明天真的不熬夜了
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泰科 | 这些王牌电力产品,你真的足够了解吗 近期,TE Connectivity(以下简称“TE”)参与了某沿海地区的线路改造项目,我们的瑞侃 (Raychem) APKJ 中压热缩中间接头和 APKT 中压热缩电缆终端再次在这个项目中“大显身手”。近期,TE Connectivity(以下简称“TE”)参与了某沿海地区的线路改造项目,我们的瑞侃 (Raychem) APKJ 中压热缩中间接头和 APKT 中压热缩电缆终端再次在这个项目中“大显身手”。 熟悉 TE 瑞侃的客户,对我们的王牌热缩技术一定不会陌生,但它们的优势性能你是否全然了解呢? 开头提到的线路改造项目,当时面临一大难题-“渗水”。已经使用多年的电缆因为老化导致容易进水,却又无法即刻更换,承载电缆的管道井也存在常年积水的问题,即使动用抽水设备,只能起到一时的作用,也无法彻底排干净。 因此,在这个项目中,“水”成为了影响电缆正常运作的一大挑战。 瑞侃 (Raychem) APKJ 中压热缩中间接头能够在这个项目中成为当仁不让的不二选择,很重要的一点在于其超强的防水能力,使其在这类环境下能展现“顽强生命力”。这款接头具备多重防水工艺,在这些容易发生积水、渗水的环境中,依旧可以无后顾之忧的安装使用。 优异的防水性能背后源于多重工艺保护,相当于给产品罩上了防水“金钟罩” 1. 内、外护套均采用内壁涂覆热熔胶的拉链管,实现接头整体全封闭式防水2. 热缩红黑绝缘管两处端部内缠绕热熔胶,通过加热再冷却后热熔胶融化再凝固的状态实现关键绝缘部位的端部阻水 3. 红黑绝缘管最内层为硅橡胶弹性体,通过红黑绝缘管收缩后硅橡胶弹性体的抱紧力实现关键绝缘部位的纵向防水 4. 导体接管的黄胶实现导体位置的阻水在这样的层层保护下,APKJ 中压热缩中间接头自然也可以不惧积水环境,能可靠的为电力设备提供保护。 除了这种潮湿多水的环境,还有一些我们察觉不到的环境,在日积月累的作用力下,也会对电力设备形成侵蚀,比如风吹日晒、高温、长期紫外线照射、风沙、盐雾环境等。 而在这类环境下,APKT 中压热缩电缆终端的稳定性能和长期运行寿命已得到众多验证。在这次的项目中,考虑到电缆已经存在老化问题,因而会更需要自身具备强劲实力,可以充分应对严苛环境的电缆附件产品,从而给电网的稳定运行上一把“安心锁”。 除了这些卓越的性能优势,我们的热缩电缆附件产品安装非常方便、快捷,可以缩短安装时长,也避免了由于复杂的安装要求而导致的安装不当。 找元器件就上唯样商城
泰科手工工具,压接工具中的“孤勇者” TETE手工工具,压接品质与舒适的完美结合。要实现线束端子的精准压接 你会想到什么!?细致耐心的工作态度?还是老道丰富的压接经验?Anything else. .. ?没错,以上都很重要但选择一把容易上手的压接工具也尤为关键今日推荐唯样代理的TE泰科手工工具助您实现既高效又高质量的压接工作! 首先看外观。如下面这几款工具,作为TE大厂出品的工具,外观颜值必须在线,经得住大众眼光的考验。每一个弧度都经过精心考量,符合人体力学的精妙设计,整体外形流畅,线条优美,整体释放出来的现代感和科技感,使得它在同类工具中极为抢眼。其次看质量。如果你选择了一个工具,你肯定希望它的使用寿命能够拉到最长,而不是用几次就“故障夭折”。在这方面,泰科拥有令人信任的过硬质量,TE手工工具采用优质材料制造,经过质量控制和多种环境下严格的测试,确保其能够长时间稳定运行,外加众多全球一线工程师的亲身体验,您可以放心使用它进行压接加工,而无需担心工具的质量问题。更令人放心的是,作为泰科在国内有售后服务的代理商,唯样也可提供维修服务保障!最后看“功效”。众所周知,完成高质量的压接离不开工具的正确使用,好的工具可以让工作效率事半功倍。市面上的压接工具有很多,为什么推荐TE工具呢?综合来看,泰科的手工工具主要有以下优点: (1)高效可靠:TE手工工具的设计考虑了用户的操作习惯和人体工学原理,使得操作过程更加顺畅和高效,一次压接即可轻松压接到位,操作者可轻松掌握使用方法,短时间内即可完成压接加工任务。 (2)便捷小巧:TE手工工具体积小巧、重量轻便,携带方便,无论您是在实验室还是在户外,都可以进行压接加工,随时使用它来解决问题。 (3)符合人体力学的精妙设计:经过严谨的考量,TE手工工具的设计充分考虑到了用户的手感和使用舒适度,它的手柄根据人体力学设计,让使用者的手部肌肉能得到更好的放松,压接过程更省力。 (4)多系列型号可选择:TE手工工具有多种类型可供选择,包括商用系列、CERTI-CRIMP系列【适用于航空航天工业领域】等,可以满足不同用户的需求。无论您是需要进行商业应用还是个人DIY,都能找到适合自己的型号。 如果您正在寻找一款优质的压接工具,那么TE手工工具必是一个值得选择的方案。如果您有任何产品方面的需求欢迎垂询唯样。 找元器件就上唯样商城
新品来袭!5mm power key 表面贴装连接器,让装配更高效! - 如果,你在苦恼由于焊接桥接导致的连接故障风险 如果,你受困于错误插配导致的装配低效…… TE Connectivity(以下简称“TE”)表面贴装产品的“新成员”——5mm power key 表面贴装连接器,让上述问题都妥妥得到解决!眼下各种设备在空间不变的前提下,却需要不断纳入更多的功能,自动化组装的需求也在提升,这款新品连接器将为使用自动化装配构建紧凑型 PCB 系统的制造商提供高效、可靠的解决方案。优势特点 1. 表面贴装技术 (SMT):支持自动拾取和表面贴装流程,帮助实现高效PCB 组装; 2. 提高装配效率,减少错误插配:提供多种颜色和键控选项,有助于识别不同配置并防止错误配接;3. 紧凑设计:21毫米的低配接高度和隐藏式 SMT 引脚设计使紧凑型 PCB 系统的设计更具灵活性,且外壳中的间隙便于检查引脚焊接情况; 主要应用空调洗衣机暖通空调机械控制智能楼宇安全系统 更多特性 电气 • 最大适用电流: 10 安培 • 额定电压: 300 伏交流 机械 • 间距 (毫米): 5 • 位数: 2/4/6 材料 • 工作温度 (oC): -40 至 +105 • 外壳阻燃等级: UL 94 V-0 和 GWT • 线径尺寸: 16-24AWG 标准和规格 • 产品规格: 108-106528 • 应用规格: 114-5292 找元器件就上唯样商城
新型硅 PIN 光电二极管,提高在生物医学应用中的灵敏度 威世Vishay 推出一款新型硅PIN光电二极管,在可见 / 近红外波长下,该器件可为心率和血氧监测等生物医学应用领域提供更高的灵敏度。 新型硅 PIN 光电二极管 主要特性包括 6.0 mm2 的更大感光面积 更高的反向光电流和 4.8 mm x 2.5 mm x 0.5 mm 的小体积 Vishay 推出一款新型硅PIN光电二极管,在可见 / 近红外波长下,该器件可为心率和血氧监测等生物医学应用领域提供更高的灵敏度。与前几代解决方案相比,最新推出的 VEMD8082 具有更高反向光电流、更低二极管电容以及上升和下降时间更快的特点。此外,器件体积小至 4.8 mm x 2.5 mm x 0.5 mm,适合集成到智能手表等轻薄设备中。VEMD8082 的高灵敏度典型应用于生物医学应用领域,例如光电容积脉搏波(PPG),其中,光电二极管用于通过测量血管吸收或反射的光量来检测血容量和流量变化。在这些应用领域,精确测量对于诊断和监测心血管病等疾病至关重要。 与上一代相比,新器件因其 6.0 mm2 的辐射敏感面积和反向光电流增加 18 % - 20 %(视波长而定)而具备高灵敏度。二极管电容从 50 pF 降至 46 pF,而且上升时间更快,从 110 ns 缩短到 40 ns,从而可实现更高采样率。 找元器件就上唯样商城
TDK的紧凑型门极驱动变压器 T紧凑型门极驱动变压器 TDK爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,有两款元件。该元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车(经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求)和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。元件绕组的圈比为1:1.08 (B78541A2467A003) 或1:1.07:0.6 (B78541A2492A003),具体视型号而定。凭借低至4 pF的耦合电容,这种SMT变压器还适用于SiC或GaN半导体应用。 通过结合相对耐漏电起痕指数 (CTI) ≥600 V的高性能塑料材料和特殊的线圈设计,该元件的尺寸仅为13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高),具有比传统绝缘或灌封元件更短的空间间隙和爬电距离。以UI7平台为例,其一次绕组与二次绕组之间的爬电距离>9.2 mm,局部放电熄灭电压≥840 V(峰值电压),并能通过3 kV(50 Hz,1 s)的交流高压测试。虽然元件重量仅为2克,但符合IEC 61558标准,达到工作电压高达300 V(交流)下的加强绝缘或700 V(直流)下的基本绝缘要求,从而可满足诸多工业和汽车应用的要求。 UI7系列有两种型号可供选择,支持正激式和推挽式拓扑的绕组配置,并能提供相应数量的输出。 主要应用 开关电源(桥式拓扑); 门极驱动电路; 电隔离的DC-DC转转器; 电隔离的单通道IGBT驱动器集成电路 (IC)。 优势与特点 紧凑尺寸:13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高); 表面贴装 (SMT); 较短的间隙和爬电距离:分别为8.14 mm和 9.2 mm; 低耦合电容:4 pF(典型值); AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求。 找元器件就上唯样商城
英飞凌推出新品,包括用于汽车应用的AIROC™ CYW89829低功耗产品 英飞凌科技股份公司近日宣布扩展其蓝牙产品组合,推出AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙5.4微控制器(MCU)系列的八款新产品...英飞凌科技股份公司近日宣布扩展其蓝牙产品组合,推出AIROC™ CYW20829低功耗蓝牙5.4微控制器(MCU)系列的八款新产品,其中包括针对工业、消费和汽车用例优化的系统级芯片(SoC)和模块。 凭借CYW20829产品系列的高集成度,设计人员能够减少多种应用的材料清单(BOM)成本和器件占板面积,包括个人电脑(PC)配件、低功耗音频、可穿戴设备、太阳能微型逆变器、资产追踪器、健康和生活方式、家庭自动化等。英飞凌丰富的开发基础架构和对强大安全性的承诺能让设计人员受益,同时,英飞凌还支持安全启动和执行环境以及加密加速以保护敏感数据。AIROC™ CYW89829 AIROC™ CYW89829低功耗蓝牙MCU是该半导体产品系列中最新的汽车部件,具有强大的射频性能、长距离和最新的蓝牙5.4功能,包括带响应的周期性广播(PAwR),是汽车接入和无线电池管理系统(wBMS)应用的理想之选。该系列芯片采用ARM® Cortex® 双核设计,具有独立的应用和低功耗蓝牙子系统,可全面支持蓝牙5.4、低功耗、10 dBm输出功率(无需功率放大器)、集成闪存、CAN FD、加密加速器和包括信任根(RoT)在内的高安全性,并且达到PSA 1级安全认证的要求。 “ 英飞凌提供业界最广泛的物联网解决方案组合之一。我们的蓝牙解决方案具有强大的连接能力和最新功能。AIROC™ CYW89829汽车低功耗蓝牙MCU和AIROC™ CYW20829多功能低功耗蓝牙MCU具有超低功耗和高度集成的特性,可为汽车、工业和消费市场的各种应用提供更好的用户体验。 ” Shantanu Bhalerao 英飞凌科技蓝牙产品线副总裁 英飞凌一直在与客户合作设计CYW20829系列的现有产品,并获得了积极的评价: ITON首席执行官Kevin Wang表示:“英飞凌CYW20829是市场上领先的蓝牙部件,已通过最新的蓝牙5.4认证。CYW20829具有非常出色的射频性能,支持PAwR和低功耗音频。这些特性为消费和工业市场带来了更多可能性。” 佩林科技首席执行官蔡毅表示:“CYW20829具有出色的射频性能、灵活的API和优秀的长距离特性,为商业照明、工业物联网等领域提供了卓越的解决方案。” 全球机器人行业领导企业Addverb的首席科学家Tapan Pattnayak表示:“今年早些时候,蓝牙技术联盟发布了5.4版规范,增加了带响应的周期性广播和加密广播数据这两项新功能。凭借在英飞凌CYW20829芯片上实现的这些功能,Addverb开发出用于工业仓库无线机器人的安防监控系统,满足了客户的安全需求。” 供货情况 新产品有多个型号,每个型号都有自己的特点和重点应用。 目前正在生产的产品有: CYW20829B0000,采用56QFN SoC封装,尺寸为6x6 mm,适用于PC配件、遥控器、电子货架标签和低端低功耗蓝牙MCU; CYW20829B0010,采用56QFN SoC封装,尺寸为6x6 mm,适用于游戏配件和低功耗音频产品; CYW20829B0-P4EPI100和CYW20829B0-P4TAI100 模块,尺寸均为14.5x19 mm,适用于长距离、资产追踪、电动工具和通用低功耗蓝牙用例。 目前出样的有: CYW20829B0021,采用40QFN SoC封装,尺寸为6x6 mm,适用于工业和长距离应用; CYW89829B0022,采用40QFN SoC封装,尺寸为6x6 mm,适用于无线电池管理系统和汽车接入; CYW89829B0232,采用77BGA SoC封装,尺寸为7x8 mm,适用于无线电池管理系统和汽车接入; CYW20829B1230将于2025 年第二季度出样,采用 64 Ball BGA SoC封装,尺寸为 4.5x4.5 mm,适用于可穿戴设备、电动工具和资产追踪。 找元器件就上唯样商城
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议 ,SiC功率元器件罗姆于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司签署了SiC功率元器件的长期供货协议。全球知名半导体厂商罗姆(ROHM Co., Ltd.,以下简称“罗姆”)于近日与中国汽车行业一级综合性 供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,以下简称 “UAES”)签署了SiC功率元器件的长期供货协议。UAES副总经理 郭晓潞(图右)、 ROHM Co., Ltd. 执行官 功率元器件事业本部 本部长 野间 亚树(图左) UAES和罗姆自2015年开展技术交流以来,双方在搭载SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。 2020年,双方在位于中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室”,加强了SiC电源解决方案开发的合作关系。2021年,罗姆的电源解决方案(包括具备业内先进性能的SiC功率元器件和外围部 件)得到UAES的高度好评,并被选为优先型供应商。 经过多年来密切的技术合作,例如用于电动汽车的车载充电器等、搭载了罗姆SiC的车载产品已得到大量量产和采用。 目前,为了进一步提高电动汽车的效率,搭载罗姆SiC芯片的先进逆变器模块的开发也在加速,并且为满足不断扩大的需求,双方达成了此次长期供货合同。另外,搭载SiC的逆变器模块已于2023年11月份交付第一批客户。 在电动汽车逆变器的开发中,SiC功率元器件是非常重要的部件,由于可以进行高效率的电力电子设计,因此非常有助于例如延长续航距离和削减电池尺寸等电动汽车的技术革新。根据此次的长期供货协议,UAES公司将确保在电动汽车产品开发方面的重要部件——SiC功率元器件的产能。 今后,双方将继续深化合作,加快以SiC为中心的创新型电源解决方案的开发,为汽车的技术革新做出贡献。 UAES副总经理 郭晓潞表示:“随着电动汽车在中国车载市场蓬勃发展,SiC为首的功率半导体使用、 交付会显得越来越重要。罗姆是全球知名半导体企业,特别在SiC高功率器件上有很深造诣。从2015年以来,我们与罗姆持续进行技术交流,对其提案的元器件以及周边部件解决方案有着很高的评价。此次,我们选择罗姆作为SiC芯片的长期供应商,对于今后项目量产供货得以很好保障,对此我们非常高 兴。感谢罗姆一直以来的大力支持,与此同时,我们期待以此为新的起点来构筑长期的合作关系。” ROHM Co., Ltd. 执行官 功率器件事业本部 本部长 野间 亚树表示:“非常荣幸能够与多年建立合作关 系的UAES公司签署长期供货合同。UAES公司是中国汽车行业一级综合性供应商,致力于先进的车载应用开发。在持续高速增长的电动汽车市场中,SiC功率元器件是实现高效率化的重要技术,罗姆在 SiC市场构筑了业界先进的开发和制造体制。双方的合作能够为市场带来更高性能、更佳品质的先进车载应用。未来,罗姆将通过提供以SiC为中心的电源解决方案,与UAES公司一道为电动汽车的技术革 新做出贡献。” UAES与罗姆的技术合作沿革 2015年 开始技术交流 2020年 开设“SiC技术联合实验室”。搭载了罗姆SiC功率元器件的车载产品实现量产 2021年 罗姆被UAES选为“SiC电源解决方案的优先型供应商” 2024年 签署SiC功率元器件长期供货协议(本次发布) 关于UAES 联合汽车电子有限公司(简称UAES)成立于1995年,是中联汽车电子有限公司和德国罗伯特•博世有限公司在中国的合资企业。公司拥有汽油发动机管理系统、变速箱控制系统、先进网联和电力驱动系统四大业务板块,以及悬架控制、热管理系统、软件与服务、智能传感器四小业务。公司总部位于上海市浦东新区,在上海、无锡、西安、芜湖、柳州和太仓设有生产基地,并在上海、重庆、芜湖、苏 州和柳州设有技术中心。2023年,公司实现销售收入370.88亿元,员工人数超过10000人。凭借扎实的本地研发和生产能力,公司致力于为国内各汽车厂商提供从零部件到系统的多样化、定制化完整解决方案,以优质的产品和服务为汽车产业的高质量发展和转型做出积极贡献。 关于罗姆 罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业 设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的电源领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。 找元器件就上唯样商城
松下 | EXC24CE/CF 型(1个型号)阵容扩充 产品亮点 100-800MHz宽带噪音对策非常有效果 1210高阻抗 产品特点 消除各种高速差动传输的辐射噪波 牢固的多层·烧结结构,具备卓越回流焊耐热性,贴装可靠性高 电磁屏蔽式,杜绝泄漏磁束 High-Q阻抗产品 :EXC24CF系列品种齐全 小型,薄型(L 1.25 mm×W1.0 mm×H0.5 mm) 已应对RoHS指令 对象产品 EXC24CE331U 主要用途 用于AV产品 (液晶电视,DVD/Blu-ray驱动器),询设备(PC,HDD, 打印机),通讯设备 (手机,智能手机)。 用于USB 2.0, LVDS等高速差动数据线的抗干扰对策。 找元器件就上唯样商城
松下 | A6伺服操作小妙招您必须掌握! 本次速成班为大家带来了3个松下A6何服异常排除小妙招,只需10分钟,您即可成为精通操作的“大神”。本次速成班为大家带来了3个松下A6何服异常排除小妙招,只需10分钟,您即可成为精通操作的“大神”。 驱动器在使用过程中出现Err14.1IPM异常保护,应该怎么办呢? 这个问题提的很好,出现ERR14.1IPM异常保护,通常是因为驱动电机的IPM(智能功率模块)内的过电流检出异常。这时,我们应该这样处理: 1、确认电机的UVW是否正确连接。2、是否发生最大转矩→通过前面板的 "d04_trq" 进行确认→若是最大转矩(通常300%),降低加减速或者负载使其不出现最大转矩。 3、小输出时,测量相的线间电阻,确认是否不平衡。→若不平衡,需更换电机。(大功率由于卷线电阻在1Q以下,难以判断)4、确认电机的接地,测U、V、W与地线之间的电阻。→若无限大,需更换电机。 5、若通过以上方法并未得到改善,不能确认原因是什么,拆下电机的电源线,开启伺服,稍微转动电机轴。→若发生了Err14.1,很有可能是驱动器损坏。→若不发生Err14.1,很有可能是电机线的接地、电机线的接触不良、电机自身故障。出现Err24.0位置偏差过大保护时,又该怎样处理呢? 这种情况是位置偏差脉冲超过Pr0.14(位置偏差过大设定)的设定时发生异常引起的。只需按照下面步骤操作,就可以解决啦! 1、电机未能跟随指令进行动作。指令位置偏差可通过驱动器前面板的 "d00_uEP" 的监视模式或者PANATERM监视功能的 [指令位置偏差] 、波形曲线进行确认。确认转矩是否饱和,转矩指令值可通过驱动器前面板"d04_trq" 的监视模式或者PANATERM监视功能的 [转矩指令] 、波形曲线进行确认。偏差大,转矩指令值不饱和时,需调整增益。使用转矩限制,若指令转矩被限制,试着将Pr0.13(第1转矩限制)、Pr5.22(第1转矩限制)的设定值变更到转矩指令值所容许的范围内。若转矩饱和的情况下,加长加减速时间,减轻负载,降低速度后进行确认。 2、Pr0.14(位置偏差过大设定)的值小。若设备的规格无问题, 则将Pr0.14(位置偏差过大设定)的设定值加大。 如果出现Err38.0驱动禁止输入保护,是不是也有办法解决呢? 那当然啦,出现这种异常的原因是Pr5.04 [驱动禁止输入设定]=0时,正方向/负方向驱动禁止输入(POT/NOT)都为ON。Pr5.04=2时,正方向/负方向驱动器禁止输入其中一个为ON。解决方案其实非常简单: 确认连接到正方向/负方向驱动禁止输入的开关、电线、电源、连接部是否异常。特别确认控制用信号电源(DC12~24V)启动是否延迟。 找元器件就上唯样商城
