Ousemi
欧水镜ousemi
关注数: 34
粉丝数: 183
发帖数: 3,690
关注贴吧数: 48
KY32C07126光模块专用MCU,内置ADC、PLA等,完美替代aduc7126 KY32C07126、KY32C03126可软硬件直接替代ADuC7124BCPZ126、ADuC7126BSTZ126、ADuC7126BSTZ126I、ADuC7126BSTZ126IRL。 KY32C07126系列具有快速多通道12-bit逐次逼近型ADC,支持单端、差分和伪差分模式。ADC输入电压范围为0V至Vref,其中Vref可配置使用芯片Vrefpin,或片内2.5VBandGapReference。注意当配置为使用芯片Vrefpin提供ADC参考电压时,最大不超过AVDD5.5V。同时ADC可搭配温度传感器on-chipTemperatureSensor和电压比较器Voltagecomparator使用。
电力仪表,单三相电表方案应用专题
Fujitsu富士通2K内存,搭载FRAM的RFID的芯片MB89R118C MB89R118C1-DIAP15-P1 HF band 13.56MHz , 2Kbyte内存 ISOIEC15693通信规格 1万亿次 以上稳定擦写 储器构成该产品由内置2K字节FRAM的内部存储器、2K字节的用户区、48字节的系统区构成,存储器按照每8个字节为1个Block来分配Block号,用户区从00H到F9H共256Block,系统区从FAH到FFH共6Block。表1所示为存储器的构成。针对用户区的特定Block,可通过命令指定Block地址进行读写操作。但针对存放芯片固有ID(64位UID)和各Block安全状态(Lock与否)等的系统区,则只能进行读出操作不能写入。
SC1464国产替代AD7616、AD7606,可提供国产化证明 SC1464是一款16通道16bit 1MSPS采样速率双路同步采样ADC。SC1464采用5 V单电源供电,可以处理±10 V、±5 V和±2.5 V真双极性输入信号,同时每对通道均能以高达1MSPS 的吞吐速率和92dB SNR采样。 应用场景: 电力线路监测 保护继电器 多相电机控制 仪表和控制系统 数据采集系统(DAS) SC1467GCOUMZ -40~85℃ LQFP-64 SC1464KCOUMZ -40~125℃ LQFP-80
3peak车规芯片推荐TPU25401Q、TPS65R01Q、TPT1462Q TPU25401Q是一款集成5个Buck和5个LDO的PMIC,其输出电压、上下电时序均可自定义配置,适用于需要多路Buck和LDO的应用。其中Buck 1~Buck 4可提供0.6V~2.55V的可编程输出电压及最高4.5A的输出电流;Buck 5提供0.6V~3.8V的可编程输出电压及最高3.5A的输出电流。Buck 1和2、3和4可配置为双相合并模式以提供高达9A的输出电流。3路LDO每路可输出300mA电流,另两路LDO可输出10mA电流。同时,TPU25401Q还具有上电复位输出、输出电流限制保护、输出短路和过载保护以及过热保护等功能,采用48针6X6mm QFN封装,带散热焊盘以提高散热性能。
3peak新品TPE15017,集成PD检测+分类+反激式电源变换的PD产品 TPE15017是一个通过以太网(PoE)供电的设备(PD),集成PD接口和主动钳主侧调节(PSR)飞回电源转换器。该设备支持IEEE 802.3af标准接口和小型13-W隔离PoE应用程序的目标。 PD接口具有IEEE 802.3af的所有功能,包括检测、分类、涌入电流、运行电流限制和100-V热插拔MOSFET。
川土微工业伺服控制器方案推荐 一、RS-485/422通讯接口芯片: 3V-5.5V输入电压范围,多数据速率可选,1/8单位负载,±30kVESD保护,±15V共模电压范围和±30V故障保护电压范围。CA-IF4820HS、CA-IF4820HM、CA-IF4820HD、CA-IF4820FS、CA-IF4820FD、CA-IF4820FM。 二、隔离接口 川土微隔离接口类芯片,高达5KVRMS的隔离电压,支持高达±30V共模电压范围和±70V故障保护电压范围,速率支持1Mbps。 隔离CAN--CA-IS3050G、CA-IS3050W、CA-IS3050U、CA-IS3052W、CA-IS3052G。 替代TI和ADI的ISO1042DW、ISO1042DWV、ISO1050DU、ADM3050EBRIZ、ISO1050DW 隔离式RS-485/RS-422收发器--CA-IS3080WX、CA-IS3086WX、CA-IS3082WX、CA-IS3082WNX、CA-IS3088WX、CA-IS2082B。 替代TI和ADI的ISO3080DW、SO1412BDW、ADM2484E、ISO3082DW、ISO1410BDW、ADM2481、ADM2483、ISO3086DW、ADM2491E、ISO3088DW。
