的待机和扫描功耗，有效读卡距离可达8 ~ 250px 支持完整的ISO/IEC 14443 Type A/Type B协议支持高传输速率的通信：106kbit/s、212kbit/s、424kbit/s WS1850/WS1850S-符合ISO/IEC14443A/B标准

3peak 16位低功耗4通道DAC TPC116S4 替代DAC8554和DAC8565 3peak TPC116S4直接替代DAC8564、DAC8565和DAC8554，功能替代DAC80504、MAX525系列、MAX5500系列、DAC7564、DAC8164、DAC7565、DAC8165。 TPC112S4直接替代TLV5614、DAC123S085、DAC7554。兼容替代DAC124S085CIMM/NOPB、DAC124S085C系列、AD5686ACPZ-RL7、AD5645RBCPZ-REEL7、AD5696系列等。 TPC116S4-TR和TPC112S4-TR 应用程序增益和偏移调整过程控制和伺服回路可编程电压和电流源可编程衰减器自动测试设备

供应：Ti高精度运算放大器OPA2277PA、OPA4277 OPA2277、OPA4277器件提供得到改善的噪声性能、更宽的输出电压摆幅，并且速度是原来的两倍，静态电流只有原来的一半。特性包括超低失调电压和温漂、低偏置电流、高共模抑制及高电源抑制。应用 • 模拟输入模块 • 称重计 • 温度变送器 • 压力变送器 • 数据采集 (DAQ) • 实验室和现场仪表 • 电池测试

3peak新推出TPS32混合信号系列工业MCU，兼容ARM Cortex-M33系列基于 Arm v8-M 架构的带 FPU 的 32 位 STAR-MC1 内核兼容ARM Cortex-M33指令集工作频率高达156 MHz 512KB至2MB Flash存储器；128KB-336KB SRAM存储器一个 12 位 ADC，具有 14 个外部通道和 6 个内部通道。分辨率高达 12 位@2.5Msps 一个 12 位DAC，2个缓冲外部通道 @1 Msps 两个快速rail-to-rail模拟比较器(CMP)，内置 6 位 DAC，用于内部电压参考两个运算放大器（OA），可用于 PGA/buffer/GP 模式 TPS325M0155Q-QP6T TPS325M0156Q-QP7T TPS325M0177Q-QP5T TPS325M0177Q-QP7T TPS325M5156Q-QP7T TPS325M5177Q-QP6T TPS325M5A57Q-QP5T TPS325M0177Q-QP6T TPS325M5166I-FSDR TPS325M5166Q-QP6T TPS325M5167Q-QP7T TPS325M0166Q-QP7T TPS325M0A57Q-QP5T TPS325M5155Q-QP5T TPS325M5155Q-QP7T TPS325M5166Q-QP7T TPS325M5177I-FSDR TPS325M5177Q-QP5T TPS325M0155Q-QP5T TPS325M0166Q-QP5T TPS325M5165Q-QP7T TPS325M5166Q-QP5T TPS325M5177Q-QP7T TPS325M0166Q-QP6T TPS325M5156I-FSDR TPS325M5177Q-FSDR

富士通铁电存储器MB85RS256BPNF-G-JNERE1 富士通MB85RS256B是FeRAM(铁电随机存取存储器)芯片，配置为32,768字8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。 MB85RS256B采用SPI 接口。

富士通RFID芯片，内部嵌入FRAM，1万亿次稳定擦写，MB89R118C 富士通MB89R118C1-DIAP15-P1 1、2K Bytes FRAM (8 Bytes Block, 256Blocks) 2、13.56MHz: ISO/IEC15693,18000-3(Mode1) 3、ASK 10 / 100% Modulation, 1 out of 4 Data Coding 4、Fast Read/Write Commands (Data rate: 52.97kbps 5、Input Capacitance 24 / 96pF 6、Fast Writing: 1.4sec (2K bytes)

色差仪ADC芯片，国产7616首推KY7616，P2P替代AD7616和ADS8686S KY7616产品特性 16 通道、双路、同步采样输入可独立选择的通道输入范围真双极性：±10 V、±5 V、±2.5 V 5 V 单模拟电源，VDRIVE电源电压：2.3 V 至 3.6V 完全集成的数据采集解决方案模拟输入箝位保护具有1 MΩ模拟输入阻抗的输入缓冲器一阶抗混叠模拟滤波器片内精密基准电压及基准电压缓冲器双通道 16 位逐次逼近型寄存器 (SAR)ADC 吞吐速率：2×1 MSPS 通过数字滤波器提供过采样功能灵活的序列器，支持突发模式灵活的并行/串行接口 SPI/QSPI/MICROWIRE/DSP 兼容可选循环冗余校验 (CRC) 错误检查硬件/软件配置