干货 | 功率MOS管烧毁,我们帮你总结出了这些原因 今天给大家讲一下关于MOS管烧毁的原因,文字比较多点,不容易读,希望大家可以认真看完。今天给大家讲一下关于MOS管烧毁的原因,文字比较多点,不容易读,希望大家可以认真看完。 MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障,例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导体材料由于高温而分解)。 更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿,这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中,可能是在低至10V-15V 时发生,电路设计必须将其限制在安全水平。 还有可能是功率过载,超过绝对最大额定值和散热不足,都会导致MOS管发生故障。 接下来就来看看所有可能导致失效的原因。 过电压 MOS管对过压的耐受性非常小,即使超出额定电压仅几纳秒,也可能导致设备损坏。 MOS管的额定电压应保守地考虑预期的电压水平,并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。 长时间电流过载 由于导通电阻相对较高,高平均电流会在MOS管中引起相当大的热耗散。 如果电流非常高且散热不良,则MOS管可能会因温升过高而损坏。 MOS管可以直接并联以共享高负载电流。 瞬态电流过载 持续时间短、大电流过载会导致MOS管器件逐渐损坏,但是在故障发生前MOS管的温度几乎没有明显升高,不太能察觉出来。(也可以看下面分析的直通和反向恢复部分) 击穿(交叉传导) 如果两个相对MOS管的控制信号重叠,则可能会出现两个MOS管同时导通的情况,这会使电源短路,也就是击穿条件。 如果发生这种情况,每次发生开关转换时,电源去耦电容都会通过两个器件快速放电,这会导致通过两个开关设备的电流脉冲非常短但非常强。 通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个MOS管均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允许一个MOS管在另一个MOS管打开之前关闭。 没有续流电流路径 当通过任何电感负载(例如特斯拉线圈)切换电流时,电流关闭时会产生反电动势。在两个开关设备都没有承载负载电流时,必须为此电流提供续流路径。 该电流通常通过与每个开关器件反并联连接的续流二极管安全地引导回电源轨道。 当MOS管用作开关器件时,工程师可以简单获得MOS管固有体二极管形式的续流二极管,这解决了一个问题,但创造了一个全新的问题......图片来源于网络 MOS管体二极管的缓慢反向恢复 诸如特斯拉线圈之类的高 Q 谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。 在某些调谐条件下,当一个MOS管关闭而另一个器件打开时,这会导致电流“续流”通过 MOS管的内部体二极管。 这个原本不是什么问题,但当对面的MOS管试图开启时,内部体二极管的缓慢关断(或反向恢复)就会出现问题。 与MOS管 自身的性能相比,MOS管 体二极管通常具有较长的反向恢复时间。如果一个 MOS管的体二极管在对立器件开启时导通,则类似于上述击穿情况发生“短路”。 这个问题通常可以通过在每个MOS管周围添加两个二极管来缓解。 首先,肖特基二极管与MOS管源极串联,肖特基二极管可防止MOS管体二极管被续流电流正向偏置。其次,高速(快速恢复)二极管并联到MOS管/肖特基对,以便续流电流完全绕过MOS管和肖特基二极管。 这确保了MOS管体二极管永远不会被驱动导通,续流电流由快恢复二极管处理,快恢复二极管较少出现“击穿”问题。 过度的栅极驱动 如果用太高的电压驱动MOS管栅极,则栅极氧化物绝缘层可能会被击穿,从而导致MOS管无法使用。 超过 +/- 15 V的栅极-源极电压可能会损坏栅极绝缘并导致故障,应注意确保栅极驱动信号没有任何可能超过最大允许栅极电压的窄电压尖峰。 栅极驱动不足(不完全开启) MOS管只能切换大量功率,因为它们被设计为在开启时消耗最少的功率。工程师应该确保MOS管硬开启,以最大限度地减少传导期间的耗散。 如果MOS管未完全开启,则设备在传导过程中将具有高电阻,并且会以热量的形式消耗大量功率,10到15伏之间的栅极电压可确保大多数MOS管完全开启。 缓慢的开关转换 在稳定的开启和关闭状态期间耗散的能量很少,但在过渡期间耗散了大量的能量。因此,应该尽可能快地在状态之间切换以最小化切换期间的功耗。由于MOS管栅极呈现电容性,因此需要相当大的电流脉冲才能在几十纳秒内对栅极进行充电和放电,峰值栅极电流可以高达一个安培。图片来源于网络 杂散振荡 MOS管 能够在极短的时间内切换大量电流,输入也具有相对较高的阻抗,这会导致稳定性问题。在某些条件下,由于周围电路中的杂散电感和电容,高压MOS管会以非常高的频率振荡。(频率通常在低 MHz),但这样是非常不受欢迎的,因为它是由于线性操作而发生的,并且代表了高耗散条件。 这种情况可以通过最小化MOS管周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡,还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。 “米勒”效应 MOS管在其栅极和漏极端子之间具有相当大的“米勒电容”。在低压或慢速开关应用中,这种栅漏电容很少引起关注,但是当高压快速开关时,它可能会引起问题。 当底部器件的漏极电压由于顶部MOS管的导通而迅速上升时,就会出现潜在问题。 这种高电压上升率通过米勒电容电容耦合到MOS管的栅极,会导致底部MOS管的栅极电压上升,从而导致MOS管也开启,就会存在击穿情况,即使不是立即发生,也可以肯定MOS管故障。 米勒效应可以通过使用低阻抗栅极驱动器来最小化,该驱动器在关闭状态时将栅极电压钳位到 0 伏,这减少了从漏极耦合的任何尖峰的影响。在关断状态下向栅极施加负电压可以获得进一步的保护。例如,向栅极施加 -10 V电压将需要超过12V的噪声,以冒开启本应关闭的MOS管的风险。图片来源于网络 对控制器的辐射干扰 想象一下,将 1pF 的电容从你的火花特斯拉线圈的顶部连接到固态控制器中的每个敏感点的效果,存在的数百千伏射频可以毫无问题地驱动大量电流通过微型电容器直接进入控制电路。 如果控制器没有放置在屏蔽外壳中,这就是实际会发生的情况。 控制电路的高阻抗点几乎不需要杂散电容即可导致异常操作,但运行不正常的控制器可能会尝试同时打开两个相反的MOS管 ,控制电子设备的有效射频屏蔽至关重要。 分离电源和控制电路也是非常理想的,电源开关电路中存在的快速变化的电流和电压仍然具有辐射显着干扰的能力。 对控制器的传导干扰 大电流的快速切换会导致电源轨上的电压骤降和瞬态尖峰。如果电源和控制电子设备共用一个或多个电源轨,则可能会对控制电路产生干扰。 良好的去耦和中性点接地是应该用来减少传导干扰影响的技术。作用于驱动MOS管的变压器耦合在防止电噪声传导回控制器方面非常有效。 静电损坏 安装MOS管或IGBT器件时,应采取防静电处理措施,以防止栅氧化层损坏。 高驻波比 这里要着重说一下,来自一位专业射频工程师的解释。 在脉冲系统中,VSWR不像在CW系统中那么大,但仍然是一个问题。 在CW系统中,典型的发射器设计用于50欧姆的电阻输出阻抗。工程师通过某种传输线连接到负载,希望负载和线路也是50欧姆,并且电力沿电线很好地流动。 但如果负载阻抗不是50欧姆,那么一定量的功率会从阻抗不连续处反射回来。 但反射功率会导致几个潜在问题: 1、发射器看起来像一个负载并吸收了所有的功率,这不是一个好的现象。 例如,你的放大器效率为80%,你输入的功率1KW,通常情况下,设备的功耗为200W,最终的功耗为800W,如果所有800W的功耗都被反射回来,忽然之间,这些设备就需要消耗全部的功耗。 2、前向波和反射波的组合会在传输线中产生驻波,在相距1/2波长的点处会变得非常高,从而导致击穿或者其他不良情况,这本质上是表现负载阻抗不是预期的结果。 如果你有一个射频电源在几十兆赫兹,你可以装配一个开放的平行线传输线,在脉冲系统中,你可能会遇到沿线路传播的脉脉冲、阻抗不连续性、反射回以及与发送的下一个脉冲相加的问题。 反射脉冲是相同极性还是不同极性取决于距离和相对阻抗。 如果你有几个不匹配,可能会得到很多来回移动的脉冲,这些脉冲会加强或者取消。这个对于商业配电来说是一个真正的大问题,因为沿线路的传播时间是线路频率周期的很大一部分,当断路器打开和关闭以及雷击时会引起问题。 以上就是关于MOS管烧毁的原因分析,有的是自己的经验,有的地方询问了其他工程师,有的是别人的一些经验,我都总结在了一起,希望能够帮助到大家。 找元器件就上唯样商城
关于分辨率的这两个概念,你了解了么 ADI峰峰值分辨率是指无闪烁位数,计算方法与有效分辨率不同。因此,要了解器件对于一项应用的真正性能,必须确定所规定的是峰峰值分辨率还是有效分辨率。低带宽、高分辨率ADC的有效位数计算方法因公司而异,而器件的有效位数受噪声限制。有些公司规定使用有效分辨率来表示有效位数,ADI则规定使用峰峰值分辨率。峰峰值分辨率是指无闪烁位数,计算方法与有效分辨率不同。因此,要了解器件对于一项应用的真正性能,必须确定所规定的是峰峰值分辨率还是有效分辨率。 噪 声 图1显示模拟输入接地时从一个Σ-Δ型ADC获得的典型直方图。理想情况下,对于这一固定的直流模拟输入,输出码应为0。但是,由于噪声影响,恒定模拟输入存在一个码字分布。此噪声包括ADC内部的热噪声和模数转换过程引起的量化噪声。图 1. 模拟输入接地时的直方图 码字分布一般为高斯分布。均方根噪声是通过从该直方图产生的曲线计算出的,曲线的宽度决定均方根噪声。高斯曲线的分布是从负无穷大到正无穷大。然而,99.99%的码字出现在6.6倍均方根噪声范围内。因此,峰峰值噪声为均方根噪声的6.6倍。 数据手册一般使用均方根噪声。噪声取决于所用的滤波器频率和增益设置。通常,当模拟输入范围缩小时,均方根噪声也会变小。但是,由于满量程模拟输入信号也被减小,因此有效位数降低。 峰峰值分辨率 有效分辨率 A BOUT 峰峰值分辨率 大多数应用不希望在系统输出时看到码闪烁。例如,对于电子秤应用,无闪烁位数很重要。可以将ADC产生的数字字截断,使得在电子秤监视器上看不到闪烁位。 无噪声分辨率或峰峰值分辨率是根据数据手册给出的噪声值计算出的。首先计算信噪比(SNR): SNR = 20log(噪声/满量程输入) ADI一般规定使用峰峰值分辨率或无噪声码分辨率,这是使用峰值噪声(等于均方根噪声的6.6倍)计算SNR而获得的。从信噪比计算中可以确定精度: SNR = 6.02N + 1.76 = 20log(峰值噪声/满量程输入) 从AD7719数据手册可知,当模拟输入范围为+2.56 V且数据更新速率为5.35 Hz时,均方根噪声等于1.25μV。根据该数据计算信噪比: (20log((6.6 × 1.25E–6)/(2.56 × 2)) = –115.85 dB 据此计算峰峰值分辨率: 115.85 = 6.02N + 1.76 => N = (115.85 – 1.76)/6.02 = 19 Bits 因此,在上述条件下,19个MSB中无闪烁位。 A BOUT 有效分辨率 有些公司规定使用有效分辨率,而不是峰峰值分辨率。有效分辨率是通过均方根噪声而非峰值噪声计算出的。使用均方根噪声计算信噪比: (20log((1.25E–6)/(2.56 × 2)) = – 132.25 dB 据此计算有效分辨率: 132.25 = 6.02N + 1.76 => N = (132.25 – 1.76)/6.02 = 21.7 Bits 因此,有效分辨率 = 峰峰值分辨率 + 2.7位。 评估ADC时,应当认识到有效分辨率与峰峰值分辨率的计算方法不同,有效分辨率比峰峰值分辨率大2.7位。此外,有效分辨率没有突出闪烁位数,峰峰值分辨率则指出了不闪烁的位数,因而能更好地表示性能。 找元器件就上唯样商城
KEMET基美全系列,汽车电容、薄膜电容、贴片电容 KEMET Corporation 是一家全球性的电子元器件供应商,持有 160 多项专利,遍布全球的制造工厂正在推动最先进电气解决方案的进步。 该公司向客户提供涵盖所有电介质的业界最广泛电容器技术,此外,其机电设备、电磁兼容解决方案和超级电容器领域的业务也在不断扩展中。 KEMET 提供符合最高质量、交付和服务标准要求的解决方案。品牌专区: 点击进入 >> 库存推荐: 品牌 系列 制造编码 分类 库存 点击详情 KEMET AC-Film Capacitor C4AQQBU4800A12J 薄膜电容 64 商品详情 KEMET AC-Film Capacitor C4AQSBU4300A11J 薄膜电容 72 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor PHE450PD5220JR06L2 薄膜电容 234 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor PHE450SD5470JR06L2 薄膜电容 308 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor PHE840MA6100MA04R17T0 薄膜电容 500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R413I2100JU00M 薄膜电容 1000 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KF310000P1M 薄膜电容 1250 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KI333045H2M 薄膜电容 500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KN368045M2M 薄膜电容 300 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R71PI3470504EM 薄膜电容 500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R82EC2100SH50J 薄膜电容 3500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R82EC2220DQ50J 薄膜电容 3500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R82EC2680DQ60J 薄膜电容 3500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R82IC3100DQ50J 薄膜电容 1400 商品详情 KEMET MLCC-AC C0603C101J5GACAUTO 汽车级电容 6850 商品详情 KEMET MLCC-AC C0603C103J5RACAUTO 汽车级电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-AC C0805C221J5GACAUTO 汽车级电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-AS C1206X106K4RAC7800 NULL 1900 商品详情 KEMET MLCC-AS C1206X225K5RACAUTO 汽车级电容 7680 商品详情 KEMET MLCC-AS(HV) C0603X103K1RACAUTO 汽车电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0402C150J4GAC7867 贴片高压 30000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0603C473K4RAC7867 贴片高压 12000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0805C102KDRAC7800 贴片高压 1800 商品详情 KEMET MLCC-HV C1206C102KGRAC7800 贴片高压 2000 商品详情 KEMET MLCC-HV(AUTO) C1206C103J2GACAUTO 汽车电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-HV(AUTO) C1206C474K1RACAUTO 汽车电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C103K5RAC7867 贴片电容 20000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C103J3GAC7867 贴片电容 8000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C105K4PAC7867 贴片电容 4000 商品详情 KEMET AC-Film Capacitor C4AQSBU4200A1YJ 薄膜电容 36 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor PHE840MD6220MD13R06L2 薄膜电容 234 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor PHE850EA4220MA01R17 薄膜电容 3000 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R413I2100JB00M 薄膜电容 2000 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KI3100JBM1M 薄膜电容 2000 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KI3470DQN0M 薄膜电容 380 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KN347050N0K 薄膜电容 500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R46KN415000P1M 薄膜电容 884 商品详情 KEMET MLCC-AC C0402C103K4RACAUTO 汽车级电容 10000 商品详情 KEMET MLCC-AC C0402C180J5GACAUTO 汽车级电容 20000 商品详情 KEMET MLCC-AC C0402C222K5RACAUTO 汽车级电容 18500 商品详情 KEMET MLCC-AC C0603C333K5RACAUTO 汽车级电容 8000 商品详情 KEMET MLCC-AC C0805C221K5RACAUTO 汽车级电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-AC C0805C470J5GACAUTO 汽车级电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-AC C1206C104J3GACAUTO 汽车级电容 2000 商品详情 KEMET MLCC-AC C1210C106K3RACAUTO 汽车级电容 2000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0402C680J5GAC7867 贴片高压 30000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0603C821J5RAC7867 贴片高压 4000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0805C102K1RAC7800 贴片高压 12000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0805C103KARAC7800 贴片高压 4000 商品详情 KEMET MLCC-HV C1206C104M5RAC7800 贴片高压 12000 商品详情 KEMET MLCC-HV(AUTO) C0603C221J1GACAUTO 汽车电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-HV(AUTO) C0805C103J1GACAUTO 汽车电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-HV(AUTO) C1812C684K1RACAUTO 汽车电容 1000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C104J4RAC7867 贴片电容 20000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C222K5RAC7867 贴片电容 40000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C225M9PAC7867 贴片电容 10000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C153J3GAC7867 贴片电容 8000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C475K8PAC7867 贴片电容 3900 商品详情 KEMET MLCC-L C0805C102K5GAC7800 贴片电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-L C0805C333K5RAC7800 贴片电容 24000 商品详情 KEMET MLCC-L C1206C106K8RAC7800 贴片电容 1800 商品详情 KEMET MLCC-L C1206C224J5RAC7800 贴片电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-L C1206C471J5GAC7800 贴片电容 4000 商品详情 KEMET Power-Star Class C0402C104K8RAC7867 NULL 40000 商品详情 KEMET Power-Star Class C0603C105K8RAC7867 NULL 4000 商品详情 KEMET AC-Film Capacitor PME271Y447MR30 薄膜电容 2400 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R413I2330JU00M 薄膜电容 500 商品详情 KEMET DC-Film Capacitor R75MI3100JE3EK 薄膜电容 2000 商品详情 KEMET FERRITES CORES B-20F-38 磁芯 29966 商品详情 KEMET FERRITES CORES ESD-R-17S 磁芯 440 商品详情 KEMET Film Capacitor R463F310045M1M 1200 商品详情 KEMET Film Capacitor R46KI3470JHP3K 900 商品详情 KEMET Film Capacitor R46KN3470JHN0M 700 商品详情 KEMET Film Capacitor R79MC2100Z340J 6000 商品详情 KEMET MLCC-AC C0805C120J5GACAUTO 汽车级电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-AC C1206C475K3RACAUTO 汽车级电容 3121 商品详情 KEMET MLCC-AC C1206F105K5RACAUTO 汽车级电容 2000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0402C104M8PAC7867 贴片高压 30000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0402C120J5GAC7867 贴片高压 30000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0402C222K3RAC7867 贴片高压 30000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0402C681K5RAC7867 贴片高压 30000 商品详情 KEMET MLCC-HV C0805C225Z4VAC7800 贴片高压 7500 商品详情 KEMET MLCC-HV C0805C470J1GAC7800 贴片高压 12000 商品详情 KEMET MLCC-HV(AUTO) C0603C103K1RACAUTO 汽车电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C221K5RAC7867 贴片电容 10000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C330J5GAC7867 贴片电容 10000 商品详情 KEMET MLCC-L C0402C474K9PAC7867 贴片电容 10000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C222K5RAC7867 贴片电容 12000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C333K5RAC7867 贴片电容 4000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C474K4RAC7867 贴片电容 12000 商品详情 KEMET MLCC-L C0603C681J5GAC7867 贴片电容 12000 商品详情 KEMET MLCC-L C0805C151J5GAC7800 贴片电容 3900 商品详情 KEMET MLCC-L C0805C331J5GAC7800 贴片电容 12100 商品详情 KEMET MLCC-L C1206C475K5RAC7800 贴片电容 2000 商品详情 KEMET Power-Star Class T491A225K010AT NULL 2000 商品详情 KEMET Tan-Cap T491A225K016AT 钽电容 6000 商品详情 KEMET Tan-Cap T491A476M006AT 钽电容 1500 商品详情 KEMET Tan-Cap T491B106M010AT 钽电容 2000 商品详情 KEMET Tan-Cap T491D106K035AT 钽电容 979 商品详情 KEMET Tan-Cap T491D337K006AT 钽电容 450 商品详情 找元器件就上唯样商城