3peak新品PoE PD单芯片TPE15017兼容IEEE 802.3 af,替代MP8017 TPE15017产品特性 兼容IEEE 802.3 af 标准 100V 0.56Ω PD 输入热插拔 MOSFET开关 支持无辅助绕组原边反馈(PSR)有源钳位反激 支持光耦隔离副边反馈(SSR)有源钳位反激 集成0.36Ω反激控制MOSFET开关和 0.78Ω有源钳位MOSFET开关 高达650kHz的可编程开关频率 1.5A开关电流限制 PSR模式下输出二极管补偿 可编程软启动时间 启动和保护期间的频率折返 自动维持电源特性(MPS) 双重抖频功能降低EMI 打嗝OLP, OVP and OTP 工作温度范围:-40℃ 至 +125℃ 封装:QFN3X4-19-A
光伏逆变器方案推荐,光伏Heric逆变器 光伏T型逆变器 离网光伏逆 CA-IS3092W 该芯片是一款集成隔离DC-DC ,高达 5KVrms的隔离电压,速率支持500Kbps。 CA-IS3062W 该芯片是一款集成隔离DC-DC,高达 5KVrms的隔离电压,速率支持1Mbps。 CA-IS1311G是为电压检测而优化的高精度隔离式运放。低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。 CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动,MOSFET、IGBT和 SiC 器件。 CA-IS37XX系列高达 5KVRMS的隔离电压,支持最大150Mbps速率,低传播延迟和脉冲宽度失真,优异的电磁抗扰度,CMTI为±150kV/µs。 CA-IS3720HS、CA-IS3722HS、CA-IS3731HW、CA-IS3741HW、CA-IS3762HW CA-IS3050G 、CA-IS3052G、CA-IS3050U高达 5KVRMS的隔离电压,支持高达±30V共模电压范围和±70V故障保护电压范围,速率支持1Mbps。 CA-IS3082WX、CA-IS3080WX、CA-IS3088WX是具有高可靠性的隔离式全/半双工RS-485 收发器系列产品,同时具有高电磁抗扰度和低辐射特性 CA-IF4850HS、CA-IF4820HS,3V-5.5V输入电压范围,多数据速率可选,1/8单位负载,±30kV ESD 保护,±15V共模电压范围和±30V故障保护电压范围。 CA-IF1051兼容标准CAN封装,±6kV ESD 保护,±30V共模电压范围和±58故障保护电压范围。光伏T型逆变器
采用铁电FRAM代替EEPROM和闪存的优势 1.性能改进 由于快速的写入速度,即使在突然停电的情况下,FeRAM可以保存写入数据。不仅如此,FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,从而比FeRAM消耗更多的功率。因此,通过使用FRAM,在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。 总之,FeRAM可以: 在突然停电时FeRAM可以保存写入数据 可以进行频繁的数据记录 可以延长电池供电设备的电池寿命 2.降低总成本 在工厂中将参数写入每个产品的情况下,由于FeRAM与EEPROM和闪存相比可以缩短写入时间,因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外,FeRAM可以为您提供单一芯片解决方案从而代替多芯片解决方案,例如,由EEPROM + Flash组成的两个芯片方案,或由EEPROM + SRAM +电池组成的三个器件方案。 缩短在每个产品中写入参数的总时间 减少最终产品中使用的元器件数量
3peak运放TP2434-SR、TP2584-SR、TP6004-SR、TPA1881-TR、TPL810 3peak运放芯片: TP2434-SR、TP2584-SR、TP6004-SR、TPA1881-TR、TPL810F50-3TR、TP2012-SR
富士通MB89R118C内涵铁电的无限擦写RFID芯片 MB89R118C1-DIAP15-P1 MB89R112A1-DIAP15-JNP1 MB89R119B1-DIAP15-JNP1
漏电保护芯片SMST54123、SJWCH54123A、SJWCH5147B、SJWCH5159、 SMST54123,AC型漏电保护芯片,工作电压10-28V,封装SOP8/DIP8/SIP8 SJWCH54123A,A型漏电保护芯片,工作电压5V,封装SOP8 SJWCH5147B,增强型A型漏电保护芯片,工作电压5V5V,封装SOP8 SJWCH5159,带自检功能的智能漏电保护芯片,工作电压5V,封装TSSOP14 SJWCH5145,低功耗接地故障断路芯片,工作电压26V,封装SOP8 SJWCH5146,接地故障断路芯片,工作电压12-18V,封装SOT23-6 SJWCH54133,延迟时间可调的高速对地漏电保护芯片,工作电压7-12V,封装SOP16