适用于配电终端，旷岳KY7616超高性价比国产AD7616替代旷岳KY7616是一款16位DAS，支持对16个通道进行双路同步采样。KY7616 采用5 V单电源供电，可以处理±10 V、±5 V和±2.5 V真双极性输入信号，同时每对通道均能以高达1MSPS 的吞吐速率和90.5 dB SNR采样。利用片内过采样模式可实现更高的SNR性能（过采样率 (OSR)为2时，SNR为92 dB）。

旷岳半导体8通道16位同步采样ADC，KY7606直接替代AD7606 旷岳KY7606采用5V单电源供电,可以处理±10V和±5V真双极性输入信号,同时所有通道均能以高达200kSPS的吞吐速率采样。输入掰位保护电路可以耐受最高达±16.5 V的电压。无论以何种采样频率工作，KY7606 P2P替代ADI的AD7606和Ti的ADS8588S。旷岳KY7606的模拟输入阻抗均为1MΩ。它采用单电源工作方式,具有片内滤波和高输入阻抗,因此无需驱动运算放大器和外部双极性电源。 KY7606抗混叠滤波器的3dB截止频率为22 kHz；当采样速率为200 kSPS时,它具有40 dB抗混叠抑制特性。灵活的数字滤波器采用引脚驱动,可以改善信噪比(SNR),并降低3 dB带宽。

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大普技术10M~100MHz恒温晶振（OCXO）大普技术10M~100MHz恒温晶振（OCXO）满足Stratum2/3E标准，广泛应用于电信（有线和无线通讯）、航空航天、雷达、工控、导航、测试和测量以及仪器仪表等。特性小型化高稳定性超低相位噪声宽温

Fujitsu富士通铁电存储器FeRAM（FRAM），RFID 富士通半导体存储器解决方案有限公司(FSM)隶属于富士通器件方案事业部大规模集成电路部门，主要开发销售系统存储和解决方案，包含FeRAM（FRAM），电阻RAM（ReRAM），碳纳米管的非易失RAM（NRAM）。其中FeRAM分车规级、工业级，常用于汽车，仪表，无电池应用，RFID等场景。四个重要特长非易失性电源关闭时存储的数据不会消失下电时不需要备用电池来保留数据快速写入速度启用无需擦除操作即可覆盖数据无需等待时间进行擦除/写入操作高读/写耐久性保证10万亿 (1013) 读/写周期是EEPROM读写耐久性的1000万倍低功耗没有用于写操作的升压电路比EEPROM减少92％的写入功耗没有为保持数据而需要的数据保持电流

大普技术超小型恒温晶振（SMD-OCXO）高稳定、小尺寸、低噪声、低功耗、低成本的SMD-OCXO是未来市场发展趋势大普通信高稳定、小尺寸、低噪声、低功耗、低成本的SMD-OCXO系列产品主要参数如下： 1、小尺寸： 2、高稳定性： ±3ppb（7.0*5.0*3.3mm、3.2*2.5*2.0mm） ±1ppb（9.0*7.0*3.9mm） 3、超宽温：工作温度范围有三个等级 -40℃~+85℃ -40℃~+95℃ -55℃~+105℃ 4、超低相噪和超低Jitter：超低相噪：@10MHz -88dBc/Hz@1Hz -123dBc/Hz@10Hz -148dBc/Hz@100Hz -160dBc/Hz@1KHz -170dBc/Hz@1MHz 超低Jitter：RMS 150fs 大普推出的超小型化SMD-OCXO，可以全面满足未来市场对高稳定、小尺寸、低噪声、低功耗、低成本的高端OCXO需求。

大普技术|恒温晶振（OCXO）大普通信恒温晶振（OCXO）10M~100MHz，温度稳定度最低±0.01 ppb 大普通信OCXO恒温晶振特性：超高稳定度、宽温、低相噪、低功耗、小型化，产品系列化。应用：有线通信无线通信电力专网工业控制仪器仪表等

ON安森美LV8548MC，LB1838M 安森美 LV8548MC-AH、LB1838M-TRM-E

ALTERA(现 INTEL PSG)常见FPGA型号产品系列 STRATIX 高端型号至今有 1 代 2 代 3 代 4 代 5 代 10 代（尚未批量） ARRIA 中端型号至今有 1 代 2 代 5 代 10 代（尚未批量） CYCLONE 低端型号至今有 1 代 2 代 3 代 4 代 5 代 10 代（尚未大批量） MAX CPLD（无需配置芯片）至今有 3000/7000/9000 系列 2 代 5 代 10 代 EPCS 配置芯片 ENPIRION ALTERA 2015 年收购的电源厂家