英飞凌为AI数据中心提供先进的高能效电源装置产品路线图 英飞凌消费电子· 人工智能(AI)引发全球数据中心能源需求不断增长· 基于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的新型电源装置(PSU)巩固了英飞凌在AI电源领域的领先优势· 全球首款12 Kw PSU凭借更高的能效、功率密度和可靠性,为AI数据中心运营商带来优势人工智能(AI)的影响推动了全球数据中心能源需求的日益增长,凸显了为服务器提供高效可靠能源供应的必要性。英飞凌科技股份公司已翻开AI系统能源供应领域的新篇章,发布了电源装置(PSU)产品路线图。该路线图在优先考虑能源效率前提下,专为满足AI数据中心当前和未来的能源需求而设计。PSU产品界面图 通过实现更高的PSU性能等级,英飞凌可帮助云数据中心和AI服务器运营商降低系统冷却能耗。这些创新的PSU能减少功耗和二氧化碳排放,从而降低总体运营成本。功能强大的PSU不仅能用于未来数据中心,还可取代服务器中现有的电源装置并提升效率。 除了已推出的输出功率为3 kW和 3.3 kW的 PSU 外,全新8 kW和12 kW PSU也将在不久的将来进一步提高AI数据中心的能效。借助12 kW参考板,英飞凌即将推出全球首款达到这一性能水平的电源装置,为未来数据中心供电。Adam White 英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁 “ 英飞凌为AI提供动力。我们正在解决这个时代的一大关键问题——如何高效地满足数据中心不断升级的能源需求。英飞凌将硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)三种半导体材料集成到单一模块中,正是这项专业技术使这一开发工作成为可能。因此,我们的 PSU 产品组合不仅体现了英飞凌的创新实力,为数据中心和AI生态系统带来了一流的性能、效率和可靠性,还巩固了英飞凌在功率半导体市场的领先优势。 ” 英飞凌也在响应数据中心运营商对更高系统效率和更短停机时间的要求。服务器和数据中心应用的上涨增加了对电源的需求,因此需要开发额定功率从 800 W 到 5.5 kW甚至更高的电源。这一增长是由于计算AI应用的图形处理器(GPU)对功率的要求不断提高。 目前,高阶GPU的单芯片功耗高达1 kW,到二十年代末将达到 2 kW或更高,这将增加数据中心的总能源需求。根据国际能源机构(IEA)的预测,到2030年,数据中心的耗电量将占全球总耗电量的7%,相当于印度目前的耗电量。 尽管能源需求快速增长,但英飞凌的新型PSU可为减少AI数据中心的二氧化碳排放量做出贡献。这得益于新PSU具有极高的效率,能更大程度地减少功率损耗。英飞凌新一代PSU的效率高达97.5%,符合严格的性能要求。全新8 kW PSU支持最高输出功率达300 kW或以上的AI机架。与当前3 kW PSU的32 W/in³ 相比,其效率和功率密度提升至100 W/in³,进一步缩小了系统尺寸并节省了运营商的成本。 从技术角度看,能实现这一点的原因在于Si、SiC 和 GaN 三种半导体材料的独特组合。这项技术有助于提升AI服务器和数据中心系统的可持续性与可靠性。基于SiC 和 GaN 等宽带隙材料的创新半导体是理性地与高效地利用能源以推动低碳化的关键。 找元器件就上唯样商城
英飞凌为AI数据中心提供先进的高能效电源装置产品路线图 英飞凌消费电子· 人工智能(AI)引发全球数据中心能源需求不断增长· 基于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的新型电源装置(PSU)巩固了英飞凌在AI电源领域的领先优势· 全球首款12 Kw PSU凭借更高的能效、功率密度和可靠性,为AI数据中心运营商带来优势人工智能(AI)的影响推动了全球数据中心能源需求的日益增长,凸显了为服务器提供高效可靠能源供应的必要性。英飞凌科技股份公司已翻开AI系统能源供应领域的新篇章,发布了电源装置(PSU)产品路线图。该路线图在优先考虑能源效率前提下,专为满足AI数据中心当前和未来的能源需求而设计。PSU产品界面图 通过实现更高的PSU性能等级,英飞凌可帮助云数据中心和AI服务器运营商降低系统冷却能耗。这些创新的PSU能减少功耗和二氧化碳排放,从而降低总体运营成本。功能强大的PSU不仅能用于未来数据中心,还可取代服务器中现有的电源装置并提升效率。 除了已推出的输出功率为3 kW和 3.3 kW的 PSU 外,全新8 kW和12 kW PSU也将在不久的将来进一步提高AI数据中心的能效。借助12 kW参考板,英飞凌即将推出全球首款达到这一性能水平的电源装置,为未来数据中心供电。Adam White 英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁 “ 英飞凌为AI提供动力。我们正在解决这个时代的一大关键问题——如何高效地满足数据中心不断升级的能源需求。英飞凌将硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)三种半导体材料集成到单一模块中,正是这项专业技术使这一开发工作成为可能。因此,我们的 PSU 产品组合不仅体现了英飞凌的创新实力,为数据中心和AI生态系统带来了一流的性能、效率和可靠性,还巩固了英飞凌在功率半导体市场的领先优势。 ” 英飞凌也在响应数据中心运营商对更高系统效率和更短停机时间的要求。服务器和数据中心应用的上涨增加了对电源的需求,因此需要开发额定功率从 800 W 到 5.5 kW甚至更高的电源。这一增长是由于计算AI应用的图形处理器(GPU)对功率的要求不断提高。 目前,高阶GPU的单芯片功耗高达1 kW,到二十年代末将达到 2 kW或更高,这将增加数据中心的总能源需求。根据国际能源机构(IEA)的预测,到2030年,数据中心的耗电量将占全球总耗电量的7%,相当于印度目前的耗电量。 尽管能源需求快速增长,但英飞凌的新型PSU可为减少AI数据中心的二氧化碳排放量做出贡献。这得益于新PSU具有极高的效率,能更大程度地减少功率损耗。英飞凌新一代PSU的效率高达97.5%,符合严格的性能要求。全新8 kW PSU支持最高输出功率达300 kW或以上的AI机架。与当前3 kW PSU的32 W/in³ 相比,其效率和功率密度提升至100 W/in³,进一步缩小了系统尺寸并节省了运营商的成本。 从技术角度看,能实现这一点的原因在于Si、SiC 和 GaN 三种半导体材料的独特组合。这项技术有助于提升AI服务器和数据中心系统的可持续性与可靠性。基于SiC 和 GaN 等宽带隙材料的创新半导体是理性地与高效地利用能源以推动低碳化的关键。 找元器件就上唯样商城
让 AI 更迅捷,TE LGA4710 处理器插槽来助力 LGA4710AI 赛道的极速狂飙来自强大算力的支持,在这背后的基础设施是一个庞大的高速链路网络,并且不断在规模、效率、连接性能等方面迭代升级,TE Connectivity(以下简称“TE”)也一直积极助力其中 。 AI 赛道的极速狂飙来自强大算力的支持,在这背后的基础设施是一个庞大的高速链路网络,并且不断在规模、效率、连接性能等方面迭代升级,TE Connectivity(以下简称“TE”)也一直积极助力其中 。去年 TE 推出的 LGA4677 插槽就着眼于助力 AI 和云计算应用,增加其速率和带宽,受到了许多客户青睐。 最近,TE 带来了与 LGA4677 插槽同系列的 LGA4710 处理器插槽新品,与 LGA4677 插槽一样,该款插槽和硬件针对下一代 AI 云计算需求而设计,增加了主板和处理器之间的连接通道。但在 LGA4677 插槽的基础上,LGA4710 插槽增加了更多引脚数,搭载的处理器也做了升级。LGA4710 插槽支持 8 通道 DDR5 和第 5 代 PCIe 技术,为数据中心和人工智能应用带来了最新的服务器架构。两款插槽都支持带宽密集型操作,并包含更多的内存通道,大大扩展了输入/输出能力。LGA4710插槽 产品特点 在 x16 配置中提供 128 Gbps 聚合链接带宽。支持更高速的网络协议和系统设备间的更高速互连 增加了内存通道,为速度密集型应用(如人工智能和机器学习)提供支持 支持高达 6400 MT/s 的 8 通道 DDR5 DRAM 内存,可提高性能并降低总体功耗,从而节省成本 支持 PCIe 5.0 技术,速度更快,效率更高 已通过耐用性、耐环境性、抗冲击和抗震测试 支持自动组装流程,便于安装,控制返工率 应用行业 超大规模计算 新一代服务器 人工智能/机器学习 边缘计算 找元器件就上唯样商城
泰科 | 200 box MAG-MATE 端子,新品来袭! 如果,你正在设计开发紧凑型电机系统 如果,你在苦恼如何解决可靠气密连接 如果,你想使用自动化组装工艺 新品来袭TE Connectivity(简称“TE”)推出的200 box MAG-MATE 端子新品,可以助力您轻松应对这些新的设计挑战。 四大亮点 01 与300 box MAG-MATE端子相比,200 box MAG-MATE 端子的体积缩减30%。 02 兼容0.25-0.72mm (30-21AWG) 铜漆包线、0.40-0.81mm (26-20AWG) 铝漆包线。 03 采用绝缘刺破压接(IDC) 技术,可建立可靠的气密连接,并可使用自动化工具高效、经济地进行组装。 04 节省空间的设计适用于紧凑型电机系统。便捷产品索引⬆️ 产品料号清单 找元器件就上唯样商城
Vishay | 采用改良设计的 INT-A-PAK 封装 IGBT 功率模块,降低导 半桥器件采用 Trench IGBT 技术,可选低 VCE(ON) 或低 Eoff 适用于大电流逆变级 日前,Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成,采用 Vishay 的 Trench IGBT 技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低 VCE(ON) 或低 Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的 Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代 FRED Pt® 反并联二极管封装在一起。模块小型 INT-A-PAK 封装采用新型栅极引脚布局,与 34 mm 工业标准封装 100% 兼容,可采用机械插接方式更换。这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备、发电配电和储电系统、焊接设备、电机驱动器和机器人。为降低 TIG 焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在 + 125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 适用于高频电源应用,开关损耗极低,+ 125 °C,额定电流下, Eoff 仅为 1.0 mJ 。模块符合 RoHS 标准,集电极至发射极电压为 650 V ,集电极连续电流为 100 A 至 200 A ,结到外壳的热阻极低。器件通过 UL E78996 认证,可直接安装散热片, EMI 小,减少了对吸收电路的要求。器件规格表Vishay 五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块 找元器件就上唯样商城
工作温度高达 105 °C,TDK推出新系列直流支撑电容器 EPCOS , TDKTDK 推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新系列元件的设计最高工作温度达+105°C。。。工作温度高达 105 °C 的直流支撑电容器 TDK 推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新系列元件的设计最高工作温度达+105°C;订购代码为 B25695E;额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V(温度 ≥+85 °C 时,电压须降额使用);ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ;+70 °C 时的电流能力高达 110 A,具体视型号而 定(温度更高时,电流须降额使用)。不过,该系列薄膜电容器可反复承受最大 15.8 kA 的峰值电流,并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。 新系列电容器符合 RoHS 标准,直径为 85 mm 或 116 mm 柱形铝制外壳,由合成树脂顶盖。其金属化聚丙烯薄膜 采用干燥的环氧树脂密封,并通过 M6 螺柱端子实现安全的电气连接,底部使用 M12 螺栓进行机械固定。 典型应用包括可再生能源(光伏、风力发电)变流器、轨道车辆(火车、地铁、有轨电车)的牵引系统和工业驱动 器的直流支撑电路。 主要应用 可再生能源(光伏、风力发电)变流器的直流支撑电路; 轨道车辆(火车、地铁、有轨电车)牵引系统的直流支撑电路; 工业驱动器的直流支撑电路。 优势与特点 工作温度:最高达+105 °C; 低损耗; 可耐受过电压(每天可耐受 130%的额定电压 1 分钟) 找元器件就上唯样商城
新品 | TDK推出紧凑型门极驱动变压器 TDKTDK扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,推出两款新型元件。新元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车紧凑型门极驱动变压器 TDK扩展了爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,推出两款新型元件。新元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车(经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求)和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。元件绕组的圈比为1:1.08 (B78541A2467A003) 或1:1.07:0.6 (B78541A2492A003),具体视型号而定。凭借低至4 pF的耦合电容,这种SMT变压器还适用于SiC或GaN半导体应用。 通过结合相对耐漏电起痕指数 (CTI) ≥600 V的高性能塑料材料和特殊的线圈设计,新元件的尺寸仅为13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高),具有比传统绝缘或灌封元件更短的空间间隙和爬电距离。以UI7平台为例,其一次绕组与二次绕组之间的爬电距离>9.2 mm,局部放电熄灭电压≥840 V(峰值电压),并能通过3 kV(50 Hz,1 s)的交流高压测试。虽然元件重量仅为2克,但符合IEC 61558标准,达到工作电压高达300 V(交流)下的加强绝缘或700 V(直流)下的基本绝缘要求,从而可满足诸多工业和汽车应用的要求。 新的UI7系列有两种型号可供选择,支持正激式和推挽式拓扑的绕组配置,并能提供相应数量的输出。 主要应用 开关电源(桥式拓扑); 门极驱动电路; 电隔离的DC-DC转转器; 电隔离的单通道IGBT驱动器集成电路 (IC)。 优势与特点 紧凑尺寸:13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高); 表面贴装 (SMT); 较短的间隙和爬电距离:分别为8.14 mm和 9.2 mm; 低耦合电容:4 pF(典型值); AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求。 找元器件就上唯样商城
TDK推出具有更高纹波电流能力的混合聚合物电容器 TDKTDK新近推出了B40910*系列混合聚合物电容器。该系列元件为贴片式装设计,在室温条件下具有非常低的等效串联电阻 (ESR) 值(分别为17 mΩ和22 mΩ),因此提供了高达4.6A(100kHz,+125°C)纹波电流处理能力。。。混合聚合物电容器 TDK新近推出了B40910*系列混合聚合物电容器。该系列元件为贴片式装设计,在室温条件下具有非常低的等效串联电阻 (ESR) 值(分别为17 mΩ和22 mΩ),因此提供了高达4.6A(100kHz,+125°C)纹波电流处理能力。此外,不同于标准型液态电解电容器,新系列元件的ESR不会随着温度变化而变化。这些元件尺寸小巧,仅为10 x 10.2 mm 或 10 x 12.5 mm(直径x高度),额定电压为63V,电容范围为82 µF至120 µF。 新元件的工作温度范围为 -40°C 至 +145°C,支持回流焊,可满足汽车和工业领域的严苛应用要求。在额定电压和最大纹波电流IAC,max的工作条件下,其寿命可超过4000小时。 主要应用 汽车电子设备; 工业电子设备; 主要特点和优势 更高的纹波电流处理能力:高达 4.6 A; 超低 ESR 值,且在温度范围内ESR波动很小; 高工作温度:最高达+145 °C; 长使用寿命:4000 h @ +135 °C; 表面安装设备,支持回流焊; 找元器件就上唯样商城
TDK 推出用于汽车以太网10BASE-T1S的共模滤波器 共模滤波器 , TDK , 10BASE-T1STDK宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列(3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高)共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器于2024年7月开始量产。用于汽车以太网10BASE-T1S的共模滤波器 业内首款*实现符合OPEN联盟共模滤波器EMC测试规范的IV级线间电容的产品; 通过将绕组线激光焊接到金属化端子上从而实现高可靠性; 符合 AEC-Q200 (D版)要求; TDK宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列(3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高)共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器于2024年7月开始量产。 与传统产品相比,新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中,该产品首开行业先河,以最低线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 µH,额定电流达70 mA。 除共模滤波器外,10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备(PHY)和防静电(ESD)组件以及其它电子元件,而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加,信号波形湍流随之增强,进而导致正常通信中断。为解决这一问题,工程师需要选择适合低电容的元件。 为实现高S参数,新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料,以减少电容引起的信号失真的影响,并有效抑制共模噪声。不仅如此,TDK 的创新高精度自动绕线技术确保了品质稳定和高可靠性。 TDK 提供阵容广泛的汽车用共模滤波器,不仅包括符合当前主流 CAN、CAN FD 和 Flex-Ray协议要求的滤波器,同时也包括符合以太网协议要求的滤波器,比如通信速率分别为100兆比特/秒和1000兆比特/秒的 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 协议。今后,TDK 将继续为汽车通信用共模滤波器提供全方位的产品服务,持续满足客户需求。 (* 截至2024年7月, 根据 TDK) 主要应用 汽车以太网通信系统(10BASE-T1S); 主要特点和效益 业内首款实现符合 OPEN 联盟共模滤波器EMC 测试规范的IV级线间电容水平的产品; 通过将绕组线激光焊接到金属化端子上从而实现高可靠性; 符合 AEC-Q200 (D版)要求; 找元器件就上唯样商城
TDK 推出带有 I²S 接口的低功耗 MEMS 麦克风,并在全球销售 低功耗MEMS麦克风 , TDKTDK宣布在全球范围内销售其 InvenSense SmartSoundTM T5848 I2S 麦克风,以超低功耗实现智能关键词、语音命令和声音检测功能。T5848 I²S 麦克风带有声学活动检测 (AAD),并以超低功耗提供高保真声音 支持物联网(IoT)和边缘人工智能(AI)应用,包括可穿戴设备、TWS 耳机、AR 眼镜、智能音箱、家庭安防、运动相机、电视遥控器和各种人工智能系统 现以通过全球分销渠道销售TDK宣布在全球范围内销售其 InvenSense SmartSoundTM T5848 I2S 麦克风,以超低功耗实现智能关键词、语音命令和声音检测功能。T5848 I²S麦克风与InvenSense SmartSound T5838一起,利用其创新的声学活动检测(AAD)功能支持边缘和生成式人工智能系统,是智能手表、电视遥控器、家庭安防、增强现实眼镜、运动相机、智能音箱和TWS耳塞等物联网应用的理想之选。 适用于低功耗边缘人工智能应用的 T5848 和 T5838 麦克风的主要特性和优势包括: 低功耗下的优异性能: 在高质量模式下,T5848 和 T5838 的信噪比为68 dBA,AOP 为 133,可提供出色的声音保真度,即使在嘈杂的环境中也能确保准确的关键字检测,同时1.8V 电压下仅消耗 330 µA。它们在常开低功耗模式下仅消耗130 µA,从而延长了常开系统的电池续航时间。 声音活动检测 (AAD) 功能: 可对 T5848 和 T5838 进行编程,以侦听指示关键字或语音命令的声学活动,从而使应用程序的处理器能够在空闲期间有效地管理功耗。这使物联网和边缘人工智能设备可以始终保持开启状态,随时响应用户交互,并防止电池电量快速耗尽。 T5848 的独特功能和优势还包括: 系统设计更简单: T5848 支持 I²S 接口,可节省系统元件。它还降低了系统硬件或软件的处理要求,如过滤麦克风输出。 高信噪比,实现人工智能系统的准确响应: T5848 的出色信噪比可确保人工智能系统接收到高质量的输入,即使在嘈杂的环境中,也能将关键词或语音命令从无关的背景噪声中区分出来。这种高质量的输入可提高下一代人工智能系统所需的响应精度和可靠性。 “TDK集团旗下InvenSense公司麦克风业务部副总裁兼总经理Uday Mudoi表示:“随着人工智能技术的进步,语音交互变得更加自然和用户友好,语音接口如今在物联网设备中无处不在。带有I²S 接口的 T5848 可为始终在线的边缘和生成式人工智能系统提供更简单的设计。” TDK 的 T5848 麦克风现已可供评估并集成到各种设备中。TDK 麦克风已被多个生态系统合作伙伴集成,从而减少了具有智能关键词或音频检测需求的边缘人工智能系统所需的工程投资和上市时间。 术语表GLOSSARY AI:人工智能 AOP:声学过载点 SNR:信噪比 PDM:脉冲密度调制 I²S:Inter-IC音频总线格式 AAD:声学活动探测 主要应用 MAIN APPLICATIONS 智能手表 声控电视遥控器 窗户玻璃破碎检测 增强现实眼镜 可穿戴设备 运动摄像机 智能音箱 主要特点和优势 MAIN FEATURES AND BENEFITS 带有I²S 输出的低噪声数字 MEMS 麦克风 多种运行模式:睡眠、低功耗、高质量 模拟和数字声音活动检测 (AAD) 模式,功耗低至 20 µA 在高质量模式下,信噪比为 68 dBA,AOP 为 133 dB SPL 始终开启模式下为 130 µA,高性能模式下为 330 µA 符合 RoHS/WEEE 标准 找元器件就上唯样商城