川土微5kVRMS 隔离式全双工/半双工485芯片CA-IS3082WX CA-IS3080, CA-IS3082, CA-IS3086, CA-IS3088隔离式 RS-485/RS-422 收发器在总线侧与控制器侧(逻辑侧)之间提供高达 5kVRMS 的电气隔离。这些器件具有 150kV/μs 的共模瞬态抗扰度,支持 20Mbps(CA-IS3088)或 0.5Mbps(CA-IS3080/CA-IS3082)的数据传输速率。
川土微5kVRMS半双工隔离RS485收发器CA-IS3082WX CA-IS3080, CA-IS3082, CA-IS3086, CA-IS3088器件的驱动器输出具有限流保护,在共模电压范围内,一旦发生驱动器输出短路到正压或负压,驱动器将限制输出电流,此时有可能消耗较大的电源电流使芯片结温升高,触发热关断功能,为输出短路提供了二次防护。CA-IS3080/86 的共模电压为–15V 至+15V,CA-IS3082/88 的共模电压为–7V 至+12V。 已通过IEC 62368-1和 IEC 61010-1 的5kVRMS增强绝缘认证
3peak新品TPE15017,兼容IEEE 802.3 af协议,高集成度PoE PD单芯 TPE15017是一颗单芯片高度集成PD检测+分类+反激式电源变换的PD产品,兼容IEEE 802.3 af协议,适用于功率小于13W的PoE供电产品,带自动维持电源特性(MPS)功能,确保任何负载下均可以和PSE保持连接;内置反激电源可配置为PSR原边反馈和SSR副边反馈工作模式,反激控制器采用有源钳位控制模式,可利用变压器原边漏感的能量,提高效率;同时可配置最高650kHz开关频率,支持EP7小尺寸双绕组变压器。芯片具备双重抖频功能,有效提高EMI设计裕量。 Ordering PN:TPE15017-QF5R MPQ:Tape and Reel,3000
第一次,食指大动,到了9级 以前很多次做到了8级,感觉到9级好难。
羡慕啊,他们怎么搞得这么多化身? 要氪金才能做到吧?还是他们是内测玩家?
请教一下大家,这个页面在哪里打开? 之前在 微信游戏圈里面的帖子上看到的,不知道哪里可以打开这个页面
富士通车规级铁电存储器SPI接口 (用于高可靠性应用,符合AEC-Q100 富士通车规级SPI接口铁电存储器 (用于高可靠性应用,符合AEC-Q100可靠性实验标准) MB85RS4MTY(AEC-Q100) MB85RS4MLY(AEC-Q100) MB85RS2MTY(AEC-Q100) MB85RS2MLY(AEC-Q100) MB85RS512TY(AEC-Q100) MB85RS512LY(AEC-Q100) MB85RS256TYA(AEC-Q100) MB85RS256TY(AEC-Q100) MB85RS256LYA(AEC-Q100) MB85RS128TY(AEC-Q100) MB85RS64VY(AEC-Q100)
FeRAM铁电存储器有哪些阵容 串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外,正在扩充1.8V工作产品。封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外,还提供可穿戴设备用SON(Small Outline Non-leaded package)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封装形式的产品。 同时,使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器。在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中,并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。
什么是FeRAM铁电存储器 FeRAM铁电存储器是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。 是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FeRAM的数据保持,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 本宏科技代理品牌富士通半导体的FRAM铁电存储器从开始交付给工业市场已超过22年。 因此,富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。
