明天真的不熬夜了 请省略我
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L-com诺通推出新型全向、八木、平板和便携式天线 L-com诺通宣布推出一系列新型天线,频率覆盖范围从824 MHz到5.8 GHz,更好服务于广泛的无线连接应用。Infinite Electronics英飞畅旗下品牌、有线和无线连接产品领先制造商L-com诺通,宣布推出一系列新型天线,频率覆盖范围从824 MHz到5.8 GHz,更好服务于广泛的无线连接应用。 这些新型天线,从前只作为定制产品提供,由于需求量不断增加,L-com诺通目前已可提供成品,并且备货在库。四个新型全向天线包括:HGV-906U-NM型号,它具有6dbi的增益和824-960MHz的频率范围覆盖;HGV-4958-06U-NM型号,覆盖4.9到5.8 GHz,提供6dbi的增益;HGV-2458-03U-NM型号,用于2.4 GHz和4.9-5.8 GHz频段,增益为3dbi;HGV-2404U-MMCX型号,覆盖2.4至2.5 GHz频率,增益为4 dBi,并带有MMCX直角连接器。 新型八木天线包含HG914YE-NF-BLK和HG909YE-NF-BLK两个型号,它们分别支持824至960 MHz频率,14 dBi和9 dBi增益。其他功能包括N型母头连接器和黑色阳极氧化铝吊杆。 新型HG2458-10DP-BLK双频垂直极化平板天线,适用于2.4 GHz和4.9-5.8 GHz频段的室内和户外应用,也可用于MIMO点对多、点和点的无线连接。 最后,HG2403RDR-MMCX便携式橡胶天线,采用4.7英寸(12厘米)长度的精巧设计,适用于2.4-2.5 GHz频段,并配有MMCX连接器。 “以前,此类天线只是作为定制产品,以满足不同客户的无线网络应用。随着时间的推移,需求量不断增长,促使我们把这些天线转变成常规种类,并提供现货供应。安装人员和网络设计师将会发现,它们在频率覆盖、外形和增益选择方面具有非常好的灵活性。”产品线经理Kevin Hietpas说。 找元器件就上唯样商城
Pasternack推出气密射频连接器和适配器 新型密封射频元件满足恶劣环境需求 Infinite Electronics 旗下品牌,业界领先的射频、微波和毫米波产品供应商 Pasternack最新推出推出一系列新型气密射频连接器和适配器,旨在满足恶劣环境需求。 该气密射频连接器端子和穿墙式适配器具有BNC、N型、TNC、SMA、2.92 mm和2.4mm连接器选项,为用户提供了广泛的选择,以满足各种规格和需求。该新型产品线连接器满足MIL-STD-348B,确保提供优良性能和可靠性的承诺。 Pasternack 气密连接器和适配器除了基本功能外,在宽温度范围内表现出卓越的弹性,适用最具挑战性的环境。 此外,Pasternack 气密连接器和适配器产品的品质卓越,质量可靠,其泄漏率为在一个大气压差下,1x10-6和1x10-8 cc/sec, “Pasternack 气密连接器和适配器产品线的优势在于,能在高强度密封恶劣环境中运行,确保卓越的电气效率。适应性、强度和卓越功能的结合确保我们的客户为其关键任务应用程序获得最先进的解决方案。” 产品线经理Kevin Hietpas 说道。 Pasternack 新型气密连接器和适配器已备货在库,可随时发货。 关于Pasternack Pasternack是射频产品的全球领导者,成立于1972年。作为一家通过ISO9001:2015认证的制造商和供应商,Pasternack为业界提供广泛的有源和无源射频、微波和毫米波产品选择,并可在当天发货。Pasternack隶属于Infinite Electronics公司。 关于Infinite Electronics公司 英飞畅作为全球领先的电子元器件提供商,凭借其旗下一系列备受认可的知名品牌,服务于工程师们的紧急需求。英飞畅旗下各品牌均为其各自产品板块的专业品牌,提供丰富的工程级产品,并辅以专家级技术支持以及当天发货服务。为了满足来自各领域的10万多家客户的需求,英飞畅每一天都忠实致力于产品的备货入库和可靠发货。 找元器件就上唯样商城
【原厂】TDK针对高动态工业应用的闭环数字加速度计Tronics AXO3 TDK一款基于Tronics AXO®300加速度计平台的产品。这也是Tronics继成功发布适用于航空电子的AXO315、用于陆地和海洋定位系统的AXO305,以及适合铁路和倾角测量应用的AXO301之后,再次扩展其产品组合,推出AXO314。后者是一款具有±14 g测量范围的高性能数字MEMS加速度计,专为具有高抗冲击性能和高抗振动性能要求的工业应用而设计。AXO314采用业内独有的闭环架构,具有优异的线性度和抗振动性能,是一种小尺寸、轻重量与低功耗 (SWaP)、数字化且具有成本效益的解决方案,可用于替代体积大且昂贵的战术级石英加速度计,并且优势明显。 AXO314具有出色的一年复合偏置可重复性 (1mg) 和偏置稳定性 (4 µg),是一款结构坚固、体积小巧、精度高的加速度传感器解决方案。其高稳定性和可靠性可满足恶劣工况中动态系统的应用要求。 Tronics的高稳定性MEMS陀螺仪GYPRO®4300与AXO314共享同一SMD J引线陶瓷封装,具有优异的热稳定性,并且都采用24位SPI接口。