三星内存厂污染事件引起关注,内存市场可能出现波动 内存三星公司对外表明,因旗下的内存晶圆厂商出产设备遭到污染,暴露在设备上的几批晶圆不得不被处理掉,造成了数百万美元的丢失。不过目前事端现已处理,产线从头运转,回到正轨。 内存行业的提价通常伴随着内存厂商的各种生产事故。近来,一则“三星内存厂污染事情”的音讯,引起了业界关注。资深业内人士认为,假使传言属实,内存圈又将迎来一波“提价潮”…… 据外媒Tomshardware报导,三星的一家DRAM工厂在数周出现了出产问题。 报导称,三星公司对外表明,因旗下的内存晶圆厂商出产设备遭到污染,暴露在设备上的几批晶圆不得不被处理掉,造成了数百万美元的丢失。不过目前事端现已处理,产线从头运转,回到正轨。 报导指出,三星此次发作出产事端的晶圆厂商是一家相对落后的200mm内存厂,但未指明到底是哪一座工厂。 有业界人士表明,一直以来,元器件行业的各种出产事端都是产品的提价因素之一,假使音讯事实,内存商场或将迎来一波“提价潮”。 由于上述报导,三星官方尚未置评,音讯的真实性还有待进一步证明,世界电子商情将继续关注。 找元器件就上唯样商城
TDK推出紧凑型DC / DC转换器用变压器 爱普科斯 ,作为TDK中国区首批线上分销商 唯样商城拥有TDK旗下爱普科斯 (EPCOS)E10 EM系列等产品型号及现货TDK集团在爱普科斯 (EPCOS) E10 EM系列变压器的基础上开发了适用于电动汽车和工业电子设备中各种DC / DC转换器拓扑和门驱动器电路的全新绝缘型SMD变压器。新系列元件有四种型号可选,覆盖 1 : 0.76 到 4 : 1 的匝数比范围(具体视型号而定),其中绕组基础绝缘型的工作电压为500 VRMS,增强绝缘型的工作电压则为300 VRMS。新系列变压器极为紧凑,尺寸仅为11.7 x 13.15 x 11.35 mm,紧凑的内部结构设计符合IEC 60664-1标准关于空间距离和爬电距离的要求(Np / Ns:空间距离最小5.5 mm,爬电距离最小6 mm)。凭借高度自动化的生产工艺和AOI检验,我们可确保了所有元件均具有出色的可重复性和可靠性。此外,全新爱普科斯 (EPCOS) 变压器系列B78307A * A003中的组件还满足AEC-Q200 Rev. D标准。 主要应用 l 电动汽车和工业电子设备中的DC / DC转换器,以及门驱动器电路 主要特点和优势 l 尺寸紧凑:仅为11.7 x 13.15 x 11.35mm l 空间距离和爬电距离符合IEC 60664-1标准 l 通过AEC-Q200 Rev. D可靠性测试 找元器件就上唯样商城
TE 新品|铝漆包线适用SIAMEZE端子,小型电动机设计的理想选择 TE , 端子相比铜漆包线更有优势的铝漆包线。为了达到同样导电性,制造商使用铝漆包线可以比铜漆包线节省45%的材料成本;铝漆包线的重量大约是铜漆包线的三分之一,并且具有更低市场波动。@电机制造商们,您的电动机设计是否既要平衡性能与空间,又要平衡性能与成本? 来认识一下:相比铜漆包线更有优势的铝漆包线。为了达到同样导电性,制造商使用铝漆包线可以比铜漆包线节省45%的材料成本;铝漆包线的重量大约是铜漆包线的三分之一,并且具有更低市场波动。 针对这一趋势,TE Connectivity(以下简称“TE”)推出最新的铝漆包线端接解决方案,包括用于铝漆包线的SIAMEZE端子和多弹簧插针MAG-MATE端子。本文将为大家着重介绍SIAMEZE端子,记得关注我们,下周,我们将为您带来MAG-MATE端子的具体介绍。 SIAMEZE端子提供节省空间的设计解决方案(端子高度为7.62毫米或0.3英寸),是小型电动机设计的理想选择。铝漆包线SIAMEZE端子 材质:铜 产品规范:108-2085 应用规范:114-13166 额定温度:-40℃至125℃ 【-40℉至257℉】 来看它的主要特点和优势: l会产生剩余的弹簧能量,为优质的金属对金属界面提供必要的法向力,从而产生清洁、稳定且气密的电气连接; l适用于绝缘刺破压接(IDC)技术,无需焊接和/或焊合; l设计紧凑,节省空间; l独特的端子设计包括4个穿透电线绝缘层的毛刺,无需从漆包线和引线上剥去薄膜绝缘层,节省时间和人工成本。 新型SIAMEZE端子能够为铝漆包线提供线对线、线对插片槽、PCB插片端子配置,提供灵活的设计选项。 应用产品 电动机、风扇、电磁阀、变压器、线圈、制动器、镇流器电源。 应用领域 l小型家用电器 l主要家用电器 l交通工具 l摩托车 l暖通设备 l工业机械及自动化 找元器件就上唯样商城
TDK推出带电流补偿功能紧凑型环形磁芯扼流圈 TDK推出新系列带电流补偿功能的爱普科斯 (EPCOS) 双环形磁芯扼流圈。新系列元件能有效抑制共模干扰,有三种尺寸可选,在250 V AC (50/60 Hz) 的额定电压条件下可提供10 A至17 A的电流处理能力,电感值范围为1.0 mH至6.25 mH,具体视型号而定。来唯样商城,更多TDK扼流圈新技术,新型号等你来探索!TDK推出新系列带电流补偿功能的爱普科斯 (EPCOS) 双环形磁芯扼流圈。新系列元件能有效抑制共模干扰,有三种尺寸可选,在250 V AC (50/60 Hz) 的额定电压条件下可提供10 A至17 A的电流处理能力,电感值范围为1.0 mH至6.25 mH,具体视型号而定。B8272 * V2 * U *系列扼流圈的最高工作温度为70°C,底板和环芯磁芯之间采用阻燃等级为UL 94 V-0,相对电痕指数等级为CTI600的塑料垫片,并且铁氧体磁芯的环氧涂层也具有相同的UL阻燃等级和CTI等级。这些EMC元件的尺寸范围为33 x 23 x 30 mm3至39 x 23 x 37 mm3之间,相对于出色的电流处理能力来说,其尺寸极小。新系列环形磁芯扼流圈的漏磁电感约为0.4%,广泛适用于开关电源、转换器和家用电器,符合RoHS指令要求,能有效抑制对称干扰。 主要应用 l开关电源、转换器和家用电器 主要特点与优势 l优异的电流处理能力:10 A 至 17 A @250 V AC l紧凑的尺寸:33 x 23 x 30 mm3 至 39 x 23 x 37 mm3 l约为0.4%的漏磁电感,能有效抑制对称干扰 找元器件就上唯样商城
国巨 | 推出保护元件 - TVS瞬态抑制二极体于快速成长的汽车及5G Y唯样商城是电子元器件线上授权代理平台,将为您介绍YAGEO最新专题系列的产品技术及资讯。全球被动元件领导厂商-国巨集团,为因应快速成长的电动车及5G通讯市场需求,主推半导体扩散工艺制成的瞬态抑制二极体(TVS)保护元件。TVS是采用半导体扩散工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的元件。TVS具有较高的可靠性,以及较低的动态内阻及低钳位电压,相较其他过压保护元件,TVS具有较快的回应速度。TVS具备击穿电压精度高的特性,击穿电压一般为±5%的偏差。基于上述优点适用于对保护器件要求较高的场合,如: 汽车电子、工业控制、照明及通信等产业 ; DC电源线、RS485 介面、通信电源及I/O接口的应用等。 对于汽车电子高防护要求的应用来说,回应速度快、高可靠性、低钳位电压、小封装的TVS成为关键性的保护器件。例如24V系统汽车电子产品的DC电源输入口,因使用环境复杂,行车环境因素的多变性,抛负载发生时会产生很大干扰脉冲,对汽车电子产品后级的DC/DC、积体电路造成损坏,为了行车的安全性和使用寿命,需要在抛负载发生时迅速的回应。TVS以皮秒级的回应速度和精确的击穿电压,能在第一时间抑制干扰。 通讯应用方面,以常用的通讯介面-RS485为例,由于通讯传输距离长,且其传输线通常暴露于户外,因此极易因为雷击等原因引入瞬态过电压干扰,而 RS485 收发器通常工作在低压状态 (5V左右),自身的抗干扰性较低,没有可疏导瞬变电压干第一时间扰的路径,如果不加适当保护很容易造成通信介面晶片损坏,而TVS的钳位电压低等优势可以作为RS485通讯介面浪涌防护的首选器件。 为因应电动车、5G基地台需求量逐年增加而产生的保护元件需求,国巨主推的TVS保护元件因其反应速度快、高可靠性、低钳位电压及小封装的特性,在过电压保护元件中占有不可或缺的地位,我们预期将在未来的应用市场大放异彩。 找元器件就上唯样商城
芯片都这么卷了,汽车芯明天会好吗 汽车是近现代社会发展至关重要的一环,从蒸汽机、内燃机发展到如今的电动汽车。汽车是近现代社会发展至关重要的一环,从蒸汽机、内燃机发展到如今的电动汽车。电动化、网联化、智能化已成为汽车产业的发展潮流和趋势,构造也越来越复杂,除了常用的车规元器件阻容感外,所用到的芯片也越来越多,往常制造一辆汽车一般所用到的芯片大致是在500-600颗左右。 而随着汽车的“三化”升级发展,目前制造每辆汽车所需芯片数量已经达到了上千颗以上,某些好的新能源汽车甚至需要数千颗芯片。雨刷器,空调,座椅记忆,转向灯等目前车上常见的配置,都有芯片的参与,甚至连油门也需要传感器,总之,离开芯片,汽车怕是寸步难行... 芯片如此重要,所以近几年市场缺芯不止咱们普通的采购、工程师头疼,你可以看到许多汽车行业的大佬对于缺芯涨价,内心也是洋洋洒洒好一番感慨。华为常务董事、终端BG CEO余承东的采访 汽车芯片的重要性不言而喻,它分为计算芯片、控制芯片、功率芯片、感知芯片、驱动芯片、存储芯片、电源芯片等七大类,产业链庞大。2021年汽车半导体在全球半导体市场中的份额高达12.4%,约为436亿美元,是仅次于计算机(31.5%)和通讯领域(30.7%)的第三大应用场景,根据预测,到2030年,将有超过1150亿美元的半导体用于汽车行业。 但热门的东西最怕缺,缺芯,还是缺芯~行业内老调重弹的话题,一“芯”难求,真“芯”可贵,业内人对它的调侃层出不穷。总体来看,车规级元器件的供应还好,但芯片真的是挺卷的。 近期火爆的可达鸭够难抢了吧?小鹏汽车董事长发文表示比可达鸭更难抢的是汽车芯片,只见他发的可达鸭右书“急求”,左书“芯片”,表面幽默之下,透露的更多是无奈...求芯可达鸭 半导体芯片产业,我们发展起步较晚,而车规级的产品要求较高,因此目前有90%的汽车芯片都依赖于进口。汽车芯片市场中有许多出名的公司,如德国的英飞凌,荷兰的NXP,日本的瑞萨,美国的德州仪器等都占据了市场的大头。从这一方面来看,缺芯未尝不是一件好事,海外汽车芯片厂商供应短缺反而增加了国内厂商的供应链导入机会,汽车半导体国产替代进程有望全面提速。 小编一直在想,要是真的能实现大部分的元器件、芯片国产化,那么车规元器件、芯片应该能回归合理的价格区间,货源也能保证充足,车规级元器件、芯片虽然做工品质要求高,但我们最擅长的也是后来居上~这点不成问题。 唯样商城也一直关注着半导体行业的发展,为解决元器件、芯片半导体采购难的问题而努力着,在车规级产品这块,唯样一直有着天然的品牌优势。 比如在车规级集成电路芯片这一块您可以选择英飞凌、MPS、Torex等品牌。元器件阻容方面,您可以选择唯样有代理的国巨、基美、TDK、丽智等品牌。在分立半导体中,您可以选择唯样代理的AOS、罗姆、安世、捷捷微、友台等品牌……未来唯样也会在车规级产品领域不断拓宽产品线,给大家提供更广泛的产品与技术支持! 找元器件就上唯样商城
内卷加速的手机市场,如何寻找新契机 集成电路寒潮之下,手机行业如何破局成为关键!21世纪手机不离身已经是大多数人的常态,根据App Annie发布的《2022年移动状态报告》信息数据显示,中国用户平均每天使用手机时长达4.8小时,全球消费者每分钟的应用下载次数超过435000次,在各大网站做起手机评测的UP主也不在少数,智能机已经融入到我们现代生活的方方面面。(数据来源:网络) 手机市场规模虽然庞大,但未来依然存在危机,其市场的发展也经历了高峰和低谷。在2012-2016年,国内的智能手机出货量基本保持着高速增长状态,并在2016年到顶,国内手机市场逐步形成了苹果、华为、小米、OPPO、vivo等鼎足而立的局面。进入2017年后国内手机市场开始出现了一定程度地下滑,随着技术、资金各方面内卷持续加大,许多中小手机厂商在市场顿感寸步难行,悻悻退场,市场份额逐步集中于头部厂商,行业格局趋向于稳定。2021-2022年国内手机市场出货量及5G手机占比(数据来源:中国信通院) 进入2020-2021年,因为疫情的原因,人们更多接受远程办公,手机市场出现了一定程度地回暖,但这种蜜月没有持续多长时间,2022年的手机市场很快又进入了下行通道,根据中国信通院数据显示,2022年1-10月,国内市场手机总体出货量累计2.2亿部,同比下降21.9%,其中,5G手机出货量1.73亿部,同比下降17.7%,占同期手机出货量的78.4%。2022年Q3国内智能手机市场数据(数据来源:Canalys) 手机与半导体行业息息相关,一荣俱荣,一损俱损,一部手机的组成需要阻容感、二三极管、电源开关、处理芯片、射频芯片、连接器等各类元器件,手机相关的半导体在唯样商城的日常销售也占有相当大一部分的比例,手机集成的功能越强大,所需元器件自然也会越多,比如5G手机芯片的使用量是4G手机的两倍,在5G概念开启后,带动了一波5G芯片浪潮,有数据统计过,在手机市场鼎盛时期,仅2017年一年全球所需的手机处理器芯片数量就比2011年增加了10亿个,如此庞大的市场也让高通、联发科等芯片厂商吃足了时代的红利。 手机曾为半导体行业的辉煌推波助澜,但盛极必衰,早在2022年一季度的时候就有新闻爆料国内各大安卓手机厂商计划削减约1.7亿部订单,占2022年出货量的20%,从数据来看手机市场正在走下降通道,许多人感觉手机创造的半导体黄金时代似乎就要结束了! 手机出货量的下滑,非常重要的一个原因是手机性能过剩。各类手机处理器芯片基本每半年就有一次大升级,如今连210W快充,一亿像素,OLED高刷屏等旗舰机专属配置都能出现在中低端机中。现在网友对手机性能并没有那么多要求,几年前的手机性能也已足够满足日常的使用,再加上疫情因素,现在人们的消费欲望降低,因此手机销量的下降也在意料之中。 面对手机市场的寒潮,众多厂商正在绞尽脑汁破局,万类霜天竞自由,这对于手机市场也是一个新的机遇,当真正找到破局点后,与之对应的半导体市场也必将焕发第二春! 找元器件就上唯样商城
与动物对话不再是科幻?跨物种翻译技术正在来袭! 你期待能与动物对话交流吗?或许不久的将来就能实现! 在动画《机器猫》中大雄和小叮当经常去外星球探险,剧中神奇道具“翻译魔芋”频频登场,不论是外星人还是动物,只要吃下这种魔芋,双方就能互通语言进行无障碍沟通,“翻译魔芋”是1979年作者创作时所设想的科幻道具,如今40余年过去,越来越多的科研机构开始研究人类与动物间的跨物种翻译技术,该技术的实现将不再是天方夜谭。 犬类能协助人们捕猎,经过训练的乌鸦能帮助清洁人员捡拾垃圾,甚至能帮人类从一大堆废弃电子元器件中挑选出还能用的部件,但这离电影里的无障碍沟通还差之甚远,科学家们当然并不满足于此,他们想完全弄明白动物每时每刻的情感表达。 在一篇Scientific Reports研究论文中,我们观察到,平时小猪哼哼唧唧时是有感情传达的。通过人工智能系统的分析,猪能通过叫声表达感情,论文中研究团队发明的猪语翻译器准确率高达92%。随着越来越多的声音被录入,此系统在未来可以区分更多动物的复杂情绪,这套人工智能系统的最大特点将是通过传感器采集动物数据继而进行分析,目前市面上传感器类型繁多,像TDK、ROHM、TE等对传感器领域颇有研究的品牌会成为供应首选。基于机器算法根据情绪和环境对声猪叫声进行分类(图源:Scientific Reports) (左边是红色消极场景与绿色积极场景的声音对比,右边是具体不同场景的对比) 自然界中还有许多动物声音是人类听不到的,比如蝙蝠超声波,大象次声波,这些“无声的声音”我们可以借助无人机、人工智能等各种科技设备采集并翻译,从而理解动物意图,实现跟动物的交流。 在《生命的声音:数字技术如何让我们深入动植物世界》一书中提及,“人类小型化技术的发展能使麦克风放在蜜蜂等微小动物的身上…这些数字设备就像一个行星级助听器,使人类能够超越我们感官能力的限制,倾听和研究大自然的声音”。作者还叙述了人类与蜜蜂沟通的案例,科学家将蜜蜂信号编码到机器人当中,再将机器人放入蜂巢,机器人能利用蜜蜂的摇摆舞交流方式告诉蜜蜂飞到哪里寻找花蜜,蜜蜂们则将此机器人当成了它们的成员,跟随机器人的指令行动,如此人类借助科技设备完成与蜜蜂的沟通。 当然,还有海洋生物的语言翻译,由哈佛、谷歌研究院等知名学府和机构专家组成的团队开启过一个5年项目“鲸类动物翻译计划”,目标正是破译鲸语,为此他们研发出多种科技设备用于辅助实验。 比如他们利用一种精密高分辨率的水下传感器,放置在海域中全天候记录鲸鱼的声音数据,监听系统与海面浮标相连接,再通过海底水听器将声音信号转化为电信号,同时还在鲸鱼身上放置传感器,用于记录鲸鱼的位置、声音、姿态等数据。此外,研究人员还利用空中、水下无人机,用于导航、视频音频记录,以此协助记录各种实验数据,目前研究团队能通过鲸鱼的声音识别出是哪一只鲸鱼个体发出的,准确率高达94%,但最终实现破译鲸语还需要一段过程。想要完全实现跨物种翻译,人类需要借助无人机、机器人、人工智能等各种科技设备的力量,而电子元器件是组成这些科技设备的基础。其中传感器的作用尤为重要,实验过程需要搜集动物的各类数据,传感器可以对动物的声音、位置、情绪、动作等各种数据进行采样记录,在实验中不可或缺。唯样商城有众多传感器的品牌可供选择,比如TDK、ROHM、TE等这些品牌的传感器正在各种高科技设备中发挥着关键作用。 以上对小猪、蜜蜂、鲸鱼等多个动物大类的语言翻译研究,我们可以发现,不积小流无以成江海,实现跨物种翻译注定是一个漫长的工程,但目前已有众多科研团队着手研究此类项目并取得了可喜的进展,有专家乐观预测不久的将来我们便可以利用计算机实现与动物的无障碍交谈,唯样商城也将在跨物种翻译研究领域尽一份力量。 找元器件就上唯样商城
泰科 | PCle第五代CEM连接器 TE Connectivity(以下简称“TE”)近期正式上线PCle第五代CEM连接器,给你的数据传输提速加码,为新一年的“兔”飞猛进开个好头。 提速up up 度过了一个愉快的新春假期,接下去又要好好努力了。面对全新的一年,大家是不是也会希望可以“跑”得快些、再快些?TE Connectivity(以下简称“TE”)近期正式上线PCle第五代CEM连接器,给你的数据传输提速加码,为新一年的“兔”飞猛进开个好头。 TE的 PCIe第五代CEM 连接器可以实现所有代际的 PCI Express 信号传输,同时满足更高速率的性能需求,其数据速率支持高达每秒 32 千兆传输(GT/s)的差分信号对。我们拥有品类齐全的产品组合,可在项目早期提供样品支持,快速过渡到大规模生产,并能保证高可靠性的信号完整性。 TE PCIE 第五代CEM连接器满足高速需求下的各种应用要求 1、主要优势 支持下一代处理器,实现更好的系统应用扩展和更高带宽 在接口和安装空间方面可向后兼容 PCIe Gen 4/3/2/1 产品 提供多种配置,满足各种应用的需求 提供一站式解决方案和灵活的小批量样品 完全符合环境、健康和安全要求 2、重点市场 数据中心 高性能计算机(HPC) 人工智能 测试与测量 汽车 找元器件就上唯样商城
英飞凌 | 汽车安全解决方案、智能门锁与能量采集技术 英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、 25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET 未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。该新产品系列采用了英飞凌最新的MOSFET产品技术和领先的封装技术,将系统性能提升至新的水平。在源极底置(SD)封装内部,MOSFET晶圆的源极触点被翻转、并朝向封装的足底一侧,然后焊接到PCB上。此外,该封装内部在芯片顶部还有一个改进的漏极铜夹片设计,实现了市场领先的芯片/封装面积比。 随着系统尺寸的持续变小,降低功率损耗和改进散热这两个关键因素变得至关重要。与当前市面上领先的PQFN 3.3 x 3.3 mm² 漏极底置封装的器件相比,英飞凌新产品系列的导通电阻(RDS(on))大幅降低了25%。英飞凌双面散热、PQFN封装、OptiMOS™源极底置功率MOSFET可提供一个增强的热界面,将功率损耗从开关器件传导至散热器。双面散热的结构能够以最直接的方式将功率开关连接至散热器,其功耗能力与底部散热、源极底置功率MOSFET相比提高了三倍。该新产品系列提供了两种不同的引脚排列形式,为PCB布线提供了极大的灵活性。采用传统标准门极布局的引脚排列形式可实现快速、简单地修改现有的漏极底置设计;而采用门极居中布局的引脚排列形式为多个器件并联提供了新的可能性,并且可以最大限度地缩短驱动芯片与门极之间的走线距离。采用PQFN 3.3 x 3.3 mm²封装的新一代25-150 V OptiMOS™源极底置功率MOSFET具备优异的连续电流能力,最高可达298A,可以实现最高的系统性能。 找元器件就上唯样商城
干货 | 电容在电路35个基本常识 第1个 电压源正负端接了一个电容,与电路并联,用于整流电路时,具有很好的滤波作用,当电压交变时,由于电容的充电作用,两端的电压不能突变,就保证了电压的平稳。 当用于电池电源时,具有交流通路的作用,这样就等于把电池的交流信号短路,避免了由于电池电压下降,电池内阻变大,电路产生寄生震荡。 第2个 比如说什么样的电路中串或者并个电容可以达到耦合的作用,不放电容和放电容有什么区别? 在交流多级放大电路中,因个级增益及功率不同.各级的直流工作偏值就不同!若级间直接耦合则会使各级工作偏值通混无法正常工作!利用电容的通交隔直特性既解决了级间交流的耦合,又隔绝了级间偏值通混,一举两得! 第3个 基本放大电路中的两个耦合电容,电容+极和直流+极相接,起到通交隔直的作用,接反的话会怎么样,会不会也起到通交隔直的作用,为什么要那接呀! 接反的话电解电容会漏电,改变了电路的直流工作点,使放大电路异常或不能工作。 第4个 阻容耦合放大电路中,电容的作用是什么? 隔离直流信号,使得相邻放大电路的静态工作点相互独立,互不影响。 第5个 模拟电路放大器不用耦合电容行么,照样可以放大啊? 书上放大器在变压器副线圈和三极管之间加个耦合电容,解释是通交流阻直流,将前一级输出变成下一级输入,使前后级不影响,前一级是交流电,后一级也是交流电,怎么会相互影响啊,我实在想不通加个电容不是多此一举啊。 你犯了个错误,前一级确实是交流电,但后一级是交流叠加直流,三极管是需要直流偏置的,如果没有电容隔直,则变压器的线圈会把三极管的直流偏置给旁路掉,因为电感是通直流的。 第6个 基本放大电路耦合电容,其中耦合电容可以用无极性的吗? 在基本放大电路中,耦合电容要视频率而定,当频率较高时,需用无极电容,特点是比较稳定,耐压可以做得比较高,体积相对小,但容量做不大。 其最大的用途是可以通过交流电,隔断直流电,广泛用于高频交流通路、旁路、谐振等电路,简单理解为高频通路。 当频率较低时,无极电容因为容量较低容抗相对增大,就要用有极性的电解电容了,由于其内部加有电解液,可以把容量做得很大,让低频交流电通过,隔断直流电。 但由于内部两极中间是有机介质的,所以耐压受限,多用于低频交流通路、滤波、退耦、旁路等电路,简单理解为低频通路。 第7个 耦合电容起什么作用? 在放大电路中,利用耦合电容通交隔直的作用,使高频交流信号可以顺利通过电路,被一级一级地放大,而直流量被阻断在每一级的内部。 第8个 请问用电池供电的电路中,电容为什么会充放电,起到延时的作用? 电容是聚集电荷的,你可把它想象成个水杯,充放电就是充放水,在充电过程中,电压是慢慢的上升的,放电反之,你只需检测电容两端电压就能实现延时。 如充电,开始时,电容两端电压为零,随着充电时间延长,电压逐渐上升到你设定的电压就能控制电路的开关。 当然,也可反过来利用放电。延时时间与电容容量、电容漏电,充电电阻,及电压有关,有时还要把负载电阻考虑进去。 第7个 阻容耦合,是利用电容的通交隔直特性,防止前、后级之间的直流成分引起串扰,造成工作点的不稳定。 第10个 阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号,对还是错? 对,电容是一种隔直流阻交流的电子元件.所以阻容耦合放大电路只能放大交流信号.放大直流信号用直接耦合放大电路。 第11个 放大电路中耦合电容和旁路电容如何判别? 耦合电容负极不接地,而是接下一级的输入端,旁路电容负极接地。 第12个 运放的多级交流放大电路如何选用电容耦合? 其实很间单,一般瓷片电容就可搞定!要效果好的话可选用钽电容,按照你输入信号的频率范围高频的可选用103、104容值的电容,对于较低频率的交流信号可选用22uF左右的电解电容。 第13个 放大电路采用直接耦合,反馈网络为纯电阻网络,为什么电路只可能产生高频振荡? 振荡来源于闭环的相移达到180度并且此时的环路增益是大于零的,采用纯电阻网络作为反馈网络是一定不会引入相移的,所以呢全部的相移是来自于放大器的开环电路。 