MB89R118C1-DIAP15-P1 富士通MB89R118C 属于富士通无源物联网方案芯片,内置FRAM存储,容量2K, 优点在于抗干扰能力强,擦写次数达到1万亿次以上,抗辐射,抗高温等。 详细ordering型号MB89R118C1-DIAP15-P1
CS5532-BSZ、CS5532-ASZ特性 斩波稳定 PGIA CS5532-BSZ、CS5532-ASZ规格参数 吞吐量(每秒采样率):6.25-3840 积分线性(滿刻度百分比):0.0007 差分线性(± 最低有效位):NMC 通道:2 功耗 (mW):35 封装:20 SSOP
Cirrus Logic 带超低噪音的24位ADC,CS5532-ASZ和CS5532-BSZ CS5532为实现与微控制器进行通信,此类转换器包含带施密特触发器输入 (SCLK) 的简易 3 线串行接口(可与 SPI 和 Microwire 兼容)。高动态范围、可编程输出率和灵活的电源选项使这些模/数转换器成为秤盘和过程控制应用的理想解决方案。 CS5532-BSZ、CS5532-ASZ特性 斩波稳定 PGIA(1x 至 64x) 64x、0.1 Hz 时 6 nV/√Hz(无 1/f 噪音) 500 pA 输入电流,增益 >1 Delta Sigma模/数转换器 线性误差:0.0007% FS
富士通铁电存储RFID芯片MB89R118C1-DIAP15-P1 富士通MB89R118C1-DIAP15-P1 RFID+FRAM 富士通中国区sales
Fujitsu RFID芯片MB89R118C、MB89R119B 富士通13.56HZ,内置FRAM的RFID芯片(晶圆形式、无封装),适用于工业自动化、光伏等领域RFID读写标签上。 MB89R118C1-DIAP15-P1 MB89R119B1-DIAP15-JNP1
富士通铁电、RFID+FRAM,MB85RC16、MB85RS256、BMB89R118C F-RAM 拥有无限耐用性与其实时性、非易失性、高吞吐量和可靠的数据捕获相结合,使其成为针对汽车和工业应用中高性能数据记录的非易失性存储器的强大选择。 由于F-RAM在各种掉电事故中,都能保证数据能存下来,确实是一种很好的存储器选择。 MB85R8M1TAMB85R8M1TAFN-G-JAE2,MB85R8M1TABGL-G-JAE1 MB85R8M2TAMB85R8M2TAFN-G-JAE2,MB85R8M2TABGL-G-JAE1 MB85R8M2TMB85R8M2TPBS-M-JAE1 MB85R4M2TMB85R4M2TFN-G-JAE2 MB85R4001AMB85R4001ANC-GE1 MB85R4002AMB85R4002ANC-GE1 MB85R1001AMB85R1001ANC-GE1 MB85R1002AMB85R1002ANC-GE1 MB85R256FMB85R256FPFCN-G-BNDE1 MB89R118C1-DIAP15-P1
川土微应用在PLC/伺服器上的方案推荐 一、RS-485/422通讯接口芯片:CA-IF4820HS、CA-IF4820HM、CA-IF4820HD、CA-IF4820FS、CA-IF4820FD、CA-IF4820FM。 二、隔离接口川土微隔离接口类芯片,高达5KVRMS的隔离电压,支持高达±30V共模电压范围和±70V故障保护电压范围,速率支持1Mbps。 隔离CAN--CA-IS3050G、CA-IS3050W、CA-IS3050U、CA-IS3052W、CA-IS3052G。 隔离式RS-485/RS-422收发器--CA-IS3080WX、CA-IS3086WX、CA-IS3082WX、CA-IS3082WNX、CA-IS3088WX、CA-IS2082B。
适用配电产品上FTU/DTU,国产替代AD7616,16通道16位同步采样 SC1464输入箝位保护电路可以耐受高达±30 V的电压。无论以何种采样频率工作,SC1464的模拟输入阻抗均为1 MΩ。它采用单电源工作方式,具有片内滤波和高输入阻抗,因此无需驱动运算放大器和外部双极性电源。SC1464 P2P直接替代ADI的AD7616和Ti的ADS8686S。
国产16位500MSPS采样速率DAC,芯动神州DAC2163直接替代AD9783 DAC2163具有高动态范围、16位分辨率、双通道数模转换器(DAC),采样速率最高可达500 MSPS。DAC2163具有适合直接变频传输应用的特性,其中包括增益与失调补偿,而且能够与模拟正交调制器无缝连接。 应用领域 无线基础设施:WCDMA, CDMA2000, TD-SCDMA, WiMAX 宽带通信:LMDS/MMDS, 点对点 仪器仪表:射频(RF)信号发生器、任意波形发生器