因此结合GYPRO®4300,AXO314非常适用于海陆空测绘应用以及航空和地勤车辆的GNSS辅助定位系统中广泛用到的多轴战术级惯性测量单元 (IMU) 和惯性导航系统 (INS)。 AXO314不属于双重用途出口管制类别,并符合REACH和RoHS标准。与TDK其他高性能MEMS惯性传感器产品组合中的所有产品一样,AXO314加速度计出厂时进行了校准,可在工作温度范围内提供高精度输出。同时,用户还可以选择原始数据输出,以便定制补偿策略。 AXO314\现在可直接在Tronics或通过专门的代理商申请样品和进行客户测评。 主要应用 MAIN APPLICATIONS 哪些场景可以应用到该产品呢❓ 航空和地勤车辆的GNSS辅助导航和定位系统中的IMU和INS🚕 航空测绘📏🚀 矿业仪器的测量和钻探引导🔨 用于轨道几何测量系统的IMU📐 主要特点与优势 FEATURES&ADVANTAGES 测量范围为±14 g的单轴加速度计 一年复合偏置可重复性:1 mg 抗振动性能:20 μg/g² 温度偏差:0.5 mg 噪音密度:15 μg/√Hz 工作温度范围:-40 °C至+85 °C 温度范围出厂时已校准 SMD J引线陶瓷密封封装(28针) 不属于双重用途出口管制类别 符合REACH和RoHS标准 找元器件就上唯样商城
TE | ERNI MicroBridge 连接器,又一为汽车应用量身定制的连接器 伴随着汽车行业对安全性、可靠性要求的不断升级,TE Connectivity(以下简称“TE”)也一直在持续“进化”相关领域的适配产品。ERNI MicroBridge 产品系列就可满足眼下业内对插接可靠性和坚固性的高要求,并且这款产品在耐高温方面表现突出,为 V0 UL94 易燃性等级。产品优势速览 MicroBridge 仅1.27 毫米的间距让连接器设计紧凑,同时坚固耐用,狭小区域应用不成问题。此外,它还可承受150 °C范围下的高温,例如,即使在靠近车辆 LED 前照灯的区域,也能保证连接的安全性与稳定性。两侧的锁定机制,使 MicroBridge 连接器可稳定应对车辆中发生的振动。 应用领域 ✓ 前照灯系统 ✓ 电池管理系统 ✓ 电源电子设备 ✓ 变频器、直流/直流充电器和车载充电器 ✓ 激光雷达、雷达和摄像头应用 产品特性 单排 IDC 母端连接器提供 90° 和 180° 电缆出口。公端连接器专为表面贴装技术 (SMT) 设计,有直型和角型两种版本。每个引脚数的颜色和机械编码能够防止错误连接。 ✓ 紧凑的电缆连接器系统,线径为 0.35mm² ✓ 可实现 2 至 20 个插针(单排) ✓ 垂直和直角 SMT 连接器 ✓ 带 90° 和 180° 电缆出口的 IDC 母连接器 ✓ 适用于 0.35mm² 的分离式电缆 ✓ 带集成应力消除的双刺破式连接器,可实现很高的慢动作弯曲性能 ✓ Koshiri 安全性 ✓ 选配电气 CPA 双面联锁 ✓ 可进行机械和颜色编码 ✓ 符合 LV214 汽车标准 惊喜呈现 同时,TE 提供新型 EPT-A1 半自动绝缘刺破式连接器 (IDC),无需从导线上剥离绝缘层即可将这些导线端接到连接器。这项新技术为各种汽车和工业应用中的大、中甚至小批量生产提供了质量、效率和成本效益。 找元器件就上唯样商城
Pasternack 扩充大功率放大器产品组合 大功率放大器Pasternack 最新扩充大功率放大器产品线,适用于VHF、 UHF、L、S、C、X和Ku频段的广泛市场应用。新型放大器系列支持多种宽带应用 Infinite Electronics 旗下品牌,业界领先的射频、微波和毫米波产品供应商 Pasternack 最新扩充大功率放大器产品线,适用于VHF、 UHF、L、S、C、X和Ku频段的广泛市场应用。 新型大功率放大器的饱和输出功率为10W至200W,采用坚固的军用级同轴封装设计,工作温度为-40℃至+185℃。 Pasternack大功率放大器覆盖1.5 MHz到18 GHz的宽带频率,采用GaN和LDMOS半导体设计。GaN模型在更小的封装中可表现出高效率,其性能优势在宽带应用中最理想的。高效的AB类设计采用50欧姆输入和输出匹配端口,内置控制和保护电路,以及用于直流偏置、命令控制和监控功能的D-sub连接器。 “这些宽带、大功率放大器非常适合测试和测量应用,以及为雷达、无线电和电信系统传输射频信号。” 高级产品经理Tim Galla说道。 Pasternack 新型大功率放大器已备货在库,可随时发货,无最低订购量。 关于Pasternack Pasternack是射频产品的全球领导者,成立于1972年。作为一家通过ISO9001:2015认证的制造商和供应商,Pasternack为业界提供广泛的有源和无源射频、微波和毫米波产品选择,并可在当天发货。Pasternack隶属于Infinite Electronics公司。 关于Infinite Electronics公司 英飞畅作为全球领先的电子元器件提供商,凭借其旗下一系列备受认可的知名品牌,服务于工程师们的紧急需求。英飞畅旗下各品牌均为其各自产品板块的专业品牌,提供丰富的工程级产品,并辅以专家级技术支持以及当天发货服务。为了满足来自各领域的10万多家客户的需求,英飞畅每一天都忠实致力于产品的备货入库和可靠发货。 找元器件就上唯样商城