采用直接耦合的开环放大器在级之间是不会有电容元件引起相移的,那么能够引起相移的便是晶体管或MOS管内部的电容,这些电容都是fF,最大pF级的电容,这些电容与电路等效电阻构成的电路的谐振频率是相当高的。 所以放大器采用直接耦合,反馈网络为纯阻网络只可能产生高频振荡。 第14个 阻容耦合放大电路的频带宽度是指(上限截至频率与下限截至频率之差)阻容耦合放大电路的上限截止频率是指(随着频率升高使放大倍数下降到原来的0.707倍,即-3dB时的频率)阻容耦合放大电路的下限截止频率是指(随着频率降低使放大倍数下降到原来的0.707倍,即-3dB时的频率)。 阻容耦合放大电路的上限截止频率主要受(晶体管结电容,电路的分布电容)的影响,阻容耦合放大电路的下限截止频率主要受(隔直电容与旁路)电容的影响。 第15个 在多级放大电路里面电解电容是怎么耦合到下一级的呢在电容里面的特性不是隔直的吗,它是怎么传送过去的呢?还有为电容要通过三极管的集电极来接呢,发射极为什么不可以呢? 电解电容都是在交流放大器里面工作,而交流的电流方向呈周期性变化,三极管能正常导通吗? 还有NPN型的三极管的集电极不是从C到B的吗,那它的电流是怎么通过流到下一级的三极管的基极的呢? 用电解电容做耦合的放大器,都是交流放大器,电解电容在这里作“通交隔直”用,由三极管的哪个极输出,是电路形式的问题,两者都有。 第16个 1、怎样估算第一级放大器的输出电阻和第二级放大器的输入电阻? 2、当信号源的幅度过大,在两级放大器的输出端分别会出现什么情况? 3、用手在放大器的输入端晃动,观察放大器的输出端,看是否出现了什么?原因是什么? 1、第二级放大器的输入电阻就是第一级放大器的输出电阻。 2、失真。 3、杂波,人体感应 第17个 电容可以起到耦合作用?比如说什么样的电路中串或者并个电容可以达到耦合的作用,不放电容和放电容有什么区别? 在交流多级放大电路中,因个级增益及功率不同,各级的直流工作偏值就不同!若级间直接耦合则会使各级工作偏值通混无法正常工作!利用电容的通交隔直特性既解决了级间交流的耦合,又隔绝了级间偏值通混,一举两得! 第18个 电容就是充放电。那怎么利用电容的充放电,去理解滤波,去耦,旁路..... 电容隔直流通交流,隔直流好理解,通交流不好理解,只要理解了通交流就理解了滤波、去耦和旁路。 电容就是充放电,不错,但交流电的方向,正反向交替变化,振幅的大小也做周期性变化,整个变化的图像就是一条正弦曲线。 电容器接在交流电路中,由于交流电压的周期性变化,它也在周期性的充放电变化。线路中存在充放电电流,这种充放电电流,除相位比电压超前90度外,形状完全和电压一样,这就相当于交流通过了电容器。 和交流电通过电阻是不同,交流电通过电阻,要在电阻上消耗电能(发热),而通过电容器只是与电源做能量交换,充电时电源将能量送给电容器,放电时电容器又将电能返还给电源,所以这里的电压乘电流所产生的功率叫无功功率。 需要明确的是,电容器接在交流电路中,流动的电子(电流)并没有真正的冲过绝缘层,却在电路中产生了电流。这是因为在线路中,反向放电和正向充电是同一个方向。 而正向放电和反向充电是同一个方向,就象接力赛跑,一个团队跑完交流电的正半周,另一个团队接过接力棒继续跑完交流电的负半周。 理解了电容器通交流,那么,交流成份旁路到地,完成滤波也就可以理解了。 第19个 旁路电容和滤波电容,去耦电容分别怎么用?可以举一些实例说明。 这三种叫法的电容,其实都是滤波的,只是应用在不同的电路中,叫法和用法不一样。 滤波电容:这是我们通常用在电源整流以后的电容,它是把整流电路交流整流成脉动直流,通过充放电加以平滑的电容,这种电容一般都是电解电容,而且容量较大,在微法级。 旁路电容:是把输入信号中的高频成份加以滤除,主要是用于滤除高频杂波的,通常用瓷质电容、涤纶电容,容量较小,在皮法级。 去耦电容:是把输出信号的干扰作为滤除对象,去耦电容相当于电池,利用其充放电,使得放大后的信号不会因电流的突变而受干扰。它的容量根据信号的频率、抑制波纹程度而定。 第20个 什么是耦合电容,去耦电容,有什么特点和作用? 耦合电容是传递交流信号的,接在线路中,去耦电容是将无用交流信号去除的,一段接在线路中、一端接地。 第21个 关于电容有几作用,在什么情况才电容耦合,在什么情况才电容滤波? 电容器在电路里的十八般武艺归根到底就是两个!充电荷!放电荷! 其特性就是通交流!隔直流!电容两端加上交变电压后会随电流交变频率而不断的充放电!此时电路里就有同频率的交变电流通过!这就是电容的通交特性! 在频率合适的情况下电容对电路可视为通路!前级交流输出经电容就可传至后级电路! 而对直流来说它却是隔绝的!因为两端电压充至与电路电压相等时就不会再有充电电流了! 作用于前后级交流信号的传递时就是耦合!作用于滤除波动成份及无用交流成分时就是滤波! 第22个 大家都知道,整流电路的电容滤波是利用其充放电;但是有时候滤波是利用电容对不通频率信号的容抗不同,比如旁路电容,所以分析电容滤波时到底用哪个角度分析啊? 其实不论是哪种说法都是一个道理,利用充放电的理论较笼统一些,利用容抗的的理论则更深入一些,电容的作用就是利用了其充放电的特性,看你想滤除什么成份,滤低频用大电容,滤高频用小电容,在理论上低频整流电路中的滤波和高频中的旁路是相同的都是利用了容抗的不同。 第23个 电容如何实现充放电、整流、滤波的功能? 电容的充电,放电,整流和滤波甚至包括它的移相,电抗等功能,都是电容的存储功能在起作用。 电容之所以能够存储电荷,是利用了正负电荷之间有较强的互相吸引的特性来实现的。 在给电容充电时,人们通过电源将正电荷引入正极板,负电荷引入到电容的负极板。 但是正负电荷又到不了一起这是因为有一层绝缘模阻隔着它们。隔模越大越薄引力也就越大。 存储的电荷也就越多。正负电荷在十个极板间是吸引住了但是如果你给它提供一个外电路它们就会能过这个外电路互相结合,也就是放电。 它们毕竟是一高一低麻。形像来说电容就像一个储水池。它可以形像地说明它的整流波波的作用。 第24个 滤波电容充电满了之后然后对后面回路放电然后在充放循环?稳压二极管是击穿稳压还是不击穿稳压? 其实你说的很对,它在电路中就是这么一个工作的过程,但是他跟信号的频率有关系,首先看你要把电容放在电路中用着什么,当用作滤波时,它把一定频率信号滤除到地,如芯片电源前端的电容,有的则是去耦,你说的现象就像稳压关前的滤波电容和开关电源输出的滤波电容。 关于稳压管我给你举个例子吧,假如有个5V的稳压管,当电压小与5V,电压就等与它本身的电压,当电压高于5V,稳压管就把电压稳到5V,多余的电压把稳压关击穿通道第上去了。 第25个 电容的耦合是什么具体意思啊?它和滤波有什么区别吗? 耦合指信号由第一级向第二级传递的过程,一般不加注明时往往是指交流耦合。 退耦是指对电源采取进一步的滤波措施,去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。 耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。 退耦有三个目的: 将电源中的高频纹波去除,将多级放大器的高频信号通过电源相互串扰的通路切断; 大信号工作时,电路对电源需求加大,引起电源波动,通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响; 形成悬浮地或是悬浮电源,在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹。 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播,去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 第26个 电容的作用是什么?我只知道滤波,就是滤除交流信号。 不只是滤波,全部给你吧: 1.电容器主要用于交流电路及脉冲电路中,在直流电路中电容器一般起隔断直流的作用。 2.电容既不产生也不消耗能量,是储能元件。 3.电容器在电力系统中是提高功率因数的重要器件;在电子电路中是获得振荡、滤波、相移、旁路、耦合等作用的主要元件。 4.因为在工业上使用的负载主要是电动机感性负载,所以要并电容这容性负载才能使电网平衡。 5.在接地线上,为什么有的也要通过电容后再接地咧? 在直流电路中是抗干扰,把干扰脉冲通过电容接地,在这次要作用是隔直——电路中的电位关系;交流电路中也有这样通过电容接地的,一般容量较小,也是抗干扰和电位隔离作用。 6.电容补尝功率因数是怎么回事? 因为在电容上建立电压首先需要有个充电过程,随着充电过程,电容上的电压逐步提高,这样就会先有电流,后建立电压的过程,通常我们叫电流超前电压90度,电容电流回路中无电阻和电感元件时,叫纯电容电路。 电动机、变压器等有线圈的电感电路,因通过电感的电流不能突变的原因,它与电容正好相反,需要先在线圈两端建立电压,后才有电流,电感电流回路中无电阻和电容时,叫纯电感电路,纯电感电路的电流滞后电压90度。 由于功率是电压乘以电流,当电压与电流不同时产生时,如:当电容器上的电压最大时,电已充满,电流为0;电感上先有电压时,电感电流也为0,这样,得到的乘积(功率)也为0!这就是无功。 那么,电容的电压与电流之间的关系正好与电感的电压与电流的关系相反,就用电容来补偿电感产生的无功,这就是无功补偿的原理。 第27个 电容器在电路中是如何起到滤波作用的?电容是开路的,交流电通过时是在给电容充电吗?电容是并联还是串联? 电容器的容抗随着两端加的交流电的频率不同而改变,Z=1/2*3.14*FC,根据需要滤除哪个频率的电流,设置不同的容值。 这样就可以把不需要的电流引到地,就完成了滤波,而对需要的频率的电流,电容是通路的或阻抗很小,交流电通过时,是反复充电和放电的过程。 第28个 退偶电容,滤波电容,旁路电容,三者都有什么作用,它们之间的区别和联系是什么? 例如晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。 电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件,例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下工作,就在阴极对地串接一个电阻,利用板流形成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技术叫做“自偏”,但是对(交流)信号而言,这同时又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。 滤波电容就更好理解了,电容有通交流阻直流的功效,滤波就是我可以通过选择不同的滤波电容,把一定频率的交流信号滤掉,留下想要的频率信号。 第29个 请问耦合电容就是去耦电容么? 完全不同,耦合电容是信号传递,去耦电容是减少干扰。 第30个0、 电容去耦的原理是什么? 直流电路窜入交流信号或交流放大电路的自激回授,都会产生不良后果!为了阻止该交流成份逐级耦合放大,在级间设置电容使之回流入地!该电容就是退耦电容! 第31个1、 耦合和去耦有什么区别,耦合电容和去耦电容的作用分别是什么,在电路中如何放置,有什么原则? 耦合电容的做用是将前级的交流信号输送到下一级! 耦合电容的位置是跨接在前级的输出和后级的输入两端! 退耦电容的做用是将放大器级间窜耦的无益交流信号短路入地! 退耦电容的位置是在某输入级的对地间! 第32个2、 如何区分电子电路中的电容是滤波电容还是旁路电容啊? 滤波电容在电源电路中,旁路电容在信号电路中,其实作用是基本一样的,滤波电容:将脉动的电流成份旁路或称滤除掉并起充放电作用,旁路电容:将电路中的高频或低频成份滤除或旁路掉。 第33个33、 请问去耦电容和旁路电容的区别? 旁路电容不是理论概念,而是一个经常使用的实用方法,电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件。 例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下工作,就在阴极对地串接一个电阻,利用板流形成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技术叫做“自偏”,但是对(交流)信号而言,这同时又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声,数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。 0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。 1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些,每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。 最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感,要使用钽电容或聚碳酸酯电容,去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。 一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去。 容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的耦合干扰。 旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除;去耦是为保正输出端的稳定输出(主要是针对器件的工作)而设的“小水塘”,在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作;补充一点就是所谓的耦合:是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件。 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播,去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。 从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载,如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大。 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。 去耦电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。 旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。 高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。 第34个34、 二极管、三极管、电容,在电路中怎样起作用? 1.二极管起单向导电作用。 2.三极管在模拟电路中起放大作用,在数字电路中起开关作用。 找元器件就上唯样商城
干货 | 关于逆变器,这些小知识你都了解么? 为大家介绍一下逆变器的作用、特点、工作原理、分类、使用注意、安装使用方法、常见问题与处理方法。 随着现代科技的进步,逆变器的出现为大家的生活提供了不小的便利,逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220V,50Hz正弦波),它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成,广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑、电视、洗衣机、抽油烟机、冰箱,录像机、按摩器、风扇、照明等,在国外因汽车的普及率较高外出工作或外出旅游即可用逆变器连接蓄电池带动电器及各种工具工作。下面为大家介绍一下逆变器的作用、特点、工作原理、分类、使用注意、安装使用方法、常见问题与处理方法。 逆变器的作用 1、逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220v50HZ正弦或方波)。通俗的讲,逆变器是一种将直流电(DC)转化为交流电(AC)的装置。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。 2、广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑、电视、洗衣机、抽油烟机、冰箱,录像机、按摩器、风扇、照明等 。 3、简单地说,逆变器就是一种将低压(12或24伏或48伏)直流电转变为220伏交流电的电子设备。因为我们通常是将220伏交流电整流变成直流电来使用,而逆变器的作用与此相反,因此而得名。我们处在一个"移动"的时代,移动办公,移动通讯,移动休闲和娱乐。在移动的状态中,人们不但需要由电池或电瓶供给的低压直流电,同时更需要我们在日常环境中不可或缺的220伏交流电,逆变器就可以满足我们的这种需求。 逆变器的特点 1、转换效率高、启动快; 2、安全性能好:产品具备短路、过载、过/欠电压、超温5种保护功能; 3、物理性能良好:产品采用全铝质外壳,散热性能好,表面硬氧化处理,耐摩擦性能好,并可抗一定外力的挤压或碰击; 4、带负载适应性与稳定性强。 逆变器工作原理 1、逆变器是一种DC to AC的变压器,它其实与转化器是一种电压逆变的过程。转换器是将电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出,而逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了用得比较多的脉宽调制(PWM)技术。其核心部分都是一个PWM集成控制器,Adapter用的是UC3842,逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6~40V,其内部设有一个误差放大器,一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。 2、输入接口部分:输入部分有3个信号,12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供,ENB电压由主板上的MCU提供,其值为0或3V,当ENB=0时,逆变器不工作,而ENB=3V时,逆变器处于正常工作状态;而DIM电压由主板提供,其变化范围在0~5V之间,将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端,逆变器向负载提供的电流也将不同,DIM值越小,逆变器输出的电流就越大。 3、电压启动回路:ENB为高电平时,输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。 4、PWM控制器:有以下几个功能组成:内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。 5、直流变换:由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路,输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,这样电感的另一端就能得到交流电压。 6、LC振荡及输出回路:保证灯管启动需要的1600V电压,并在灯管启动以后将电压降至800V。 7、输出电压反馈:当负载工作时,反馈采样电压,起到稳定I逆变器电压输出的作用。 逆变器的分类 1、按逆变器输出交流电能的频率分,可分为工频逆变器、中频逆器和高频逆变器。工频逆变器的频率为 50~60Hz的逆变器;中频逆变器的频率一般为 400Hz到十几kHz;高频逆变器的频率一般为十几kHz到MHz。 2、按逆变器输出的相数分,可分为单相逆变器、三相逆变器和多相逆变器。 3、按照逆变器输出电能的去向分,可分为有源逆变器和无源逆变器。凡将逆变器输出的电能向工业电网输送的逆变器,称为有源逆变器;凡将逆变器输出的电能输向某种用电负载的逆变器称为无源逆变器。 4、按逆变器主电路的形式分,可分为单端式逆变器,推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5、按逆变器主开关器件的类型分,可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为“半控型”逆变器和“全控制”逆变器两大类。前者,不具备自关断能力,元器件在导通后即失去控制作用,故称之为“半控型”普通晶闸管即属于这一类;后者,则具有自关断能力,即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制,故称之为“全控型”,电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6、按直流电源分,可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者,直流电压近于恒定,输出电压为交变方波;后者,直流电流近于恒定,输也电流为交变方波。 7、按逆变器输出电压或电流的波形分,可分为正弦波输出逆变器和非正弦波输出逆变器。 8、按逆变器控制方式分,可分为调频式(PFM)逆变器和调脉宽式(PWM)逆变器。 9、按逆变器开关电路工作方式分,可分为谐振式逆变器,定频硬开关式逆变器和定频软开关式逆变器。 10、按逆变器换流方式分,可分为负载换流式逆变器和自换流式逆变器。 逆变器使用注意 1、直流电压要一致 每台逆变器都有接入直流电压数值,如12V,24V等,)要求选择蓄电池电压必须与逆变器直流输入电压一致。例如,12V 逆变器必须选择12V蓄电池。 2、逆变器输出功率必须大于电器的使用功率,特别对于启动时功率大的电器,如冰箱、空调,还要留大些的余量。 3、正、负极必须接正确 逆变器接入的直流电压标有正负极。红色为正极(+),黑色为负极(-),蓄电池上也同样标有正负极,红色为正极(+),黑色为负极(-),连接时必须正接正(红接红),负接负(黑接黑)。连接线线径必须足够粗,并且尽可能减少连接线的长度。 4、应放置在通风、干燥的地方,谨防雨淋,并与周围的物体有20cm以上的距离,远离易燃易爆品,切忌在该机上放置或覆盖其它物品,使用环境温度不大于40℃。 5、 充电与逆变不能同时进行。即逆变时不可将充电插头插入逆变输出的电气回路中. 6、两次开机间隔时间不少于5秒(切断输入电源)。 7、请用干布或防静电布擦拭以保持机器整洁。 8、在连接机器的输入输出前,请首先将机器的外壳正确接地。 9、为避免意外,严禁用户打开机箱进行操作和使用。 10、怀疑机器有故障时,请不要继续进行操作和使用,应及时切断输入和输出,由合格的检修人员或维修单位检查维修。 11、在连接蓄电池时,确认手上没有其它金属物,以免发生蓄电池短路,灼伤人体。 12、使用环境,基于安全和性能的考虑,安装环境应具备以下条件: ①干燥:不能浸水或淋雨; ②阴凉:温度在0℃与40℃之间; ③通风:保持壳体上5CM内无异物,其它端面通风良好。 逆变器安装使用方法 1、将转换器开关置于关(OFF)的位置,然后把雪茄头插入车内点烟器插口,确保插到位而接触良好; 2、确认所有电器的功率在G-ICE标称功率以下方可使用,将电器的220V插头直接插入转换器一端的 220V插座内,并确保两个插座所有连接电器的功率之和在G-ICE标称功率以内; 3、开启转换器开关,绿色指示灯亮,表示工作正常。 4、红色指示灯亮,表示因过压/欠压/过载/过温,导致转换器关断。 5、在很多情况下,由于车用点烟器插口输出有限,使得正常使用时转换器报警或关断,这时只要发动车辆或减小用电功率即可恢复正常。 逆变器的常见问题与处理方法 一、绝缘阻抗低 使用排除法。把逆变器输入侧的组串全部拔下,然后逐一接上,利用逆变器开机检测绝缘阻抗的功能,检测问题组串,找到问题组串后重点检查直流接头是否有水浸短接支架或者烧熔短接支架,另外还可以检查组件本身是否在边缘地方有黑斑烧毁导致组件通过边框漏电到地网。 二、母线电压低 如果出现在早/晚时段,则为正常问题,因为逆变器在尝试极限发电条件,如果出现在正常白天,检测方法依然为排除法,检测方法与1项相同。 三、漏电流故障 漏电流太大,取下PV阵列输入端,然后检查外围的AC电网,直流端和交流端全部断开,让逆变器停电30分钟,如果自己能恢复使用就继续使用,如果不能恢复,就要联系专业工程师。 四、直流过压保护 随着组件追求高效率工艺改进,功率等级不断更新上升,同时组件开路电压与工作电压也在上涨,设计阶段必须考虑温度系数问题,避免低温情况出现过压导致设备硬损坏。 五、逆变器开机无响应 请确保直流输入线路没有接反,一般直流接头有防呆效果,但是压线端子没有防呆效果,仔细阅读逆变器说明书确保正负极后再压接是很重要的。逆变器内置反接短路保护,在恢复正常接线后正常启动。 六、电网故障 前期勘察电网重载(用电量大工作时间)/轻载(用电量少休息时间)的工作就在这里体现出来,提前勘察并网点电压的健康情况,与逆变器厂商沟通电网情况做技术结合能保证项目设计在合理范围内,特别是农村电网,逆变器对并网电压,并网波形,并网距离都是有严格要求的,出现电网过压问题多数原因在于原电网轻载电压超过或接近安规保护值,如果并网线路过长或压接不好导致线路阻抗/感抗过大,电站是无法正常稳定运行的。 找元器件就上唯样商城