DAC2163国产替代AD9783,16位500M采样速率DAC DAC2163LFP-500 –40°C到+85°C 72-QFN 168/托盘 产品特色 1.利用低噪声与交调失真 (IMD) 特性,宽带信号可实现高质量合成。 2.专有开关输出可以增强动态性能。 3.可编程电流输出与双辅助 DAC 既提供灵活性,同时增强系统功能。 应用领域 无线基础设施:WCDMA, CDMA2000, TD-SCDMA, WiMAX 宽带通信:LMDS/MMDS, 点对点 仪器仪表:射频(RF)信号发生器、任意波形发生器
国产16bit旋变数字转换器SC2161替代AD2S1210 SC2161是一款10位至16位分辨率旋变数字转换器,集成片上可编程正弦波振荡器,为旋变器提供正弦波激励。 兼容AD2S1210,替换方便。 转换器的正弦和余弦输入端允许输入3.15 Vp−p±27%、频率为2 kHz至20 kHz范围内的信号。Type II 伺服环路用于跟踪输入信号,并将正弦和余弦输入端的信息转换为输入角度和速度所对应的数字量。最大跟踪速率为 3125 rps。 SC2161GCOUMY SC2161KCOUMY SC2161KCOWMY
Fujitsu FRAM富士通铁电存储器 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RS64TPNF-G-JNERE2 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RS256BPNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC04PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS128BPNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1
Fujitsu 内置FRAM的 MB89R118C MB89R118C高速写入、大容量
Fujitsu超稳定性、无限次擦写的RFID芯片MB89R118C,MB89R119B 富士通MB89R118C,内置FRAM。 HF高频段产品 MB89R118C,MB89R119B ISO/IEC15693 18000-3/模式兼容; 高速写入、大容量存储器; 特质命令的高速读出; 优越的耐伽玛辐射性; 防碰撞机能; 高输入容量(96PF),标签的小型化可能;
KY32C07126、KY32C03126光模块专用MCU,内置ADC、DAC、运放、比 KY32C07126、KY32C03126光模块专用MCU,内置ADC、DAC、运放、比较器、PLA等,完美替代aduc7126、aduc7124。 KY32C07126、KY32C03126系列内核为32-bitRISC处理器架构,系统频率64MHz,片内集成有32KB SRAM和126KB非易失性Flash存储器,工作电压范围为2.7V至5.5V,芯片采用国产车规工艺,额定温度范围为−55°C至+125°C。
KY32C07126、KY32C03126是一款完全集成的1 MSPS、12位数据采集系 KY32C07126、KY32C03126是一款完全集成的1 MSPS、12位数据采集系统,在芯片内集成高性能多通道ADC、32位MCU和Flash/EE存储器。 KY32C07126系列具有16路12-bitADC单端输入通道,其中4个ADC输入通道和4个DAC的输出通道复用引脚。ADC可以工作在单端或差分模式下。ADC输入电压范围为0V至VREF(VREF可配置片外和片内参考,最大不超过AVDD5.5V)。同时ADC可搭配低漂移带隙基准电压源、温度传感器和电压比较器等外设使用。
亿存芯EEPROM主要推广型号列表 存储容量 接口类型 封装形式 推广型号 样品情况 2048K bits I2C SOP8 TD24CM02-SLPTR 有 1024K bits I2C SOP8 TD24CM01-SLPTR 有 512K bits I2C SOP8 TD24C512-SLP1TR 有 512K bits I2C SOP8 TD24C512-SLPTR 有 512K bits I2C TSSOP8 TD24C512-TLPTR 有 256K bits I2C SOP8 TD24C256-SLP1TR 有 256K bits I2C TSSOP8 TD24C256-TLP1TR 有 256K bits I2C UDFN8 TD24C256-ULPTR 有 128K bits I2C SOP8 TD24C128-SLP1TR 有 128K bits I2C UDFN8 TD24C128-ULP1TR 有 64K bits I2C SOP8 TD24C64-SLP1TR 有 64K bits I2C TSSOP8 TD24C64-TLP1TR 有 32K bits I2C SOP8 TD24C32-SLPTR 有 16K bits I2C SOP8 TD24C16-SLPTR 有 16K bits I2C TSSOP8 TD24C16-TLPTR 有 08K bits I2C SOP8 