富士通MB85RS512T铁电存储器富士通MB85RS512T铁电存储器 DC一年内

最高3G SPS速率Pipeline ADC芯片，适用于卫星机顶盒、激光雷达等芯炽科技创始团队与核心技术骨干来自于国际一流的集成电路设计公司和制造公司，公司拥有完整的数模混合产品设计研发团队，近半数工程师拥有10年以上模拟研发经验。研发团队架构完成具备全架构ADC/DAC研发能力，以及各类运放、接口、时钟、LDO等模拟IP能力，可实现Pin to Pin研发，具备定制化集成模拟前端研发能力。

13.56MHz，富士通内置FRAM的RFID芯片MB89R118C 由于擦写速度快、耐擦写次数高，富士通内置FRAM的RFID芯片MB89R118C已经作为数据载体型被动 RFID 芯片而被全世界广泛采用。

独家MB85R256FPNF-G-JNERE2|富士通并行接口铁电存储器富士通FRAM铁电 MB85R256FPNF-G-JNERE2 •位配置:32,768字*8位 •读写耐力:1012次/字节 •数据保留:10年(@85 95.c)， 95年(@55 95.c)，超过200年(@35 95.c) •工作电源电压:2.7 V ~ 3.6 V •低功耗:工作电源电流5ma (typp) 待机电流5uA(输入) •工作环境温度范围:<s:1> 40ºC至+85ºC •包装:28针塑料TSOP(1) 通过无铅认证RoHS

纯国产，最高3G SPS速率Pipeline ADC，适合激光雷达上的采样应用纯国产Pipeline ADC芯片（SC1281、SC1282、SC1206、SC1207等）高速高精度，8~16位, 10MSPS~3GSPS 可以采集大带宽的输入信号，精度相对低与对标产品相比面积降低70%，功耗降低50%，高低温性能优越典型应用：通信、雷达、工业控制、仪器仪表、电子对抗、安防监控等应用场景激光雷达数字示波器卫星机顶盒通信系统

Fujitsu富士通铁电存储器MB85RS256B优势供应 MB85RS16，16Kb，2.7-3.6V，与FM25L16、FM25P16、FM25L04完全兼容 MB85RS64V，64Kb，3.0-5.5V，与FM25640、FM25040 完全兼容 MB85RS64，64Kb，27-3.6V，与FM25CL64完全兼容 MB85RS128B，128Kb，27-3.6V，与FM25V01完全兼容 MB85RS256B， 256Kb，2.7-3.6V，与FM25L256、FM25V02FM25W256完全兼容 MB85RS512T，512Kb，18-3.6V，与FM25V05和FM25W512完全兼容 MB85RS1MT1Mb，1.8-3.6V，与FM25V10完全兼容 MB85RS2MT: 2Mb，1.8-3.6V，与FM25V20、FM25H20完全兼容

RS232接口芯片：TPT3232E-TS3R、TPT3232E-SO3R、TP3232N-SR 模拟 RS232接口芯片：TPT3232E-TS3R、TPT3232E-SO3R、TP3232N-SR 模拟开关：TPT1256-SO1R 接口芯片：TPT75176HL1-SO1R 线性产品-运算放大器：TPA1881-TR、TP6004-TR、TP2582-SR 接口芯片-RS485：TP75176E-SR 线性产品-比较器：LM393A-SR

WIZnet以太网芯片W5500#以太网##W5500# WIZnet全硬件（TCP/ IP+MAC+PHY）以太网（W5500、W5300、W5100S等） l 独立于MCU运作 l 负载所有TCP/IP协议栈的处理过程 l 无需再调写软件，开发方便

Fujitsu 嵌入FRAM的RFID LSI 无线射频识别芯片 FRAM RFID MB89R118C • 抗金属，可在金属环境中使用。 • 可耐200度高温。 • 高速数据写入：可提高数据写入时的效率。 • 稳定的通信距离：低功耗模式写入工作，实现相同的读/写通信距离。 • 大容量内置存储单元：记录信息于电子标签，实现追溯应用所需的大容量内存单元。 • 读写工作的高耐久性：保证最高1万亿次的读/写工作，实现标签的长期使用和重复使用。 • 符合国际标准：富士通半导体RFID LSI产品系列符合ISO15693和ISO18000-3。