盈和电 | IHTP系列功率电感新品上线 !盈和电科技有限公司为盈趣科技子公司,主要开展功率电感的研发、制造和销售业务。 本期介绍一款新型电子元器件——IHTP系列功率电感,它是 盈和电科技有限公司 研发制造的一款高功率、高饱和、低损耗的新型电子元器件。这款电感的金属磁体采用自研金属磁粉,具有低损耗、高性能特点。线圈采用扁平漆包铜线,可降低产品内阻,T-Core采用软磁非晶磁芯,提升了电感性能,底部电极电镀铜、镍、锡,增强附着力,降低产品内阻。此款电感可适用于各类移动设备和消费类电子,以下为产品详细数据。产品特性:尺寸范围:1608~4040(公制)电感值范围:0.24uH~10uH偏差:±20%工作温度范围:-40℃~125℃高功率、高饱和、低功耗 应用领域:VR头盔、车载导航、智能手机、平板电脑、通信设备、伺服驱动、蓝牙耳机、充电产品、智能手表 找元器件就上唯样商城
闻泰科技加大对安世投资,将高功率MOSFET产线引入中国 安世半导体 , 并购安世先进的封测技术和高功率MOSFET产品即将被引入中国 4月26日,闻泰科技公告披露了发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书(草案)。在高达58亿元的配套融资方案中,安世中国先进封测平台及工艺升级项目和云硅智谷4G/5G半导体通信模组封测和终端研发及产业化项目这两项尤为令人瞩目。这意味着闻泰科技开始加大对安世的投资,安世先进的封测技术和高功率MOSFET产品即将被引入中国,这对闻泰科技的业绩增长和中国半导体行业整体水平的提升都有重要意义。 根据财报显示,2019年闻泰科技实现营业收入415.78亿元,同比增长139.85%;净利润12.54亿元,同比增长1954.37%!安世集团是全球知名的半导体IDM公司,有60多年半导体研发和制造经验。安世集团客户超过2.5万个,产品种类超过1.5万种,年产能超过1000亿颗,每年新增700多种新产品,全部为车规级产品。2019年,闻泰科技以338亿元收购这家欧洲半导体巨头,其主要业务分立器件、逻辑器件和MOSFET器件均位于全球领先地位。关于分立器件业务,安世集团主要产品包括各类小信号和中等功率产品组合、基准静电释放保护器件、低电压肖特基二极管、低电压晶体管等。安世集团拥有广泛的低成本、量产产品组合,其小信号二极管、小信号晶体管及ESD保护器件产品在全球市场的占有率位列第一。 关于逻辑器件业务,安世集团在微型逻辑和标准逻辑领域的产品组合丰富,0.7伏-18伏供给电压范围的逻辑技术处于领先地位,特别是在汽车工业客户群广泛,其逻辑器件产品在全球市场的占有率排名第二。 关于MOSFET器件业务,安世集团产品范围涵盖30伏-100伏各种高可靠性沟道MOSFET工艺,中、低压MOSFET产品组合领先,在汽车、电源、电信设备、服务器等严苛环境的高可靠性需求应用领域有丰富的客户设计订单,其小信号MOSFET器件在全球市场的占有率排名第三,车用功率MOSFET器件在全球市场的占有率排名第二。 闻泰科技与安世半导体联合研发的首款4G车载通讯模块产品WM418已在4月初步验证成功,这款产品引入更先进的设计和封装方式,并对传统的车载通讯模块进行了车规级升级,拥有广阔的市场前景。 此次闻泰与安世联合研发车载通讯模块产品只是双方在汽车电子领域的小试牛刀,双方还将联合研发5G+V2X车载模块等产品,打开5G时代智能汽车的蓝海。 闻泰科技董事长兼CEO、安世半导体董事长兼CEO张学政曾表示,闻泰将利用自身在通讯领域和安世在半导体领域的深厚积累,加快闻泰和安世在客户、供应链、研发资源、创新能力等方面协同,在5G来临的风口,帮助安世在消费领域、闻泰在汽车领域快速形成突破,实现闻泰通讯业务和半导体业务的协同发展。 找元器件就上唯样商城
Nexperia | MOSFET 如何轻松应对传导损耗 有四个主要元件可满足电池反向保护,分别是恢复整流二极管、肖特基整流二极管、P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。 在今天的演示中,我们将展示每种方法的实际应用,您可以详细了解 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 如何处理应用中的传导损耗。本演示使用的功率 MOSFET 和整流二极管来自符合 AEC-Q101 标准且适用于汽车应用的产品组合。40V 功率 MOSFET 采用 LFPAK 5x6 铜夹片封装,二者均来自于 Nexperia(安世半导体)的广泛 N 和 P 沟道版本产品组合,在关键测试参数中,它们超出 AEC-Q101 测试两倍以上。 本演示还包含来自铜夹片 FlatPower 封装中的整流器—— CFP5 和 CFP15,凭借数十年开发高性能封装解决方案所积累的专业知识,我们能够提供一系列具有出色热效率和电气效率的封装,从而支持要求最严苛的应用。LFPAK 和 CFP 的独特铜夹片结构提供出色的稳健性和可靠性。如果与更传统的替代方案相比,还能够节省空间。经过测试的器件电流额定值使得封装非常适合要求最严苛的应用。 找元器件就上唯样商城
ROHM | 开发出12W级额定功率的0.85mm业界超薄金属板分流电阻器 ROHM开发出12W级额定功率的0.85mm业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”,即将推出15W级额定功率业界超小“PSR330”和“PSR100”的0.2mQ产品 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载和工业设备中的大功率应用,开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外,ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到业界超小级别的“PSR330”和“PSR100”,还计划推出0.2mQ的产品,以进一步增强“PSR系列”的产品阵容。在工业设备的功率模块中,早已出现了内置分流电阻器的产品。近年来,在xEV的主驱逆变器中,为了减小外壳尺寸,在模块两侧配置散热机构的薄型功率模块逐渐增加,在其中内置分流电阻器的需求也日益高涨。然而,以往的金属板分流电阻器较厚,有可能会影响功率器件的散热效率。另外,要想降低分流电阻器的厚度,还需要对多种焊接材料进行测试和评估。对此,ROHM利用垂直统合型生产体系的优势,可小批量测试各种焊接材料。通过积极响应市场需求的灵活开发体系,成功开发出业界超薄的功率分流电阻器。 PSR350利用ROHM垂直统合型生产体系的优势,通过优化材料和制造工序,以12W级额定功率实现了约为以往产品一半高度的0.85mm超薄封装。越来越多的车载主驱逆变器等产品开始采用双面散热功率模块,而ROHM的新产品使其内置功率器件芯片(IGBT或SiCMOSFET)和功率分流电阻器成为可能,这将有助于主驱逆变器的小型化发展。 与PSR350一样,PSR330通过优化材料和制造工序,缩小了产品尺寸,预计将以15W额定功率实现同级产品中业界超小的6464尺寸(6.4mm×6.4mm),与同等额定功率的以往产品相比,尺寸缩小约65%,因此非常有助于减少各种大功率应用的安装面积。 同时,ROHM计划将PSR100的下限电阻值由以往的0.3mQ扩展至0.2mQ,并推出相应的新产品,以支持更大电流检测应用。 新产品“PSR350”已经以月产100万个的规模投入量产。另外,“PSR330”和“PSR100”的0.2mQ产品计划于2023年11月开始提供样品。这些新产品的前期工序和后期工序的生产基地均为ROHMIntegratedSystems(Thailand)Co.,Ltd.(泰国)。 今后,ROHM将不断提高金属板分流电阻器的性能,继续为大功率应用的小型化和节能化贡献力量。<关于PSR系列> PSR系列是ROHM覆盖功率范围最高的金属板分流电阻器系列,在功率不断提高的车载设备和工业设备中的应用咨询与日俱增。通常,电阻器的额定功率和产品尺寸之间存在权衡关系,一般认为很难同时确保这两项值都满足需求。而ROHM的优势在于垂直统合型生产体系,可通过小批量试制来缩短开发周期。通过材料和制造工序的优化,以小尺寸实现了高额定功率,不仅如此,与同等额定功率的普通产品相比,新产品的电阻温度系数也显著降低,这将有助于应用产品的小型化和可靠性提升。<PSR系列的产品阵容><应用示例> 新产品均支持大电流检测用途,非常适用于配备电机和锂离子电池的应用产品。 ・车载:EPS、电动压缩机、主驱逆变器、OBC、DC-DC、BMS等 ・工业设备:工业设备用功率模块、功率调节器、电动工具、光伏逆变器、服务器电源、UPS(不间断电源)、基站电源等 ・消费电子设备:白色家电(空调、吸尘器、冰箱、洗衣机)等 找元器件就上唯样商城
宇航服,真正的“科技”与“狠活”!为什么世界上只有三个国家可 千百年的探索仰望和摘星的遐想,已照进现实,浩瀚的天宫,我们亦可置身其中。 北京时间2022年12月4日20时09分,神舟十四号载人飞船返回舱在东风着陆场成功着陆,标志着太空出差183天的宇航员正式回家!据悉,三位宇航员在轨期间,先后进行了3次出舱活动,圆满出色地完成了各项任务,完成空间站舱内外设备以及空间应用任务相关设施设备的安装和调试,开展一系列空间科学实验与技术试验,与神舟十五号航天员首次完成在轨交接班等众多历史性时刻。值得注意的是神舟十四和神舟十五号的宇航员们在空间站“大会师”时穿着了卫衣休闲服,潮流的样式吸引了无数人的眼球,也打破了人们对宇航服的固有印象。当然,太空环境是复杂多变的,为了保证在各种复杂环境下正常工作,宇航员在每个特定的场景下都有不同的“行头”,如舱内航天服、舱外航天服、失重防护服、锻炼服,实验服等。宇航服(航天服)在执行太空任务中是不容忽视的重要一环。1971年,苏联的联盟11号飞船因空间狭小,返航时苏联专家让三位宇航员脱掉宇航服以增大舱内空间,在飞船返回过程中,返回舱的压力阀门被震开,舱内空气泄露造成气压迅速下降,因未穿航天服,宇航员们迅速缺氧,无法关闭阀门,仅一分钟左右就失去了生命体征。事故发生后,当时的美苏两国都加强了航天安全的重视,并以此为戒。 由此可见航天服的重要性,宇航服对技术要求极高,世界上只有中、美、俄三个国家可以完成制造。太空中的环境较为恶劣,比如强烈的温差,当航天员出舱工作,向着太阳的一面可达到150℃,而背对太阳的一面则可降至-150℃,近300度的温差可谓巨大,因此这种舱外航天服的内部需要一套冷却循环系统,给宇航员保持正常舒适的温度,才能保持其正常作业。 在外太空,宇航员还会面临太阳、紫外线等一系列辐射的干扰,太空中漂浮的微小流星体和碎片也会对宇航员造成极大的威胁,要面对各种复杂环境,宇航服要设计得极其精密,就如同一个精密的微型航天器,隔绝各种危险,保障宇航员的生命安全。所以即便是舱内服也有非常复杂的内部系统,比如湿度调节、压力维持等,而这其中自然就少不了湿度传感器、压力传感器等电子元器件的运用。 舱外宇航服则更为强大,其还有生命维持系统,系统需要连接一个独立的背包装置,这里面有氧气供应、二氧化碳过滤,电源、通讯等设备,衣服还需有隔热层、外防护层等多层构造组成,就连手套都是经过专业的设计,以保证宇航员能接近正常的触感。除了以上的服装构造,还需要有各种电路系统模块才能保证宇航服各种功能的正常进行,比如电路控制模块,电源系统,电气及机械操作系统等,从这里我们就能看到,整套宇航服里其实除了基础服装部分之外,至关重要的是配置,电源系统、通讯设备、电路控制模块、摄像头、指示灯等等均是由各种电子元器件组成或构建的,这边不得不感叹电子的力量无穷之大,唯样商城电子元器件均是国内外知名品牌代理,在航天领域的应用也极为广泛,尤其在宇航服等航空航天设备设施的维护上,泰科电子的高级手工工具发挥了巨大作用,其专业度与精准度甚至达到空前。 宇航服可以说是人类科技含量最高的服装,一套舱外宇航服可达到上百公斤的重量,其造价自然也不菲,我国自主研发的“飞天”航天服价值达到了3000万元,价格远甚于黄金。而航天服也有使用寿命,目前我国航天服的使用寿命可达到15次,能在太空中连续工作数小时,可以重复利用。携带有如此多设备的宇航服在地面看起来较为臃肿,但科技总在向前发展,未来的宇航服是否会大变装还是值得期待。马斯克幻想的未来宇航服,正在进行研究生产,与传统宇航服相比看起来极为轻便简洁,且富有时尚科技感,吸引了众多航天爱好者的眼球,相信未来还有更多可能! 找元器件就上唯样商城
扬兴 | 医疗设备都在用哪些晶振? 智慧化医院是当今医疗的发展趋势,结合用到的医疗设备也越来越高科技了,因此,医疗设备对其所应用的各种电子元器件的要求也是越来越高了。晶振作为电子元器件中常见的一种,那么常见的应用于医疗设备的晶振都有哪些呢?比如现在使用率最高的红外线测温仪,1秒可准确测温,无镭射点,免除对眼睛之潜在伤害,不需接触人体皮肤,避免交叉感染,在疫情早期起到起着非常大的重要作用。如今,更多用于个人体温检查,内部使用的晶振类型无源居多,如YSX321SL,常用晶振频点:32.768KHz、12MHz、16MHz、24MHz、25MHz。再者如胃窥镜、透视喉镜、内窥镜等医疗电子设备,内部的电路板上都少不了晶振元器件组成,选用的晶振必须是高精度,高稳定度、超小超薄。这样才能确保医疗设备能够直接进入人体自然管道的检查器械,可为医生提供充分的诊断信息以治疗疾病。 然而,传统内窥镜结构复杂,很难彻底清洗和消毒。同一内窥镜在不同患者之间的应用很容易导致交叉感染,进而造成被感染者健康的严重损害,甚至死亡。 在患者端,微创、精准、快速诊疗越来越成为临床刚需,妇科微创诊疗的诉求最为明显,这必将极大地促进一次性电子内窥镜,特别是妇科一次性电子内窥镜产业上。 据统计,适合使用一次性化的内窥镜镜种主要有胆道胰腺镜、胃肠镜、膀胱镜、支气管镜、鼻咽喉镜、宫腔镜等,涉及到消化科、泌尿科、呼吸科、妇科等多个科室场景。内窥镜对晶振的要求 ①高稳定性:由于图像质量直接影响医学诊断和治疗,晶振频率越稳定性,配套的设备精确度也就越高。 ②微型化:内窥镜探头的大小直接影响创伤的严重程度,晶振封装尺寸越小越薄、那么内窥镜内部电路板就越小,才能使微型探头化可以减轻缓则的痛苦与不适度,进而加速术后的恢复。 内窥镜使用的有源晶振YSO110TR,高温-40~125°,小体积1612,能够为医疗设备提供高效、稳定的性能要求,常用的晶振频点:24MHz。而常见医疗设备的晶振频率有:4MHz,8MHz,12MHz,16MHz,20MHz,24MHz,25MHz,26MHz,30MHz,40MHz,48MHz。 找元器件就上唯样商城
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻* 1优势的车载Nch MOSFET*2 “RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座 椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品已经开始销售,未来会继续扩大产品阵容。在汽车领域,随着安全性和便捷性的提高,电子产品逐渐增加,使得所安装的电子元器件数量也与日俱增,而且,为了提高燃油效率和降低电耗,还要求降低这些产品的功耗。其中,尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。 ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导通电阻MOSFET。此次通过 将这种新工艺应用于对可靠性要求高的车载产品,又开发出具有低导通电阻优势的10款车载Nch MOSFET新产品。不仅有近年来需求高涨的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封装产品,还有传统的TO- 252封装产品,未来将会继续扩大产品阵容并持续供应。 新产品的耐压分别为40V、60V和100V,均通过采用split gate* 3实现了低导通电阻,有助于车载应用的高效运行。所有型号的新产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,并确保高可靠性。 封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG (3.3mm×3.3mm)非常适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用 于车载电源等应用的TO-252(DPAK)封装(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术* 4,TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构* 5,安装可靠性都非常高。 目前,新产品暂以月产1,000万个(10种型号合计)的规模量产(样品价格500日元/个,不含税)。前 道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日 本福冈县)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。 未来,ROHM将致力于扩大车载用中等耐压Nch MOSFET的产品阵容。计划于2024年10月开始量产DFN3333封装(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封装(5.0mm×6.0mm)的产品,于2025年开始量产80V耐压的产品。另外还计划增加Pch产品。ROHM将继续扩大产品阵容,为车载应用的高效运行和小型化贡献力量。 <产品阵容><应用示例> ◇各种车载电机(汽车门锁、座椅调节器、电动车窗等) ◇LED前照灯 ◇信息娱乐系统、车载显示器 ◇高级驾驶辅助系统(ADAS) <术语解说> *1) 导通电阻(Ron) MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。 *2) Nch MOSFET 通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有 更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎。 *3) split gate 一种将MOSFET的栅极分为多段以有效调整电子流动的技术。利用该技术可实现高速且高可靠性的运行。 *4) 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术 一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。 *5) 鸥翼型结构 引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异,可提高安装可靠性。 找元器件就上唯样商城
YXC车规晶振:为何能成为车载蓝牙的优选? YXC(扬兴) 订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有3人订阅 +订阅 2024-08-06 17:04:07 85 0 0 车规晶振 , 车载蓝牙 , YXC蓝牙模块,是一种集成蓝牙功能的PCBA板,用于短距离无线通讯,按功能分为蓝牙数据模块和蓝牙语音模块。蓝牙模块,是一种集成蓝牙功能的PCBA板,用于短距离无线通讯,按功能分为蓝牙数据模块和蓝牙语音模块。蓝牙模块是指集成蓝牙功能的芯片基本电路集合,用于无线网络通讯,大致可分为三大类型:数据传输模块、蓝牙音频模块、蓝牙音频+数据二合一模块等等。一般模块具有半成品的属性,是在芯片的基础上进行过加工,以使后续应用更为简单。 作为取代数据电缆的短距离无线通信技术,蓝牙支持点对点以及点对多点的通信,以无线方式将家庭或办公室中的各种数据和语音设备连成一个微微网(Pico-net),几个微微网还可以进一步实现互联,形成一个分布式网络(scatter-net),从而在这些连接设备之间实现快捷而方便的通信。本文介绍蓝牙接口在嵌入式数字信号处理器OMAP5910上的实现,DSP对模拟信号进行采样,并对A/D变换后的数字信号进行处理,通过蓝牙接口传输到接收端,同样,DSP对蓝牙接收到的数字信号进行D/A变换,成为模拟信号。晶振在车载蓝牙的作用 晶振在车载蓝牙模块中是用于在车辆内部无线传输音频、通话和数据的设备。 1. 提供稳定的时钟信号: 在蓝牙通信中,晶振作为一个定时器,向设备提供一个稳定且精确的时钟信号。这个时钟信号会被用于同步蓝牙设备的发送和接收操作,以确保设备之间的数据传输能够顺利进行。通过晶振提供的时钟信号,蓝牙设备可以根据同步时钟来识别和解析接收的数据信号。 2. 同步数据处理: 晶振的精确性对于蓝牙通信的稳定性和可靠性非常重要。如果晶振提供的时钟信号不准确,设备之间的通信可能会出现偏差或丢包等问题,影响通信的质量和速率。 车载蓝牙的晶振需求 1、常用频点:16Mhz、24Mhz、26Mhz 2、小型化与可靠性: 蓝牙模块根据用途分有数据蓝牙模块,串口蓝牙模块,语音蓝牙模块,车载蓝牙模块,3225无源晶振在许多蓝牙设备中得到广泛应用,它提供了一个稳定和精确的频率信号,这种3225封装是一种体积小、常见的封装类型。 无源晶振能够抵御外部电磁干扰对车载蓝牙模块的影响,提供清晰、稳定的音频和数据传输、节约能源和延长续航时间。 YXC晶振推荐 YXC推出的无源晶振YSX321SC系列,下面是产品特点: 车规级谐振器 1、频点范围:8-66MHZ 2、封装:3225,满足车载蓝牙设计需求 3、常规负载(PF):8pF, 12pF, or specify 4、工作温度:-40~+125° 5、通过AEC-Q200、IATF16949认证找元器件就上唯样商城
唯样&泰科 | 工程师闯关赢好礼,三大暖通空调解决方案助力您的研 号外! 近日唯样与TE Connectivity联合推出 家电领域-暖通空调三大应用解决方案 邀请搞家电研发的工程师们 一起探索创新世界 【文末闯关赢好礼】TE Connectivity为暖通空调系统提供了一系列高效可靠的组件解决方案,包括低中功率信号连接、电源连接、RAST连接、漆包线、端子和接头、热缩管,传感器、天线、继电器等,旨在提高装配工艺和端接应用的效率。 三大解决方案 空调内机解决方案空调外机解决方案热泵解决方案连连看闯关 赢工程师好礼(点击图片,开始闯关) 初阶版连接产品类型3题中任意1题答对80%以上即可获得手持风扇1台;高阶版解锁连接型号3题中任意1题答对80%以上可获得工程师电烙铁套装。 展会预告 2024中国国际家电制造业供应链展览会暨全国家电零部件、技术、材料、制造设备展览会将于2024年8月13—15日在世界家电之都佛山隆重举办。本次唯样携手泰科电子家电事业部参展,为大家带来暖通空调解决方案、电源互连产品、设备产品手册等最新资料。欢迎广大工程师和采购们前来1L17展位参观交流。 展品一览2.5 mm 双重锁定信号连接器通用型MATE-N-LOK连接器VAL-U-LOK 连接器RAST 5 连接器Power Versa Lock 连接器经济型电源 (EP2.5) 连接器微型 MATE-N-LOK 连接器双重锁定电源连接器(PDL) • 唯样是国内知名的电子元器件线上授权代理商。致力于服务终端研发、高校科研、工程师等广大客户高品质、少量多样、快速交付的元器件采购需求。 • 拥有3.5万㎡仓储、超13万种现货库存、2500w+产品型号数据。 • 已获得YAGEO、TDK、TE Connectivity、nexperia、ROHM、Panasonic、MPS等全球数十家一线品牌代理授权。 找元器件就上唯样商城