TD24C08-SLP1TR 有 08K bits I2C TSSOP8 TD24C08-TLP1TR 有 04K bits I2C SOP8 TD24C04-SLP1TR 有 02K bits I2C SOP8 TD24C02-SLP1TR 有 02K bits I2C TSSOP8 TD24C02-TLP1TR 有 02K bits I2C UDFN8 TD24C02-ULP1TR 有 02K bits I2C SOT23-5 TD24C02-OLP0TR 有 2048K bits SPI SOP8 TD25CM02-SLPTR 有 1024K bits SPI SOP8 TD25CM01-SLPTR 有 512K bits SPI SOP8 TD25C512-SLPTR 有 512K bits SPI UDFN8 TD25C512-ULPTR 有 256K bits SPI SOP8 TD25C256-SLP1TR 有 256K bits SPI TSSOP8 TD25C256-TLP1TR 有 128K bits SPI SOP8 TD25C128-SLP1TR 有 128K bits SPI UDFN8 TD25C128-ULP1TR 有 64K bits SPI SOP8 TD25C640-SLPTR 有 64K bits SPI TSSOP8 TD25C640-TLPTR 有
CA-IS2092A为隔离式半双工RS-485收发器 兼容RS-485EIA/TIA-485标准并提供更高的性能指标 数据速率最高0.5Mbps 1/8单位负载,支持多达256个总线节点 3.0V至5.5V逻辑侧DC-DC供电范围(VDDP) 2.5V至5.5V逻辑侧RS-485供电范围(VDDL) 集成DC-DC转换器为总线侧供电
CA-IS2092A内置隔离DC-DC转换器的隔离式RS-485收发器 CA-IS2092A产品用于支持多节点数据通信,总线侧引脚具有±8kVHBMESD保护。接收器输入阻抗为1/8单位负载,允许同一总线上挂接256个收发器。CA-IS2092A为半双工收发器,可通过器件的接收使能与发送使能引脚控制收发状态,支持最高0.5Mbps的通信速率。CA-IS2092A将逻辑侧DC-DC供电和RS-485收发器供电分开,便于逻辑侧与低压控制电路的信号交互。
CA-IS2092VW,CA-IS2092W内置隔离DCDC的的隔离式RS-485收发器 CA-IS2092W,CA-IS2092VW器件具有高绝缘能力,有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端,从而干扰或损坏敏感电路。高CMTI能力可以保证数字信号的正确传输。CA-IS2092W,CA-IS2092VW器件采用16引脚宽体SOIC封装,支持绝缘耐压高达2.5kVrms。
川土微CA-IS3105W,5KVRMS耐压隔离DC DC转换器 CA-IS3105W是一款支持5KVRMS隔离耐压的DC-DC转换器芯片,集成片上变压器,能够高效率传输大于650mW功率到副边输出。该芯片采用特有控制架构,能够快速响应负载变化,并且精确调节输出电压。CAIS3105W的出现可替代传统分立器件组建的隔离电源方案。该方案物理尺寸更小,且能够实现完全隔离。 应用 •工业自动化控制系统 •电机控制 •医疗设备 •电网基础设备 •测试和测量仪器
Cirrus CS5480SG-INZR AD转换芯片,直流/交流充电桩都适用 CS5480SG-INZR 1、出色的模拟性能,超低噪声水平和高SNR 4000:1动态范围内的能量测量精度为0.1% 在1000:1动态范围内,电流RMS测量精度为0.1% 3个独立的24位,四阶Delta Sigma调制器,用于电压和电流测量 3个可配置的数字量输出,用于能量脉冲,零交叉或能量方向 支持分流电阻,CT和Rogowski线圈电流传感器 过电流,电压骤降和电压骤升检测 UART / SPI串行接口 通过校验和和写保护进行内部寄存器保护 片内基准电压(典型值为25 ppm /°C) 3.3V单电源 低功耗:<13mW CS5480:4mm x 4mm 24引脚QFN封装 CS5480SG-INZ、CS5480-INZ适合需要高精度电能计量的任何应用,同时价格非常低。
原装cirrus Logic电能计量芯片CS5480SG-INZR、CS5463-ISZR Cirrus原装现货: CS5480SG-INZR、CS5480-INZR CS5463-ISZR、CS5550-ISZ、CS5460AK-BSZ、CS5460A-BSZ、CS5550-ISZ、CS5530-ISZR、CS5532-BSZ、CS5550K-ISZ