Pasternack 推出新型负斜率均衡器负斜率均衡器 均衡器Pasternack 最新推出一系列现货库存的负斜率均衡器,适用于宽带应用,包括电子战、电子对抗、微波无线电等。新型负斜率均衡器弥补了长电缆运行中的过度损耗 Infinite Electronics 旗下品牌,业界领先的射频、微波和毫米波产品供应商 Pasternack 最新推出一系列现货库存的负斜率均衡器,适用于宽带应用,包括电子战、电子对抗、微波无线电等。 Pasternack 新型负斜率均衡器性能优良,具有高可靠性、低驻波比和出色线性度。它们提供0.5dB到1.2dB的低插入损耗和宽倍频带宽覆盖1GHz到26.5GHz。该负斜率均衡器采用坚固弹性和紧凑的同轴封装设计,工作温度范围为0℃到+90℃,最大输入功率为150mw,允许用户安全地传输更大功率,无需担心过载和损坏天线端口。 “Pasternack 新型负斜率均衡器缓解了信号处理通道中的性能问题,它们在补偿放大器的宽带增益响应方面特别有用,该宽带增益响应通常在频段上端衰减。”产品线经理Tim Galla说道。 Pasternack 新型负斜率均衡器已备货在库,可当天发货。 关于Pasternack Pasternack是射频产品的全球领导者,成立于1972年。作为一家通过ISO9001:2015认证的制造商和供应商,Pasternack为业界提供广泛的有源和无源射频、微波和毫米波产品选择,并可在当天发货。Pasternack隶属于Infinite Electronics公司。 关于Infinite Electronics公司 英飞畅作为全球领先的电子元器件提供商,凭借其旗下一系列备受认可的知名品牌,服务于工程师们的紧急需求。英飞畅旗下各品牌均为其各自产品板块的专业品牌,提供丰富的工程级产品,并辅以专家级技术支持以及当天发货服务。为了满足来自各领域的10万多家客户的需求,英飞畅每一天都忠实致力于产品的备货入库和可靠发货。 找元器件就上唯样商城
TDK的SPE评估版重新定义工业物联网的链接标准 TDK我们SPE技术可提供独特的从单个传感器到云端的无缝以太网连接能力,从而在市场上脱颖而出。 应对工业系统通信方式的重大飞跃:了解TDK针对模拟元器件的SPE评估板推出多款PoDL扩展板(#SPE) – 其设计不仅是为了满足工业互联网的连接标准,而且重新定义工业物联网的连接标准#工业物联网。我们SPE技术可提供独特的从单个传感器到云端的无缝以太网连接能力,从而在市场上脱颖而出。它们可在长达 1000 米的距离内实现高达 10 Mbps 的数据传输,同时提供不同级别的电力。这项创新技术简化了网络基础设施,使从单个传感器到云端的基于以太网的通信成为现实,无需单独的数据和能源电缆。 包含的主要功能: 🔹即插即用,可轻松集成到 ADI 的评估板中 🔹衰减符合 IEEE 802.3cg 🔹完整的电感器系列,具有高可靠性和高性能 🔹LED 功能监控,实时更新状态 🔹符合 RoHS 标准的组件,符合环保要求 完美适配设计师 我们的主板不仅仅适用于一刀切的解决方案。它们预先配备了各种功率等级的快速测试,展示了多功能性和适应性。无论您是为小型应用程序还是大规模工业设置进行开发,我们的评估板都是为满足您的特定需求而量身定制的,让您对项目充满信心。 TDK 致力于塑造工业连接解决方案的未来。我们的 10BASE-T1L 评估板确保您的设置不仅实用,而且面向未来。 主要应用 MAIN APPLICATIONS 那些场景可以应用到该产品呢❓ 工业自动化 🏭 流程自动化🔧 楼宇自动化🏩 主要特点与优势 FEATURES&ADVANTAGES 专为不同APL和IEEE 802.3 g-2019功率等级要求而设计 衰减符合IEEE 802.3 g-2019 可覆盖10BASE-T1L完整的电感器产品线 高可靠性元件 大电流能力 找元器件就上唯样商城
英飞凌推出XENSIV™ PAS CO2 5V传感器,用于提高楼宇能效和空气 飞凌安全楼宇是全球能源消耗和碳排放的主体,为进一步推动低碳化,提高楼宇能效至关重要。我们需要创新的解决方案来优化能源消耗,同时确保健康的室内环境。楼宇是全球能源消耗和碳排放的主体,为进一步推动低碳化,提高楼宇能效至关重要。我们需要创新的解决方案来优化能源消耗,同时确保健康的室内环境。 为满足这一需求,英飞凌推出全新XENSIV™ PAS CO2 5V传感器。这款基于光声光谱(PAS)技术打造的传感器可根据实际使用情况调整通风,从而提高能效,减少楼宇碳足迹。该半导体器件适用于商业和住宅楼宇中的供暖、通风和空调(HVAC)系统,以及房间控制器和恒温器等应用,还适用于智能照明、空气净化器、会议系统和智能扬声器等物联网和消费类设备,以及智能园艺和智能冰箱等新型应用。XENSIV™ PAS CO2 5V “ 环境传感产品是英飞凌传感器产品组合中的重要支柱。二氧化碳传感器通过持续监测室内空气质量并相应调整通风系统,在智能家居和楼宇中起到愈发重要的作用。英飞凌的XENSIV™ PAS CO2 5V传感器解决方案能为楼宇使用者提供更健康的生活环境,并显著降低能耗,提高楼宇的可持续性。 ” Andreas Kopetz 英飞凌科技环境传感产品线副总裁 XENSIV™ PAS CO2 5V可实时提供精准的空气质量数据。它采用与XENSIV™ PAS CO2 12V传感器相同的14x13.8x7.5 mm³微型外形尺寸,能够无缝集成到各类应用中,由于尺寸一致,用户就可以轻松采用两个产品都适用设计,或两种不同的终端产品应用相同的设计。