Q4零部件需求下降,上升期推至2020年下半年 电子制造业 , 电子零部件摩根士丹利(Morgan Stanley)表示,高库存水平、交货周期缩短,是导致Q4业绩低于正常水平的两个原因。然而,新世界经济公司首席执行官Cliff Waldman认为,对电子制造业及供应链的长期预测,必须与宏观事件挂钩。他对ECIA大会的与会者说,中美贸易战正在对此产生最大程度的不确定性。 摩根士丹利(Morgan Stanley)在Q3“电子元器件分销商调查”中表示,由于零部件需求持续走低,Q4前景黯淡。随着投资者将注意力转向中美关系的结果,下半年需求恢复的可能性几乎为零。” ECIA首席分析师戴尔·福特(Dale Ford)之前告诉公司高管们,整个供应链对季度营收环比增长的情绪都十分负面。尽管影响的程度因地而异,但业界普遍认为零组件需求将在Q4持续下滑。 摩根士丹利(Morgan Stanley)表示,高库存水平、交货周期缩短,是导致Q4业绩低于正常水平的两个原因。然而,新世界经济公司首席执行官Cliff Waldman认为,对电子制造业及供应链的长期预测,必须与宏观事件挂钩。他对ECIA大会的与会者说,中美贸易战正在对此产生最大程度的不确定性。 短期内影响 摩根士丹利(Morgan Stanley)的数据显示,对于模拟电路、MCU和连接器三类产品,Q3和Q4的增长预期均处于或接近历史低点。MCU Q3的销售增幅约为19%,低于Q2的21%和去年同期的49%。“这是自我们开始跟踪数据以来最糟糕的MCU增长前景。”该公司称。 汽车市场依然疲软,制造业指数处于或接近历史低点。摩根士丹利表示,数据中心和智能手机的增长需求一直低于预期。受需求疲软的影响,有19%的受访者预计连接器Q3增长幅度将低于Q2的21%和去年同期的40%。而模拟IC Q3预计下降幅度最大,Q2增幅为31%,去年同期为71%。 摩根士丹利(Morgan Stanley)表示,关税持续影响着终端客户和分销商的订单趋势与库存管理,但影响已不那么明显。52%的受访者表示,关税不确定性影响了他们的订单趋势,但已从69%开始下降;54%的受访者表示,贸易战对客户订单和库存管理的影响,较上一季度的63%有所下降。8%的受访者认为,客户在关税最后期限前增加库存,也低于上季度的21%。 从长远来看 尽管如此,关税还是增加了电子公司的成本。IPC(国际电子工业联接协会)发现,企业在进口产品上的花费增加了31%。25%的人士表示,他们所支付的美元中有一半以上都面临更高的关税。 “关税的影响是复杂的,它们会导致需求、供应商和供应链配置的变化。” Waldman说。 这样的举动很难逆转,美国供应链已经在转移,在中国制造的电子公司已经或正在计划迁往日本、越南或台湾。EMS供应商SMTC Corp.在9月表示,将在2019年12月在其中国东莞的设施租赁到期时关闭其相关制造业务。 与此同时,由于市场的不确定性,企业正在推迟资本支出。Waldman发布报告称,2019年上半年资本支出急剧下降,其中很大一部分投资将用于升级或更换IT系统、通信网络和高科技制造设备。 “我同意大多数分析人士的看法,他们认为短期内最大的影响不是关税本身,而是美国制造业的不确定性”,他说,“这显然对商业投资和制造业产生了负面影响。” 下一件大事ECIA的福特表示,电子行业需要一剂强心针,而5G有望实现这一目标。与物联网和云相结合,5G代表了电子产业的无穷机遇。 5G被视为连接万物的“架构”,包括增强型移动宽带(eMBB),关键任务应用程序和庞大的“万物互联”。福特表示,除了通信基础设施之外,电脑和智能手机等电子设备也将随之升级,这将带动很大的零部件需求。 到2035年,5G的全部经济利益应该会在零售、教育、运输和娱乐等全球众多行业中实现。5G移动技术将实现价值高达12.3万亿美元的商品和服务。 具有讽刺意味的是,这种转变将取决于全球合作和不受限制的贸易。Waldman说:“要真正了解全球经济,请考虑供应链,而不是哪个国家。现在处于贸易战之中的每家公司所受到的影响,都比其客户、供应商和竞争对手所在的国家和地区要多得多。” 找元器件就上唯样商城
時科SKG64N10-T:电机驱动与DC-DC转换的理想选择 在现代电力电子设备中,MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)由于其高效、快速的开关性能,广泛应用于电机驱动和DC-DC转换电路中。时科的SKG64N10-T MOS管正是此类应用的理想选择,凭借其卓越的电气特性和高可靠性,成为市场上备受青睐的元器件。卓越的电气特性 SKG64N10-T的主要电气特性包括: 耐压与电流能力:SKG64N10-T的耐压(BVDSS)为100V,在25℃条件下,其最大连续漏极电流(ID)可达64A。这使得SKG64N10-T在高电压和大电流应用中表现出色,特别适用于需要高功率输出的电机驱动和DC-DC转换器中。低导通电阻:在栅极电压(VGS)为10V时,SKG64N10-T的导通电阻(RDS(on))不超过10.7mΩ。低导通电阻不仅降低了器件在开关状态下的功耗,还提高了整体电路的能效,使得电机驱动更加节能,DC-DC转换效率更高。 热管理性能:SKG64N10-T采用TO-220封装,具有良好的热管理性能,其结到壳的热阻(RθJC)为1.5℃/W。这意味着在大功率工作时,器件能够有效地将热量散发出去,防止过热,提高了系统的稳定性和可靠性。 功耗与开关性能:SKG64N10-T的最大功耗为83W,具备快速的开关速度和高可靠性。其阈值电压(VGS(th))为3V,确保在低电压控制下也能稳定工作。此外,该MOS管可以在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲,进一步提升了其在苛刻应用环境中的耐用性和可靠性。适用范围广泛: SKG64N10-T MOS管由于其优异的特性,适用于多种应用场景,特别是在电机驱动和DC-DC转换中: 电机驱动电路:在电机驱动应用中,MOS管的开关速度和导通电阻直接影响电机的响应速度和能效。SKG64N10-T的低导通电阻和快速开关性能,使其在控制电机速度和方向时表现出色,能够实现更高效的电机控制。DC-DC转换电路:DC-DC转换器需要频繁的高效开关操作来调整输出电压。SKG64N10-T的高耐压和大电流能力,结合其低导通电阻和快速开关速度,使其能够在高频操作下仍保持高效稳定的性能,为DC-DC转换提供了可靠的解决方案。MOS管在电力电子中扮演着重要角色,其性能直接影响整个电路的效率和稳定性。根据半导体物理学,MOS管的导通电阻(RDS(on))和热管理性能(RθJC)是决定其开关性能和耐用性的关键因素。低导通电阻可以减少导通损耗,提高效率,而良好的热管理性能可以确保在高功率条件下器件不会过热,从而延长其使用寿命。 SKG64N10-T MOS管采用的TO-220封装提供了良好的散热途径,这在高功率应用中尤为重要。其耐压和电流能力使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺,时科成功地将这些特性集成到SKG64N10-T中,使其在电机驱动和DC-DC转换应用中具备出色的表现。找元器件就上唯样商城
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™” 知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆 变 器 , 开 发 出 二合一 SiC 封 装 型模块 “TRCDRIVE pack™” , 共 4 款 产 品 ( 750V 2 个 型 号 : BSTxxxD08P4A1x4,1,200V 2个型号:BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack™的功率密度高,并采用 ROHM自有的引脚排列方式,有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。近年来,在致力于实现无碳社会的进程中,汽车的电动化发展迅速,这促进了更高效、更小型、更轻量 的电动动力总成系统的开发。另一方面,作为关键器件备受关注的SiC功率器件却面临着难以同时减小尺寸 并降低损耗的难题。对此,ROHM开发出TRCDRIVE pack™,可以解决动力系统中的这一课题。 TRCDRIVE pack™是牵引逆变器驱动用SiC封装型模块的专用商标,标有该商标的产品利用ROHM自 有的结构,更大程度地扩大了散热面积,从而实现了紧凑型封装。另外,新产品还搭载了低导通电阻的第4 代SiC MOSFET,实现了是普通SiC封装型模块1.5倍的业界超高功率密度,非常有助于xEV逆变器的小型化。 此外,该模块在模块顶部配备了“Press fit pin”方式的控制用信号引脚,因此只需从顶部按压栅极驱 动器电路板即可完成连接,有助于减少安装工时。不仅如此,还通过尽可能扩大主电流布线中的电流路径 和采用双层布线结构,降低了电感值(5.7nH),从而有助于降低开关时的损耗。 该产品虽然是模块产品,但目前已经确立了类似于分立产品的量产体系,与以往普通的SiC壳体型模块 相比,产能提高了约30倍。新产品将于2024年6月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格: 75,000日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)和蓝碧石半导体 宫崎工厂(日本宫崎县),后道工序的生产基地为ROHM总部工厂(日本京都府)。<产品阵容> 关于TRCDRIVE pack™的产品阵容,ROHM计划在2024年内开发出封装尺寸(Small / Large)和安装模式 (TIM:heat dissipation sheet / Ag Sinter)不同的共12款产品。此外,目前ROHM正在开发模块内配有散 热器的六合一产品,这将有助于加快符合规格要求的牵引逆变器设计速度和产品阵容扩展。<应用示例> ・车载牵引逆变器 <支持信息> ROHM拥有在公司内部进行电机测试的设备,可在应用层面提供强力支持。为了加快TRCDRIVE pack™产 品的评估和应用,ROHM还提供各种支持资源,其中包括从仿真到热设计的丰富解决方案,助力客户快速 采用TRCDRIVE pack™产品。另外,ROHM还提供双脉冲测试用和三相全桥用的两种评估套件,支持在接 近实际电路条件的状态下进行评估。<关于“EcoSiC™”品牌> EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶 圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外, ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 <术语解说> *1) 牵引逆变器 电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现 这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。 *2) 二合一 要将直流电转换为三相交流电,每相各需要一个高边MOSFET和一个低边MOSFET进行开关工作。将这两 个MOSFET组合成一个模块的结构称为“二合一”。找元器件就上唯样商城
英飞凌为小米SU7智能电动汽车供应多款产品 1 英飞凌汽车电子2024年5月6日,德国慕尼黑和中国上海 – 作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技股份公司宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅(SiC)HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块及芯片产品至2027年。Infineon News 2024年5月6日,德国慕尼黑和中国上海 – 作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技股份公司宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅(SiC)HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块及芯片产品至2027年。英飞凌的CoolSiC功率模块可适应更高的工作温度,从而实现一流的性能、驾驶动力和寿命。例如,基于该技术的牵引逆变器可进一步增加电动汽车续航里程。HybridPACK™ Drive是英飞凌市场领先的电动汽车功率模块系列,自2017年以来已累计出货近850万颗。 英飞凌为小米SU7 Max版供应两颗1200 V HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC模块。此外,英飞凌还为小米汽车供应满足不同需求的其它广泛产品,例如不同应用中的EiceDRIVER™栅极驱动器和10款以上的微控制器。两家公司还同意在SiC汽车应用领域开展进一步合作,以充分发挥英飞凌碳化硅产品组合的优势。“ Peter Schiefer 英飞凌汽车电子事业部总裁 我们很高兴能与小米汽车这样新兴蓬勃的汽车品牌建立合作,为其提供能够进一步提升电动汽车性能的碳化硅器件产品。作为汽车行业的领先供应商,我们提供广泛的产品组合,对不同系统有着深刻的理解,且拥有多个生产基地,能充分助力未来移动出行。 “ 黄振宇 小米汽车副总裁、供应链部总经理 英飞凌是我们重要的合作伙伴,在功率半导体领域拥有先进的技术实力和稳定的生产能力,并且可提供丰富的微控制器产品组合。两家公司的合作不仅有助于确保小米汽车碳化硅器件的供货稳定,还能帮助我们为客户打造安全可靠、性能出色和功能强大的豪华科技汽车。 本次合作将进一步巩固英飞凌作为全球汽车半导体行业的领先地位。根据TechInsights的最新数据,英飞凌是全球最大的汽车半导体供应商。此外,除了在汽车功率半导体领域位居第一,英飞凌去年还在汽车微控制器领域也占据领先地位。 关于英飞凌 英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。 关于英飞凌中国 英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术创新、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。 找元器件就上唯样商城
英飞凌为小米SU7智能电动汽车供应多款产品 英飞凌汽车电子2024年5月6日,德国慕尼黑和中国上海 – 作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技股份公司宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅(SiC)HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块及芯片产品至2027年。Infineon News 2024年5月6日,德国慕尼黑和中国上海 – 作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技股份公司宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅(SiC)HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块及芯片产品至2027年。英飞凌的CoolSiC功率模块可适应更高的工作温度,从而实现一流的性能、驾驶动力和寿命。例如,基于该技术的牵引逆变器可进一步增加电动汽车续航里程。HybridPACK™ Drive是英飞凌市场领先的电动汽车功率模块系列,自2017年以来已累计出货近850万颗。 英飞凌为小米SU7 Max版供应两颗1200 V HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC模块。此外,英飞凌还为小米汽车供应满足不同需求的其它广泛产品,例如不同应用中的EiceDRIVER™栅极驱动器和10款以上的微控制器。两家公司还同意在SiC汽车应用领域开展进一步合作,以充分发挥英飞凌碳化硅产品组合的优势。“ Peter Schiefer 英飞凌汽车电子事业部总裁 我们很高兴能与小米汽车这样新兴蓬勃的汽车品牌建立合作,为其提供能够进一步提升电动汽车性能的碳化硅器件产品。作为汽车行业的领先供应商,我们提供广泛的产品组合,对不同系统有着深刻的理解,且拥有多个生产基地,能充分助力未来移动出行。 “ 黄振宇 小米汽车副总裁、供应链部总经理 英飞凌是我们重要的合作伙伴,在功率半导体领域拥有先进的技术实力和稳定的生产能力,并且可提供丰富的微控制器产品组合。两家公司的合作不仅有助于确保小米汽车碳化硅器件的供货稳定,还能帮助我们为客户打造安全可靠、性能出色和功能强大的豪华科技汽车。 本次合作将进一步巩固英飞凌作为全球汽车半导体行业的领先地位。根据TechInsights的最新数据,英飞凌是全球最大的汽车半导体供应商。此外,除了在汽车功率半导体领域位居第一,英飞凌去年还在汽车微控制器领域也占据领先地位。 关于英飞凌 英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。 关于英飞凌中国 英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术创新、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。 找元器件就上唯样商城
新能源汽车48V车身电机驱动系统级解决方案详解 电机驱动系统 , 英飞凌汽车电子智能化和电动化是新能源汽车发展的重要方向,其对电能的需求也越来越高。背景介绍 智能化和电动化是新能源汽车发展的重要方向,其对电能的需求也越来越高。除此之外,因为电池的重量,整个车比纯燃油汽车更重,这使设计者不得不增加车身执行器的功率来提供更大的扭矩。但传统的12V电池受限于电流和电池电量等原因,不能为整车提供无限大的电流。所以如同整车低压供电电压升到12V一样,它还在继续往上升,迈向48V,从而为整车提供更大的功率输出和更高的能效。故越来越多的汽车厂家开始关注48V系统执行器的驱动。 系统拓扑图 为此,英飞凌在多年前开始布局研发48V的相关芯片。考虑到目前成熟的针对12V BLDC高性价比控制平台MOTIXTM MCU,英飞凌开发了level shift 芯片TLE9140。它也是gate driver器件,相当于直接替换了12V BLDC电机控制高集成芯片TLE987x和TLE989x的gate driver 部分,从而使他可以上升到48V BLDC电机驱动。该方案的另一个好处是客户可以复用他们成熟的12V BLDC电机控制平台,降低开发难度,缩短开发周期,一个平台兼容12V,24V和48V电机驱动。MOTIXTM MCU MOTIXTM MCU系列属于SoC (System on Chip) 级产品,集成了MCU,LDO,gate driver,电流采样和LIN收发器等模块。针对BLDC电机控制,推荐TLE987x和TLE989x系列,其内部框图如下所示,前者是针对LIN通信方案,后者是针对CAN通信方案。详细的信息和文档,可以在英飞凌官网搜索TLE987x/TLE989x,或者直接访问:http://tieba.baidu.com/mo/q/checkurl?url=http%3A%2F%2Fwww.infineon.com%2Ftle987x&urlrefer=400b55e3b257601fd6a338df363ce6fe或者http://tieba.baidu.com/mo/q/checkurl?url=http%3A%2F%2Fwww.infineon.com%2Ftle989x&urlrefer=c1c12b281b5c6c29a2c0664fa96c7f42。TLE987x内部结构图TLE989x内部结构图 48V系统Gate Driver TLE9140是专门针对48V BLDC电机驱动设计的gate driver芯片,同时兼容24V系统,可以支持功能安全ASIL B级别应用。除此之外,设计上考虑了匹配英飞凌MOTIXTM MCU。其耐压高达100V,驱动能力高达230nC,最大驱动频率25kHz。先进的电流型gate driver可以帮助用户通过修改寄存器配置,从而非常方便地修正驱动波形,以匹配不同的MOSFET,无需修改硬件。除此之外,支持过压,欠压,过温,短路,开路,输入错误等故障检测。还配备了窗式看门狗,进一步提高系统安全性,确保软件死机的情况下,及时关断输出。16位SPI通信配置控制寄存器和通过状态寄存器获取芯片当前状态和故障。详细信息可以访问英飞凌官网: http://tieba.baidu.com/mo/q/checkurl?url=http%3A%2F%2Fwww.infineon.com&urlrefer=7f52268f0f1e83c2d1c7a68d50abe7a5 并搜索“TLE9140”。TLE9140内部结构图 48V系统MOSFET 功率器件部分,英飞凌有非常全面的MOSFET的选择。在OptiMOSTM 5的基础上研发了新一代OptiMOSTM 7 沟槽MOSFET。针对48V应用,可提供80V和100V 两个电压等级。新一代OptiMOSTM 7的MOSFET采用尖端的双多晶硅沟槽技术以及业界领先的300mm薄晶圆技术与生产,如下图所示,80V和100V的MOSFET导通电阻相比于前一代有40%的降低,遵循了英飞凌低RDSON ,低导通损耗的发展宗旨。除此之外,新一代技术的MOSFET 具有更小的门极充电电荷,开关速度更快,降低了开关损耗。这两大特点在电机驱动的应用中优势较为明显。英飞凌OptiMOSTM 7也遵循明确的封装策略,将无引脚封装结合铜夹技术推向市场,为满足48V电机驱动的应用,80V和100V MOSFET包括了市场电机驱动需要的热门封装:除了S3O8, SSO8单MOSFET, STOLL,TOLL封装,另外还有100V SSO8双MOSFET, 不同的封装,不同的导通电阻,不同的电压等级可以适用于几十瓦到几千瓦不同的功率等级,完美地满足了客户的各类需求。具体选型表可以访问英飞凌官网,并搜索“Automotive MOSFET”。角度传感器 虽然无传感器控制,可以帮助客户在有些应用降低成本,例如水泵和冷却风扇。但在一些应用中,为了更精准的控制,客户会用到电机转子位置传感器,例如油泵。英飞凌位置传感器主要包括霍尔开关和磁阻角度传感器。 霍尔开关的产品系列中,我们既为电池供电的设计提供了过压能力高达42V(不加外部电阻的情况下),支持32V供电的TLE4961/TLE4964/TLE4968系列;也为EMC工况较好的设计提供了高性价比5V供电的TLE4963/TLE4965系列。用户可以根据实际系统设计和磁场需求选择合适的型号。详细信息可以访问英飞凌官网,并搜索“magnetic switch”。英飞凌霍尔开关和锁存器的产品序列 英飞凌还提供了各种基于磁阻效应(GMR,AMR,TMR)的角度传感器。我们既提供了计算完角度直接输出数字量信号的传感器TLE5012B/TLE5014,也提供了输出sin/cos信号的模拟量输出的传感器TLE5x09/TLE5501。对于精度的改善,TLE5012B内部带自校准算法;TLE5014内部带32点查找表补偿;TLE5x09和TLE5501的补偿算法可以集成在客户的MCU内,从而降低系统成本和实现更高的精度。客户可以根据实际需求选择合适的产品,详细信息可以访问英飞凌官网,并搜索“angle sensor”。英飞凌基于磁阻效应的角度传感器搭配磁铁的位置关系英飞凌基于磁阻效应的汽车级角度传感器的产品序列 评估板及系统方案验证 针对本文介绍的48V车身电机系统级驱动方案,英飞凌开发了对应的评估板,实物图如下所示。详细信息可以访问英飞凌官网,搜索:TLE9140EQW EVAL。电流波形 总结 英飞凌针对48V车身电机驱动提供了系统级解决方案,包括,MCU,driver, MOSFET和sensor。有相关需求的客户或者合作伙伴,可以联系英飞凌咨询或在官网留下你的联系方式。 找元器件就上唯样商城