美标充电桩用计量芯片,Cirrus 三通道电能计量芯片CS5480SG-INZR 原装CS5480SG-INZR 美国Cirrus Logic 三相电能计量芯片,适合充电桩上。 CS5480SG-INZ是一种高精度、三通道、能量传感器测量模拟前端。 CS5480SG-INZ合并了独立的4小时顺序,德尔塔Sigma每个通道的模数转换器,参考电路以及经过验证的EXL信号处理核心有功、无功和表观能的测量。 出色的模拟性能,超低噪声水平和高SNR 4000:1动态范围内的能量测量精度为0.1% 在1000:1动态范围内,电流RMS测量精度为0.1% 3个独立的24位,四阶Delta Sigma调制器,用于电压和电流测量 3个可配置的数字量输出,用于能量脉冲,零交叉或能量方向 支持分流电阻,CT和Rogowski线圈电流传感器 过电流,电压骤降和电压骤升检测
富士通超高频UHF band 860 to 960MHz RFID MB97R8050 富士通嵌入铁电FRAM的RFID芯片 MB97R8050-AP15-ES 36 byte(128bit))容量 通信规格 ISO/IEC18000-63EPC C1G2Ver.1.2.0 100亿次耐久擦写 MB97R8050
富士通ISO/IEC15693 RFID MB89R118C1-DIAP15-P1 Fujitsu富士通内涵FRAM的RFID芯片 ISO/IEC15693通信规格 HF band13.56MHz 频率 MB89R112A1-DIAP15-JNP1 MB89R118C1-DIAP15-P1 MB89R119B1-DIAP15-JNP1
富士通RFID芯片,IEC15693协议,内涵FRAM的MB89R118C、MB97R8050 富士通Fujitsu RFID 无线射频识别LSI / 无源(无电池)解决方案 嵌入FRAM的 RFID LSI 的优点是存储器密度大,数据写入速度快,擦写次数1万亿次。 通信规格:ISO/IEC18000-63EPC C1G2Ver.1.2.0 UHF band860 to 960MHz MB97R8110 MB97R8120 MB97R8050 通信规格:ISO/IEC15693 HF band13.56MHz MB89R112 MB89R118C MB89R119B
ST意法半导体MCU型号STM32F072RBT6 ST MCU,STM32F072RBT6,价格和交期 非常好。
本宏电子ST MCU,型号STM32F072RBT6 Core: ARM® 32-bit Cortex®-M0 CPU, frequency up to 48 MHz • Memories – 64 to 128 Kbytes of Flash memory – 16 Kbytes of SRAM with HW parity STM32F072RBT6广泛的应用:应用控制和用户界面,手持设备,A/V接收器和数字电视,PC外设,游戏和GPS平台,工业应用,plc,逆变器,打印机,扫描仪,报警系统,视频对讲和暖通空调。
ST MCU STM32F072RBT6 我有ST原厂支持的特价和货源 Core: ARM® 32-bit Cortex®-M0 CPU, frequency up to 48 MHz • Memories – 64 to 128 Kbytes of Flash memory – 16 Kbytes of SRAM with HW parity • CRC calculation unit • Reset and power management – Digital and I/O supply: VDD = 2.0 V to 3.6 V – Analog supply: VDDA = VDD to 3.6 V – Selected I/Os: VDDIO2 = 1.65 V to 3.6 V – Power-on/Power down reset (POR/PDR) – Programmable voltage detector (PVD) – Low power modes: Sleep, Stop, Standby – VBAT supply for RTC and backup registers • Clock management – 4 to 32 MHz crystal oscillator – 32 kHz oscillator for RTC with calibration – Internal 8 MHz RC with x6 PLL option – Internal 40 kHz RC oscillator – Internal 48 MHz oscillator with automatic trimming based on ext. synchronization
CS1256芯海带人体阻抗测量模块BIM功能 CS1256 包含 1 路 ADC 信号链和 1 个人体阻抗测量模块(BIM),其中 ADC 信号链由输入MUXP/MUXN、可编程低噪声增益放大器(PGA)、Sigma-delta ADC 以及数字滤波器 Digital Filter 等组成。MUXP/MUXN 具有 3 个内部输入通道,PGA 和 ADC 具有多种增益选择,数字滤波器可配置为多种输出速率。人体阻抗测量模块采用正弦激励源,将人体阻抗转化为电压信号送到 ADC 信号链进行测量,支持多电极、多频率人体阻抗测量。