与12V型号相比,5V型号采用5V电源,进一步简化了适配。此外,其响应时间从12V产品的90秒大幅缩短至55秒,提高了各类应用的效率,使动态环境中的数据采集速度变得更快,反应更灵敏。该传感器的防尘设计符合ISO 20653:2013-02标准,能够延长设备在多尘环境中的使用寿命,并更大程度地降低维护要求。另外,该传感器支持UART、I²C和PWM接口,可与微控制器和其他数字系统无缝集成,简化了设计与开发流程。最后,这款性能强大的传感器还符合国际公认的WELL™绿色楼宇性能标准,可提高环境的可持续性和财产价值。 XENSIV™ PAS CO2 5V传感器的所有主要组件均按照英飞凌的高质量标准自主开发。其中包括一个专用微控制器,该微控制器负责运行先进的补偿算法,提供直接、可靠的实际二氧化碳浓度ppm读数。另外,依靠提供的配置选项,使该传感器成为市场上功能最齐全的即插即用型二氧化碳传感器之一。而这些配置选项包括专用的ABOC(自动基线偏移校准)、压力补偿、信号报警、采样率和测量通知,尤其有助于功耗管理。这款传感器采用SMD封装和卷带包装,有利于简易组装和快速、大批量的生产。
【原厂】英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化 英飞凌消费电子英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,帮助该公司开发先进的无线功率解决方案,为各行各业开辟解决功率难题的新途径。 英飞凌近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系,后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,帮助该公司开发先进的无线功率解决方案,为各行各业开辟解决功率难题的新途径。英飞凌CoolGaN™ GS61008P 此次合作将英飞凌的先进氮化镓(GaN)技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合,实现了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度,而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本,并提高产品的易用性。汽车行业利用该技术将车内体验和座椅动态性提升到一个新的水平;工业系统则利用该技术获得近乎无限的设计自由,包括自动导引车辆、机器人应用等。此外,由于该技术允许采用全密封系统设计,因此无需配备充电端口,减少了全球电池的使用量。AWL-E AgileStation “ 通过合作伙伴,我们再次证明了AWL-E能够充分发挥英飞凌CoolGaN™技术的系统级优势,提高紧凑性和效率。AWL-E与英飞凌在能力上形成互补,此次合作展示了GaN可以在兆赫频率下工作的特点,改变了功率晶体管的应用范式,带来了更加环保、性能更好的产品。 ” Falk Herm 英飞凌科技电源与传感系统(PSS)事业部 全球合作与生态系统管理团队成员 “ 英飞凌认为最终需要通过一个强大的产业生态满足当今的功率需求,因此以一种特殊的方式让我们加入他们的大家庭。英飞凌的GaN晶体管、评估板和合作机会使我们基于GaN的兆赫级功率耦合系统得到普及。 ” Francis Beauchamp-Verdon AWL-E联合创始人、副总裁兼业务开发总监 英飞凌是功率半导体市场的领导者,也是目前唯一一家掌握所有功率技术,同时提供全部产品和技术组合的制造商,包括硅器件(例如SJ MOSFET、IGBT)、碳化硅器件(例如肖特基二极管和 MOSFET)和氮化镓器件(增强型HEMT)。其产品涵盖了裸片、分立器件和模块。 关于AWL-Electricity AWL-Electricity是一家总部位于加拿大的技术公司。AWL-Electricity是无线电力领域的领导者,提供使设备无需传统有线连接即可运行的创新解决方案。AWL-Electricity为消费电子、工业自动化、医疗等多个行业的众多客户提供服务。其开创性的解决方案能够优化流程,解决现有的功率传输问题,帮助各行各业充分发挥自身潜力。 关于英飞凌合作伙伴计划 英飞凌合作伙伴计划是一个由符合资质的企业组成的全球精选产业生态,为支持和采用英飞凌产品提供知识和经验。英飞凌的准合作伙伴、首选合作伙伴和高级合作伙伴帮助共同客户交付适用于新技术和用例的强大、可信的解决方案。 找元器件就上唯样商城