超薄无线充电技术打造汽车智能手机融合新生态 无线充电技术 , TDKTDK的新型无线充电技术比传统解决方案更纤薄,充电功率高达15瓦,使智能手机在汽车上的使用更加便捷。目前,汽车行业正在经历一场名为CASE(互联化、自动驾驶、共享与服务、电气化)的技术创新。由于与智能手机的融合是这一趋势的重要组成部分,因此支持车载无线充电的技术正受到关注。TDK的新型无线充电技术比传统解决方案更纤薄,充电功率高达15瓦,使智能手机在汽车上的使用更加便捷。 无线充电是汽车智能手机的应用要素 但在技术上具有挑战性 汽车和智能手机之间的互用性正在持续发展。在北美洲和欧洲,配备可“镜像”智能手机屏幕的显示/音频系统的汽车变得越来越受欢迎,且导航应用和地图也被广泛应用于此类系统中。 近年来,市场上已经有些汽车配备仅使用智能手机而不用物理钥匙(采用近场通信(NFC*1)等技术)就能开/锁车门和发动引擎的系统,并开始引起人们的关注。以这种方式连接智能手机和汽车的服务被称为虚拟钥匙,因为它们无需使用物理钥匙,预计将促进汽车共享等服务的发展。根据日本矢野经济研究所的调查,到2022年全球配备虚拟钥匙的汽车市场规模预计将扩大到5030万辆(关于虚拟钥匙的全球市场趋势和预测,日本矢野经济研究所,2019年7月17日公布)。 利用虚拟钥匙,就可以通过智能手机来识别驾驶人员,这使收集信息变得容易。这一技术有望用于车载信息娱乐系统(IVI),即提供信息和娱乐的通信系统。人们认为,在车内通话、收发信息、播放音乐、使用汽车导航等功能应成为一种更加便捷和愉悦的体验。 汽车和智能手机互用场景随着汽车与智能手机的互用性不断发展,智能手机车载充电功能开始成为人们关注的焦点。人们对配备无线充电系统的汽车尤为感兴趣。利用此类系统,用户只需将其手机置于车内的某个位置即可给手机充电,无需像过去那样使用充电线。然而,在传统的无线充电系统中,传输电力的充电单元较为笨重,从而限制了其在车内的安装。显然,人们需要更纤薄的充电单元。但为满足虚拟钥匙的需求,还需要集成近场通信(NFC)。 汽车无线充电印刷线圈解决方案的厚度, 仅为传统产品的五分之一 TDK专为车内使用而开发的无线充电印刷线圈可解决这些问题。采用专有印刷线圈技术可大大减少线圈单元的厚度。新产品将成为同时支持磁功率分布(MPP*2)和扩展功率分布(EPP*3)的创新性产品,是无线电力传输的新技术标准。此外,TDK 的专有电镀技术将其厚度减少到只有近1mm。 过去,必须将至少三个传统绕线型线圈整合在一起才能填充所需充电区域,而新型印刷线圈只需用一个线圈即可覆盖整个充电区域。更纤薄、更少的线圈意味着可显著缩小电路板的尺寸。不仅可以在中控台上实现无线充电,还可以在车门储物格、后排座椅以及其他过去难以安装充电单元的地方实现无线充电。利用 MPP 技术,将线圈与小磁铁组合,解决了充电过程中的移位问题,使充电更精准、更快速。这也减少了在汽车运行过程中产生的偏移,使其成为理想的车载充电单元。 传统产品与新型无线充电印刷线圈比较传统设计需要三个线圈,但TDK的新型无线充电线圈只需一个即可。将薄膜处理技术成功用于精细线制造,使其厚度减少到传统产品的近五分之一(0.76mm)。即使是新型号在传统印刷线圈上堆叠一个与磁铁兼容的圆形线圈,其厚度也只有近1mm。 无线充电印刷线圈的应用示例如今,中控台是主要的无线充电位置,但随着无线充电印刷线圈变得越来越纤薄,充电位置选项有望扩大。 无线充电印刷线圈的另一个特点就是集成了NFC天线。过去,安装NFC天线,除了无线充电线圈外,还需要其自己的电路板。TDK通过将无线充电线圈与NFC天线集成,解决了这一问题,从而实现了超薄设计。 集成式NFC天线将NFC天线与无线充电线圈集成,实现了超薄设计。 这种汽车无线充电印刷线圈的厚度仅为传统产品的五分之一,是TDK利用自成立以来就开始培育的铁氧体等磁性材料技术,以及HDD磁头等电子元件的薄膜处理技术的研发成果。负责这款产品的通信设备事业部主管千代宪隆讨论了无线充电印刷线圈的未来前景。 “随着智能手机的无线充电功能变得越来越重要,我们希望帮助大家创造一个不必随身携带充电器或移动电池的生活。具体来说,我们的目标就是创造更多可以为各种智能手机充电的地方,只要将手机放在那里即可,例如车内、咖啡馆或餐厅的桌子上、车站或机场等候区等。我们相信纤薄线圈将有助于我们实现目标,因为它们可以轻松安装在各种地方。此外,随着 TDK不断开发同时支持 MPP 和 EPP标准的印刷线圈,将有可能实现以高达 15 瓦的功率为所有符合 Qi 标准的智能手机充电。而不像以前那样,不同标准的智能手机需要配备不同的充电器才能以15 瓦的功率进行快速充电。我们很高兴能用我们的创新技术为大家带来便利。” 无线充电印刷线圈这款无线充电印刷线圈更加纤薄,同时支持 EPP 和 MPP 标准,具有颠覆性。 术语 1. NFC:近场通信(Near Field Communication),一种针对近距离无线数据通信的国际技术标准。通常情况下,近距离无线通信是指通过手持设备即可与设备进行数据通信的技术。 2. MPP:磁功率分布(Magnetic Power Profile),一种利用磁铁将设备固定到充电器上以提高无线充电效率的标准。 3. EPP:扩展功率分布(Extended Power Profile),一种充电功率高达 15 瓦的标准。 找元器件就上唯样商城
英飞凌全新光学模块助力石头科技新一代智能机器人引领智能家居清洁新体验 Infineon(英飞凌) 订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有10人订阅 +订阅 2024-07-30 14:14:26 159 0 0 光学模块 , 英飞凌工业应用石头科技(Roborock)推出的最新智能扫拖一体机器人——V20黑武士,内部搭载英飞凌3D ToF传感器。石头科技(Roborock)推出的最新智能扫拖一体机器人——V20黑武士,内部搭载英飞凌3D ToF传感器。相较于传统扫拖机器人100MM的机身身高,V20机身整体设计只有82MM,可以通过更低矮、更狭小的空间。同时V20拥有强大的可靠性,将成为智能家居生活的强大助手。在现今快节奏的生活与工作环境中,人们愈发倚重智能家居工具来减轻繁重的家务劳动。智能扫地机器人作为家务助手的佼佼者,需要解决众多技术难题,以便更好地服务于家庭。 目前,行业内广泛使用的激光测距系统(LDS)其机械旋转部件的高速运动容易出现故障,且LDS模组和避障模组组合体积太大,占用有限的空间,使得终端产品体型笨重,无法清洁到位,这是扫地机器人常见的技术弱点。此外,多路径干扰(MPI)、杂散光和动态范围的处理也同样是行业中普遍面临的挑战。 为此,石头科技(Roborock)携手英飞凌、PMD公司以及欧菲光公司,通过合作,集中各方优势,共同开发解决方案,使用英飞凌的hToF, 取代传统的LDS模组和避障模组,升级解决方案用以克服这些技术痛点,提升扫地机器人的灵活性和可靠性。 V20黑武士核心性能十分卓越,该核心技术由英飞凌联合PMD及欧菲光公司共同开发的深度感知技术hToF。 其赋予了产品以下显著优势: 极高的可靠性:采用无机械件设计,显著降低了扫地机的故障率,同时延长寿命,降低噪音。 精确快速的深度数据:能够创建精准的三维地图,实现智能路径规划,为新一代机器人吸尘器运作提供强大支持。 体积优化:机器人吸尘器的高度降低了20%-30%,体积缩小至原来的1/200,节省了大量空间,使机器人能够轻松进入较低家具下方进行清洁,消灭清洁死角与盲区。英飞凌的hToF传感器结合PMD的处理技术,为消费级机器人提供了一套强大的解决方案,支持SLAM(同步定位与地图构建)、避障和悬崖检测功能。基于hToF深度数据的开源SLAM算法能够生成高精度地图,确保了导航的准确性和可靠性。此外,这种解决方案在计算上高效精简,仅需使用A55单核处理器即可完成深度处理与SLAM计算任务。 石头科技(Roborock)是首家成功大规模量产LDS模组的公司,推动LDS成为扫地机器人的标准配置。如今,石头科技继续保持行业领先地位,与英飞凌合作研发并推广hToF技术,将其定位为新一代扫地机器人的核心技术标准。 未来,双方将在传感器等多方面深入探索合作,为扫地机器人行业提供更安全、可靠、高效的智能解决方案。石头科技与英飞凌的技术研发,让智能家具清洁设备市场的技术迭代升级,也加速了智能家居、机器人、IoT等领域产品的创新。 找元器件就上唯样商城
YXC差分振荡器赋能数据采集卡,让数据更精准! 什么是数据采集卡 数据采集是指对设备被测的模拟或数字信号,自动采集并送到上位机中进行分析、处理。数据采集卡,即实现数据采集功能的计算机扩展卡,可以通过USB、PXI、PCI、PCMCIA、ISA、Compact Flash、485、232、以太网、各种无线网络等总线接入计算机。 图像采集卡通过采样器件对模拟图像信号进行采样,将连续的模拟信号转换为离散的数字信号。采样率决定了图像的分辨率,较高的采样率可以提供更精细的图像细节。采样后的模拟信号被转换为数字信号,这一步骤通常由采样器件的数字信号处理器(DSP)完成。为了节省存储空间和传输带宽,图像采集卡通常会对图像数据进行压缩,常见的压缩算法包括JPEG、PNG等。压缩后的图像数据可以存储在计算机的硬盘或其他存储介质中,也可以通过网络传输到其他设备。 晶振在数据采集卡的作用 提供时钟信号:晶振为数据采集卡提供精确、稳定的时钟基准,确保数据采集的各个环节按照统一的节奏进行,如模数转换、数据存储和传输等。 保证采集同步:使得采集卡能够准确地在特定时间点采集数据,保证不同通道数据采集的同步性,这对于需要进行多通道精确测量和分析的场景非常关键。 确定采样频率:晶振的频率决定了数据采集的采样频率,从而影响到数据采集的分辨率和精度。合适的晶振可以帮助采集卡实现所需的采样速率。 提升系统稳定性:稳定的时钟信号有助于减少数据采集过程中的误差和不确定性,提高整个数据采集系统的可靠性和稳定性。 在高速数据采集卡中,高质量的差分晶振可以确保快速、准确地采集大量数据;而在一些对精度要求较高的专业数据采集卡中,高精度的晶振可以保证采集到的数据具有更高的可信度和可用性。对于一些较低速的数据采集应用,可能会使用几 MHz 到几十MHz 的晶振频点,比如 4MHz、8MHz、16MHz 等,以满足基本的数据采集速率要求。 在中高速数据采集场景中,可能会用到几十 MHz 到几百 MHz 的晶振,例如 32MHz、64MHz、100MHz、200MHz 等,这样可以实现较高的数据采样频率和较好的时效性。 数据采集卡的晶振选型要求 01.高稳定、高精度 确保提供准确的时钟信号,以实现精确的数据采集和测量,减少时间相关的误差,能在不同的环境条件下(如温度、湿度等)保持稳定的频率输出,避免频率漂移影响数据采集的准确性和一致性。 02.抗干扰 显卡工作环境中存在各种电磁干扰源,如电源、电流和其他电子设备。金属金属封装表面设计具备一定的抗干扰能力,支持LVDS/LVPCECL/HCSL差分信号输出,可轻易的辨别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号。 03.低抖动 差分具有低相位抖动噪声特性(0.1pS typ.),可减少信号失真和抖动,保证时钟信号的边沿清晰、有助于提升数据采集的质量和可靠性。 04.小尺寸 适应数据采集卡紧凑的设计空间,便于集成安装。 YXC晶振推荐 推荐使用YXC热销差分晶振YSO230LR系列 YSO230LR的特点及优势如下: 1、宽频范围:频率范围覆盖13.5-200MHz,满足客户项目高频选型需求; 2、高精度:全温范围内总频差±50ppm,高稳定性; 3、低相噪差分输出:支持LVDS/LVPCECL/HCSL差分信号输出,低抖动0.1pS typ.,具有较强的抗干扰能力; 4、封装尺寸齐全:提供2520/3225/5032/7050等不同封装,灵活满足选型要求; YSO230LR系列规格书如下:找元器件就上唯样商城
MP-LATCH带状电缆连接器 电缆连接器 , 连接器 , 泰科长期专注于“连接”的TE的AMP-LATCH带状电缆连接器,无需剥离或准备电线,为带状电缆和PCB之间的连接提供更为可靠且经济的选择。 无处不在的“连接”一直在默默发力,悄然改变着我们的生活。长期专注于“连接”的TE Connectivity(以下简称“TE”)的AMP-LATCH带状电缆连接器,无需剥离或准备电线,为带状电缆和PCB之间的连接提供更为可靠且经济的选择。 AMP-LATCH连接器是一种带状电缆到电路板的连接产品,是一种行业标准的线对板连接系统,用于将一块电路板连接到另一块电路板,或将一个子系统连接到另一个子系统。该连接器端接时,无需剥离或准备其他缆线,从而节省了劳动力,其优秀的大规模端接能力使其应用于电子电气、工业、汽车、能源、数据通信等多个领域。优势特点 无需剥线或准备导线 节省人力 防止插头和插座错配自动电缆组装生产 配接保持,优化使用电路板面积 带状电缆与 PCB 直接可靠的连接 应用领域 电子电气 - 线束组件,PCBA 工业 - 工业设备,控制和自动化 汽车 - 电动汽车充电,汽车诊断,交通信号设备 能源 - 储能系统,太阳能逆变箱 数据通信 - 计算机,服务器,基站 测试测量 - 电气测试设备制造商 智能建筑 - 暖通设备,室内外照明 找元器件就上唯样商城
YAGEO | 铂电阻温度传感器在灭菌器中的应用 AGEO在复杂的灭菌世界里,不容许有任何出错的余地,精确的温度控制是必不可少的。在复杂的灭菌世界里,不容许有任何出错的余地,精确的温度控制是必不可少的。如果工作温度不合适,灭菌过程可能会失败,将会置生命安全于危险之中,尤其是在医疗保健和食品等这些清洁卫生至关重要的行业。 🏥🍽️ 想象一下,如果灭菌器中的东西变得太热会发生什么:错误的温度读数可能会将设备置于险境,导致故障甚至事故的发生。我们的铂电阻温度传感器通过密切监测温度变化,防止设备受到损坏,从而有效规避了这些风险。⚙️💡 不准确的温度读数也会破坏被消毒的器具本身。如果温度过高,材料可能会被损坏或破坏,从而导致更大的损失。💸 现在,让我们来解析一下铂电阻温度传感器在不同类型灭菌器中的工作场景: 在高压灭菌器等蒸汽灭菌器中,获得正确的温度读数非常重要。我们的铂电阻温度传感器可确保阀门正常工作,防止水或蒸汽的过多排放,这些问题可能会影响灭菌过程。温度传感器与压力传感器协同工作,以确保准确评估蒸汽饱和度,这对于正确的灭菌过程至关重要。 干热灭菌器需要长时间保持较高温度。铂电阻温度传感器通过出色的温度监控能力保证了正确的消毒过程,也使得被消毒物品不易被损坏。 化学灭菌器依赖于特定温度,这对于苛刻的化学反应具有决定性作用。我们的铂电阻传感器确保所有反应物都保持在合适的温度范围,从而保证灭菌过程可以正常进行。 YAGEO Nexensos 的铂电阻传感器具有高精度、快速响应时间和极佳循环能力等优点,这些优点对于保证灭菌过程的正常进行和减少设备的停机时间至关重要。🌡️ 🚀 请联系我们的温度专家详细了解我们的产品,助您的灭菌过程安心无虞!📨找元器件就上唯样商城
TDK推出采用生物质材料的环境可持续电波吸收体 TDK推出新型IS-BP系列电波吸收体,该系列含有超过25 wt%的生物质材料,是一种可减少二氧化碳的环境可持续选择。该产品已于2024年4月开始量产。日本生物塑料协会(JBPA)正式批准 通过混合超过25 wt%的生物质材料,与传统产品相比,可减少13%的二氧化碳排放量 TDK推出新型IS-BP系列电波吸收体,该系列含有超过25 wt%的生物质材料,是一种可减少二氧化碳的环境可持续选择。该产品已于2024年4月开始量产。 微波电波暗室用于评估天线和无线通信设备以及用于AD和ADAS的毫米波雷达。微波暗室的天花板、墙壁和地板都用电波吸收体覆盖. TDK的IS-BP系列电波吸收体由分散有碳的泡沫聚乙烯制成;它利用碳的欧姆损耗来吸收电波。形状为金字塔形,长度有12cm以及30cm,具体取决于使用的频率范围。 IS-BP系列的吸收性能与传统产品相当。此外,大量测试表明,IS-BP系列与传统产品一样结实耐用,而且同样不易燃。 新型IS-BP系列含有25 wt%以上源自甘蔗的生物质聚乙烯,取代了石油衍生的聚乙烯。TDK致力于通过在汽车、信息通信技术和工业设备等广泛应用领域与客户的合作,从而最大限度地为创建可持续发展社会做出贡献。这种新型吸收体材料的开发是为满足供应链合作伙伴日益增长的要求,以示符合气候变化倡议。该新型可持续产品通过了JBPA认证,与传统产品相比,可减少13%的二氧化碳排放量。 主要应用 MAIN APPLICATIONS 微波和EMC电波暗室,用于评估天线和无线通信设备以及用于AD/ADAS的毫米波雷达的评估,GHz频段以上的EMC测量 主要特点和优势 MAIN FEATURES AND BENEFITS 采用生物质材料的环境可持续电波吸收体 已获JBPA批准 含有超过25 wt%的生物质材料 与传统产品相比,二氧化碳排放量可减少13% 性能和阻燃性与常规产品相当 关键数据 KEY DATA找元器件就上唯样商城
泰科 | 汽车连接FFC/FPC压接技术,省心,省本,省空间 TE Connectivity(简称“TE”)NanoMQS 小型化连接器FFC(扁平柔性线缆)、FPC(柔性电路板)免焊压接方案,用于电池包电芯模组采样到BMS板端之间的连接。采用免焊式压接工艺,减免焊接脱落风险,让 FFC/FPC 连接便捷高效,经济可靠。 1、省心 / 装配简单,两步到位只需两步,TE NanoMQS FFC/FPC 压接方案即可完成: 第一步 通过刺破式压接技术,用压接机迅速完成 FFC/FPC 与端子尾端的集成。 第二步 将端子插入母端连接器,再将母端插入板端连接器连接 PCB 板,装配即可完成。 相比之下,传统连接方案采用焊接技术,由于母端端子无法直接焊接到 FFC/FPC 上,需要增加工序将 FFC/FPC 与新增板端连接器焊接,不仅需要两对连接器与补强板,而且工序复杂,焊接在长期高振动环境中还有脱落风险。 2、省本 / 省时省材,经济可靠传统焊接方案每次完成 FFC/FPC 连接,均需要更多的材料(额外一对连接器、中间导线、加强版,以及焊接金属),其成本更加昂贵,且每一步的选材均需严格把关,任何环节的连接不稳定、不匹配都会导致断连风险。同时,其连接装配所需工序更复杂,时间更长,也占用更多的人工成本。 相比之下,TE 的 FFC/FPC 压接方案则在连接材料和工序上大幅简化,不仅节省材料成本,也在装配上显著提升装配效率,节约人工成本。 3、省空间 / 缩龙成寸,小即是多新能源汽车储能技术高速发展,电池包内元件所挤占的空间也日益拥挤。TE 的 FFC/FPC 压接方案可以在节约连接元件的同时显著节省空间,让连接不再成为电池包内排布收纳的障碍。秉承“Less is More”的理念,TE 的 NanoMQS 小型化连接器可提供系统的小型化方案,包括更小的连接器和端子尺寸、更扁平的连接结构(可选用表面贴装技术 SMT 系列连接器),以及更节省空间的 FFC/FPC 压接方案,赋能线束厂、系统集成商和整车厂,在新能源汽车产业升级中以有限空间换取无限可能。 作为一家拥有80余年连接经验积淀的企业,同时作为压接技术的开创者和创新者,TE 始终致力于提供更安全、可持续、高效的互连技术,持续推动行业发展,助力客户在转机里抢先机,在变局中谋新局。 ©2023 TE Connectivity 保留所有权利 TE Connectivity, TE connectivity (标识) , NanoMQS是商标。其它标识、产品和公司名称可能是各自所有人拥有的商标。部分图片来自网络。 找元器件就上唯样商城
泰科 | 关于Wi-Fi 7,你需要知道… …如果有人问,你的手机是几G信号,你肯定可以脱口而出。如果问,Wi-Fi已经是第几代了?你有答案吗?如果有人问,你的手机是几G信号,你肯定可以脱口而出。如果问,Wi-Fi已经是第几代了?你有答案吗? 在我们的印象中,连接,过去长这样:随着科技发展,使其变得更小、更智能:随着科技的继续不断发展,所有设备和应用对Wi-Fi技术的要求又进一步增加:在高要求的数据世界中,Wi-Fi技术的迭代需要保持时刻领先现在,连接可能长这样:这是Wi-Fi 6 的世界,以低延迟、高速度和更好的可靠性提供全球数据支持 但是,世界对持续更快、更可靠的Wi-Fi的需求愈演愈烈,随着所有新设备和应用加入Wi-Fi 6E,很快会促使Wi-Fi加速迭代到下一阶段。找元器件就上唯样商城
泰科 | TE 112G 产品解决方案,助力“通关”高速互连挑战 TE 112G作为当下数字化进程中的几股“中坚力量”,5G、云计算、物联网、人工智能技术等正在经历飞速发展。为了实现这样的“加速度”,不断进阶的系统带宽自是必不可少。作为当下数字化进程中的几股“中坚力量”,5G、云计算、物联网、人工智能技术等正在经历飞速发展。为了实现这样的“加速度”,不断进阶的系统带宽自是必不可少。高速连接产品的市场需求也随之激增。 TE Connectivity(以下简称“TE”)的 112G 产品组合因此受到了众多客户的关注。TE 112G 产品系列品类齐全,支持标准的形态和性能要求;同时,在设计上兼顾了可靠性和可升级性,可支持包括计算/存储、高速网络和机器学习/人工智能在内的应用,为下一代系统架构提供了强大而灵活的解决方案。ADVANTAGES 主要优势 提供非常全面、灵活、性能强劲的内外部连接器和电缆组件组合,助力满足下一代高速设计的要求 112G 链路性能需求优于业界规定,在串扰、回波损耗和插入损耗方面均获得很高评价 标准的外部输入/输出(I/O)接口实现了机柜内和机柜间应用的生态系统连接 铜缆解决方案提供了经济高效的系统设计和连接选项,以满足 112G 架构的整体性能要求 KEY PRODUCTS 部分明星产品 每通道 112G 的 I/O 解决方案 TE 以业界领先的 112G 技术开发出端口带宽 800G 及以下解决方案,设计符合MSA 规范,性能优越 多种散热技术用于 cage 及其散热器设计,以适应风冷和液冷的不同场景,并支持 25W+ 的模块功耗 可提供 OSFP、QSFP-DD、QSFP、SFP、SFP-DD、CDFP 等产品有线 STRADA Whisper 线缆背板连接器 灵活的解决方案,支持更长链路 支持 112G PAM4 和 56G NRZ 卓越的 EMI 性能 公、母端都可提供用于 SFF-TA-1002 内部互连系统的 Sliver 解决方案 支持 OCP、EDSFF和Gen-Z 等行业标准 以性能、密度、灵活性和可靠性脱颖而出 可提供板中连接器、金手指连接器和电缆组件Sliver 内部电缆互连方案 支持各种信号协议的小型化接口 支持 112G PAM4 和 56G NRZ 符合 SFF-TA-1002 规范Mini-SAS HD 连接器和电缆组件 符合 SFF-8086、8087 和 8088 的标准 支持 SAS 2.0、SAS 2.1、SAS 3 和 PCIe 应用 可支持到 PCIe4 16G 的应用电源汇流条连接器 适用于服务器、交换机、无线、工业控制和模块化电源的电源传输,常用于带有汇流条结构的机架安装设备 高可靠性、低电阻、结构稳固 可应用于服务器及其托架,备用电池单元,集中供电单元电源汇流条组件 满足 12V 和 48V+ 要求的解决方案 可靠性高,结构稳固 提供柔性、刚性和叠层母排 端到端的整体解决方案,用于电源分配及电路板间电源传输找元器件就上唯样商城
泰科手工工具,压接工具中的“孤勇者” TETE手工工具,压接品质与舒适的完美结合。要实现线束端子的精准压接 你会想到什么!?细致耐心的工作态度?还是老道丰富的压接经验?Anything else. .. ?没错,以上都很重要但选择一把容易上手的压接工具也尤为关键今日推荐唯样代理的TE泰科手工工具助您实现既高效又高质量的压接工作! 首先看外观。如下面这几款工具,作为TE大厂出品的工具,外观颜值必须在线,经得住大众眼光的考验。每一个弧度都经过精心考量,符合人体力学的精妙设计,整体外形流畅,线条优美,整体释放出来的现代感和科技感,使得它在同类工具中极为抢眼。其次看质量。如果你选择了一个工具,你肯定希望它的使用寿命能够拉到最长,而不是用几次就“故障夭折”。在这方面,泰科拥有令人信任的过硬质量,TE手工工具采用优质材料制造,经过质量控制和多种环境下严格的测试,确保其能够长时间稳定运行,外加众多全球一线工程师的亲身体验,您可以放心使用它进行压接加工,而无需担心工具的质量问题。更令人放心的是,作为泰科在国内有售后服务的代理商,唯样也可提供维修服务保障!最后看“功效”。众所周知,完成高质量的压接离不开工具的正确使用,好的工具可以让工作效率事半功倍。市面上的压接工具有很多,为什么推荐TE工具呢?综合来看,泰科的手工工具主要有以下优点: (1)高效可靠:TE手工工具的设计考虑了用户的操作习惯和人体工学原理,使得操作过程更加顺畅和高效,一次压接即可轻松压接到位,操作者可轻松掌握使用方法,短时间内即可完成压接加工任务。 (2)便捷小巧:TE手工工具体积小巧、重量轻便,携带方便,无论您是在实验室还是在户外,都可以进行压接加工,随时使用它来解决问题。 (3)符合人体力学的精妙设计:经过严谨的考量,TE手工工具的设计充分考虑到了用户的手感和使用舒适度,它的手柄根据人体力学设计,让使用者的手部肌肉能得到更好的放松,压接过程更省力。 (4)多系列型号可选择:TE手工工具有多种类型可供选择,包括商用系列、CERTI-CRIMP系列【适用于航空航天工业领域】等,可以满足不同用户的需求。无论您是需要进行商业应用还是个人DIY,都能找到适合自己的型号。 如果您正在寻找一款优质的压接工具,那么TE手工工具必是一个值得选择的方案。如果您有任何产品方面的需求欢迎垂询唯样。找元器件就上唯样商城
出复仇者联盟 4 版灭霸
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