纳芯微隔离芯片在工业自动化(工业电机驱动产品)中的应用案例 相关产品: • 隔离驱动:NSI6801 • 隔离放大器:NSI1200/NSI1300/NSI1311 • 隔离 ADC: NSI1306 • 数字隔离:NSI8241/NSI8231/NSI8221 • 隔离接口:NSI83085E/NSI1050/NSI1042 • 非隔离 CAN:NCA1042
富士通功率继电器,汽车继电器,信号继电器 富士通继电器功率继电器FTR-K1AK024T,FTR-K3AB012W-PV汽车继电器FBR582ND24-W,信号继电器FTR-B3GA4.5Z-B10,
富士通铁电FRAM,MB85RS256B、MB85RS512T、MB85RS2MT 富士通铁电存储器MB85RS256B,容量256Kbits(32KB),2.7~3.6V电压,待机电流9uA,读写频率33MHz,擦写次数1万亿次,85℃温度下可保存10年,常温下可保存200年,SOP-8封装。 兼容替代Cypress的FM25V02A、FM25W256、FM33256B、CY15B256Q 富士通MB85RS512T,替代FM25V05 富士通MB85RS2MT,替代FM25V20A
华大MCU,HC32F005C6UA、HC32F005C6PA 32MHz Cortex-M0+ 32 位 CPU 平台 HC32F003 系列 / HC32F005 系列具有灵活的功耗管理系统 – 5μA @ 3V 深度休眠模式:所有时钟关闭,上电复位有效,IO 状态保持,IO 中断有效,所有寄存器、RAM 和 CPU 数据保存状态时的功耗 – 10μA@32kHz 低速工作模式:CPU 和外设模块运行中,从 Flash 运行程序 – 30μA/MHz@3V@16MHz 休眠模式:CPU 停止工作,外设模块运行,主时钟运行 – 150μA/MHz@3V@16MHz 工作模式:CPU 和外设模块运行,从 Flash 运行程序 – 4μs 低功耗唤醒时间,使模式切换更加灵活高效,系统反应更为敏捷 – 上述特性为室温下典型值,具体的电气特性,功耗特性参考电气特性一章 Flash 存储器,具有擦写保护功能 – HC32F003 系列支持 16K 字节 Flash – HC32F005 系列支持 32K 字节 Flash HC32F005C6UA-SFN20TR HC32F005C6UA-ZFN20TR HC32F005C6PA-SOP20 HC32F005C6PA-TSSOP20 HC32F005C6PB-TSSOP20 HC32F005C6PA-TSSOP20TR HC32F005D6UA-QFN24TR HC32F003C4UA-SFN20TR HC32F003C4PA-SOP20 HC32F003C4PA-TSSOP20 HC32F003C4PB-TSSOP20 HC32F003C4PA-TSSOP20TR
华大MCU(小华)HC32F005系列32 位 ARM® Cortex®-M0+ 微控制器 HC32F005 系列是 Low Pin Count、宽电压工作范围的 MCU。集成 12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件,支持 C 语言及汇编语言,汇编指令。 典型应用: 小家电,充电器,重合闸,遥控器,电子烟,燃气报警器,数显表,温控器,记录仪等行业 智能交通,智慧城市,智能家居 火警探头,智能门锁,无线监控等智能传感器应用 电机驱动
MB85RS256BPNF-G-JNERE1 富士通铁电存储器,MB85RS256BPNF-G-JNERE1 容量256Kbits(32KB),2.7~3.6V电压,待机电流9uA,读写频率33MHz,擦写次数1万亿次,85℃温度下可保存10年,常温下可保存200年,SOP-8封装。 兼容替代Cypress的FM25V02A、FM25W256、FM33256B、CY15B256Q等 交期:一周内
TERA7126国产芯片完美替代ADUC7126 TERA32C07126 pin to pin替代ADI的aduc7126和aduc7124,功能替代aduc7023 TERA7126是一款完全集成的1 MSPS、12位数据采集系统,在芯片内集成高性能多通道ADC、32位MCU和Flash/EE存储器 12位 1 MSPS ADC 多达16个ADC通道 12位电压输出DAC 提供4个DAC输出 可编程逻辑阵列(PLA) 16个PLA元件 SRAM Size(KB) :32 Flash Size(KB):126 32位RISC架构
首页
1
2
3
4
下一页