安世 | 推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 热插拔专用 MOSFET(ASFET),该系列产品采用紧凑型 8x8 mm LFPAK88 封装,且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型 ASFET 针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化,可在 175℃ 下工作,适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识,Nexperia(安世半导体)推出的这款 PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N沟道ASFET)作为其产品组合中的首选,在紧凑的 8x8 mm 封装尺寸中兼顾低 RDS(on)和强大线性模式(安全工作区)性能,可满足严苛的热插拔应用要求。此外,Nexperia(安世半导体)还发布了一款 80 V ASFET 产品 PSMN1R9-100SSE(80 V,1.9 mΩ),旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用 48 V 电源轨的增长趋势,在这些应用中,环境条件允许 MOSFET 采用较低的 VDS 击穿电压额定值。 在热插拔和软启动应用中,具有增强型 SOA 的 ASFET 越来越受市场欢迎。当容性负载引入带电背板时,这些产品强大的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少。当 ASFET 完全导通时,低 RDS(on) 对于最大限度地降低 I2R 损耗也同样重要。除了 RDS(on) 更低且封装尺寸更紧凑之外,Nexperia(安世半导体)的第三代增强 SOA 技术与前几代 D2PAK 封装相比还实现了 10% SOA 性能改进(在 50 V、1 ms 条件下,电流分别为 33 A 和 30 A)。 Nexperia(安世半导体)的另一项创新在于,用于热插拔的新型 ASFET 完整标示了 25℃ 和 125℃ 下的 SOA 特性。数据手册中提供了经过全面测试的高温下 SOA 曲线,设计工程师无需进行热降额计算,并显著扩展了实用的高温下 SOA 性能。 到目前为止,适合热插拔和计算应用的 ASFET 通常采用较大尺寸的 D2PAK 封装(16x10 mm)。LFPAK88 封装是 D2PAK 封装的理想替代选项,空间节省效率高达 60%。PSMN2R3-100SSE的 RDS(on)仅为 2.3 mΩ,相较于现有器件至少降低了 40%。 LFPAK88 不仅将功率密度提高了 58 倍,还提供两倍的 ID(max) 额定电流以及超低热阻和电阻。该产品结合了 Nexperia(安世半导体)先进的晶圆和铜夹片封装技术的功能优势,包括占用空间更小、RDS(on) 更低以及 SOA 性能更优。Nexperia(安世半导体)还提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封装的 25 V、30 V、80 V 和 100 V ASFET 系列产品,并针对需要更小 PCB 管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。 找元器件就上唯样商城
安世 | 针对要求严苛的电源转换应用推出先进的 650 V 碳化硅二极 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC 肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。例如,相比仅使用硅基解决方案的数据中心,配备采用 Nexperia PSC1065K SiC 肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。 PSC1065K 具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。PSC1065K 的合并 PIN 肖特基(MPS)结构还具备其他优势,例如出色的浪涌电流耐受能力,从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性,使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中,以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia(安世半导体)作为一系列高质量半导体技术产品的供应商,声誉良好,值得设计人员信赖。 这款 SiC 肖特基二极管采用真 2 引脚(R2P)TO-220-2 通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P 和 D2PAK R2P)和采用真 2 引脚配置的通孔(TO-247-2)封装,可在高达 175℃ 的高压应用中增强可靠性。 Nexperia SiC 产品组高级总监 Katrin Feurle 表示: 在当前可用的解决方案中,我们提供的高性能 SiC 肖特基二极管表现优异,对此我们倍感自豪。随着人们的能源意识日渐增强,我们正致力于为市场带来更多选择和便利性,以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。 Nexperia(安世半导体)计划不断增加其 SiC 二极管产品组合,包括工作电压为 650 V 和 1200 V、电流范围为 6-20 A 的和车规级器件。新款 SiC 二极管现可提供样品,并于近日开始量产。 找元器件就上唯样商城
安世 | 推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET 业内唯一可同时提供级联型(cascade)和增强型(e-mode)氮化镓器件的供应商。 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET 。Nexperia(安世半导体)在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型 E-mode 器件,从 GaN FET 到其他硅基功率器件, Nexperia(安世半导体)丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia(安世半导体)的新产品包括五款额定电压为 650 V 的 E-mode GaN FET(RDS(on)值介于 80 mΩ 至 190 mΩ 之间),提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 两种封装。这些产品可在高电压(< 650 V)、低功率的数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中提高电源转换效率,还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计,以实现更高扭矩和更大功率。 Nexperia(安世半导体)现还提供采用 WLCSP8 封装的100 V(3.2 mΩ)GaN FET 和采用 FCLGA 封装的150 V(7 mΩ)GaN FET 。这些器件适合各种低电压(<150 V)、高功率应用,例如,数据中心使用的高效 DC-DC 转换器、快速充电(电动出行类和 USB-C 类)、小尺寸 LiDAR 收发器、低噪声 D 类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备(如手机、笔记本电脑和游戏主机)。 在许多功率转换应用中, GaN FET 凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率,从而显著降低物料(BOM)成本。因此, GaN 器件在主流电力电子市场逐渐得到了广泛应用,包括服务器计算、工业自动化、消费类应用和电信基础设施。基于 GaN 的器件具备快速转换/开关能力(高 dv/dt 和 di/dt),可在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。Nexperia(安世半导体)的 E-mode GaN FET 具有出色的开关性能,这得益于极低的 Qg 和 QOSS 值,并且低 RDS(on) 有助于实现更高的功率效率设计。 这些新器件进一步扩充了 Nexperia(安世半导体)丰富的 GaN FET 产品系列,适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高电压、高功率应用的级联器件,支持高电压、低功率应用的 650 V E-mode 器件和支持低电压、高功率应用的 100/150 V E-mode 器件。此外, Nexperia E-mode GaN FET 采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能,符合工业级的 JEDEC 标准。Nexperia(安世半导体)的 GaN 器件产品系列不断扩充,充分体现了 Nexperia(安世半导体)坚守承诺,促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。 找元器件上唯样商城
安世 | Nexperia(安世半导体)率先推出纽扣电池寿命和功率增强 近日,基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术,是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的新型电池寿命增强器,相比于同类解决方案,可将该类电池寿命延长10倍,与未使用电池增强器的典型纽扣电池相比,使用该增强器还可将电池的峰值输出电流能力提高至25倍。大幅延长工作寿命意味着低功率物联网(IoT)和其他便携式应用中的废旧电池数量将显著减少,同时,过去只能由AA- 或AAA- 电池提供动力的应用也有望改用纽扣电池。 Nexperia的模拟和逻辑 IC 业务部门总经理 Dan Jensen 表示:“推出这款电池寿命增强器产品展示了Nexperia拓展电池管理解决方案业务的决心。我们非常高兴推出这些创新产品,为我们现有的模拟和逻辑产品助增实力。NBM7100 和 NBM5100 可显著增强纽扣电池的性能,帮助进一步减少物联网设备、可穿戴设备和其他消费电子应用中的废旧电池。” CR2032 和 CR2025 纽扣锂电池的能量密度提高,保质期得到延长,因此,可广泛应用于多种低功率应用,比如低功率Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技术的相关器件,以及NB-IoT收发器等。但是,这些电池的内部电阻相对较高,化学反应速率也相对较快,在脉冲负载条件下,其可用容量可能会降低。为了克服这一局限性,NBM7100和NBM5100 中设计有两个高效率 DC / DC 转换阶段,并且采用智能学习算法。第一个转换阶段以较低速率将电池的能量转移到电容式储能元件。第二个阶段利用之前存储的能量实现可调节的高脉冲(最高200 mA)电流输出,可编程调节范围为1.8 V 到3.6 V 。智能学习算法则负责监测在重复负载脉冲周期中使用的能量,并不断优化第一阶段的 DC / DC 转换,尽可能减少储能电容中的残余电荷。在未执行能量转换周期(即待机状态)时,这些器件消耗的能量低至50 nA。 这两款器件的额定工作温度范围是-40℃至85℃,非常适用于商业室内和工业户外环境。当电池电量低至无法支持工作时,“低电量”指示器将会向系统发出警告。除此之外,电池在接近寿命终点时,电压过低保护设计将会阻止向储能电容充电。 随附的串行接口可用于通过系统微控制器进行配置和控制:NMB7100A 和 NBM5100A 版本采用了I2C 接口,而NMB7100B和NBM5100B版本则采用了串行外设接口(SPI)。这些器件均可用于延长纽扣电池、锂亚硫酰氯电池(例如 LS14250 1/2 AA)以及新兴的纸质电池等高能量密度的锂原电池的使用寿命,延长更换电池的时间间隔,从而减少维护工作。除此之外,NBM5100A/B 还设计有电容电压平衡引脚,可为基于超级电容器的应用提供支持。 找元器件就上唯样商城
安世 | Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功 (安世半导体)近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型 DFN 2020(D)-6封装。采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装,并集成BJT和电阻,加倍节省空间 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型 DFN 2020(D)-6封装。新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关,也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是,DFN 封装的RET采用双重空间节省方案,可加倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中,可节省大量电路板空间。此外,无引脚 DFN 封装本身的空间效益较高。这种集成和封装有效融合的战略充分凸显了 Nexperia 力求满足当代电子设备紧凑空间要求的不懈努力。 为了减少元件数量,简化电路板设计,12款新型 RET 将双通道 BJT 与偏置电阻组合在一起,集成在同一封装中。同时还在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻,以创建用于设置基极电压的分压器。进而可实现更精细的微调和更出色的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电阻,因此 RET 适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用,并有助于克服标准 BJT 的温度依赖性。此外,还能降低与贴片以及手动处理相关的成本。 此系列 RET 器件提供双 NPN/NPN 、 NPN/PNP 和 PNP/PNP 选项。与同类竞品器件不同,Nexperia RET 的微型 DFN 2020(D)-6封装尺寸仅为2 mm x 2 mm x 0.65 mm,能够完全提供其规定的500 mA 输出电流。该封装专门用于在高功率应用中实现出色的热性能,可在高达50 V 的集电极-发射极电压(VCEO,基极开路)下提供高达1 W 的总输出功率。 Nexperia RET 器件提供标准版和车规级(符合 AEC - Q101标准)版本。该产品组合包含400多种产品,包括单通道和双通道 RET 以及广泛的电阻组合。Nexperia RET 系列产品提供 DFN 和有引脚 SMD 封装,能够满足众多应用的不同需求。 找元器件就上唯样商城
安世 | Nexperia超低结电容ESD保护二极管保护汽车数据接口 二极管近日,基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)宣布扩展其超低电容 ESD 保护二极管产品组合。近日,基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)宣布扩展其超低电容 ESD 保护二极管产品组合。该系列器件旨在保护汽车信息娱乐应用的 USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。 此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q,均采用DFN1006BD-2封装,可在汽车生产线中通过侧边爬锡进行光学检测。此外,PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q 和 PESD30VF1BBL-Q 还提供紧凑型 DFN 1006-2封装选项。为改善电气性能和信号完整性,同时支持汽车设计中的小型化需求,所有版本均采用无引脚封装。 静电放电(ESD)二极管通过耗散静电放电的高能量来保护关键电子系统和子系统。这可以保护重要的 SOC(系统芯片)和其他器件在 ESD 事件期间免遭损坏。向高速数据线路添加其他器件会导致降低传输数据的信号完整性。因此,适当选择既能保护系统且不妨碍信号传输的器件,对于现代高速汽车系统至关重要。Nexperia 长期占据市场主导地位,对于提供出色 ESD 保护解决方案拥有深厚的专业知识。Nexperia 综合考虑了设计工程师和汽车系统的需求,在该产品组合中通过超低器件结电容(典型值低至0.28 pF)和更高的截止电压(18-32 V)实现了出色的信号完整性,可放置在更靠近连接器的位置。为了提高设计灵活性,这些二极管提供带或不带侧边爬锡的选项,其中侧边爬锡有助于实现自动光学检测(AOI)。 这些器件符合 AEC-Q101 车规级标准,兼具超深度回弹特性和0.8 Ω 低动态电阻特性,可提升高速数据接口中的系统级稳健性和钳位性能。 找元器件就上唯样商城
TDK的SPE评估版重新定义工业物联网的链接标准 TDK我们SPE技术可提供独特的从单个传感器到云端的无缝以太网连接能力,从而在市场上脱颖而出。 应对工业系统通信方式的重大飞跃:了解TDK针对模拟元器件的SPE评估板推出多款PoDL扩展板(#SPE) – 其设计不仅是为了满足工业互联网的连接标准,而且重新定义工业物联网的连接标准#工业物联网。我们SPE技术可提供独特的从单个传感器到云端的无缝以太网连接能力,从而在市场上脱颖而出。它们可在长达 1000 米的距离内实现高达 10 Mbps 的数据传输,同时提供不同级别的电力。这项创新技术简化了网络基础设施,使从单个传感器到云端的基于以太网的通信成为现实,无需单独的数据和能源电缆。 包含的主要功能: 🔹即插即用,可轻松集成到 ADI 的评估板中 🔹衰减符合 IEEE 802.3cg 🔹完整的电感器系列,具有高可靠性和高性能 🔹LED 功能监控,实时更新状态 🔹符合 RoHS 标准的组件,符合环保要求 完美适配设计师 我们的主板不仅仅适用于一刀切的解决方案。它们预先配备了各种功率等级的快速测试,展示了多功能性和适应性。无论您是为小型应用程序还是大规模工业设置进行开发,我们的评估板都是为满足您的特定需求而量身定制的,让您对项目充满信心。 TDK 致力于塑造工业连接解决方案的未来。我们的 10BASE-T1L 评估板确保您的设置不仅实用,而且面向未来。 主要应用 MAIN APPLICATIONS 那些场景可以应用到该产品呢❓ 工业自动化 🏭 流程自动化🔧 楼宇自动化🏩 主要特点与优势 FEATURES&ADVANTAGES 专为不同APL和IEEE 802.3 g-2019功率等级要求而设计 衰减符合IEEE 802.3 g-2019 可覆盖10BASE-T1L完整的电感器产品线 高可靠性元件 大电流能力 找元器件就上唯样商城
国巨 | 高频MLCC CQ系列推出01005 因应高频极小化需 全球被动元件领导厂商 - 国巨集团于1月宣布强化 MLCC01005 X7R, X5R, 及 NPO 商用等级 (CC系列) 的产品范围及产能,以因应终端电子设备元件小型化的需求,引起热烈回响,对于MLCC高频极小化电容的询问度亦相对提升。 唯样商城代理品牌,全球被动元件领导厂商 - 国巨集团于1月宣布强化 MLCC01005 X7R, X5R, 及 NPO 商用等级 (CC系列) 的产品范围及产能,以因应终端电子设备元件小型化的需求,引起热烈回响,对于MLCC高频极小化电容的询问度亦相对提升。因此国巨日前接着再推出MLCC- 01005 NPO 高频等级 (CQ系列),容值介于0.1pF和15pF之间,额定电压25V。 国巨CQ系列MLCC以铜代替镍作为内电极材质,并配合自家设计的介电材料,除了展现电容优异的温度特性及窄容差外,并可达到低ESR (等效串联电阻)、低ESL(等效串联电感)和高SRF(自谐振频率)的要求,进而有效提高品质因数并降低损耗和功耗。 CQ系列MLCC通常用于500MHz至20GHz的高频应用,包括射频模块、移动通信、电信网路等。当这些高频的应用因为更多功能、复杂性、和有限空间内的便携性考量而需要小型化电容时,国巨CQ 01005系列便成为了最佳选择。除了材质的设计外,国巨在产品尺寸和端点尺寸的精度控制也付出相当多的研发心力,01005系列MLCC所采用的是新型端点技术,除了提升产品的可靠度以外,也使得客户端的打件更有效率。未来国巨将持续朝向小型化方向发展及研发,为客户提供优质的产品和服务 找元器件就上唯样商城
国巨推出高功率SMA 600W及SMA 1500W TVS瞬态抑制二极体 国巨随着电动车和5G技术的快速发展所衍生的电子系统也愈来愈复杂,这些系统需要高效、可靠的保护元件来确保其正常运行。 随着电动车和5G技术的快速发展所衍生的电子系统也愈来愈复杂,这些系统需要高效、可靠的保护元件来确保其正常运行。然而国巨所推出的二款高功率瞬态抑制二极体TVS - SMAJ-HP6AT及1.5SMBJ-AT系列,提供了卓越的过电压保护,还具备高功率和高可靠性。 SMAJ-HP6AT系列采用SMA封装,提供600W高功率效能,高于一般业界400W标准1.5倍; 而1.5SMBJ-AT系列提供1500W高功率效能,高于业界600W标准2倍之多,在相同的封装SMA或SMB的条件下,有助于设计人员在有限空间内进行高功率元件的应用。SMAJ-HP6AT及1.5SMBJ-AT系列符合 AEC-Q101 标准,适用于恶劣环境中使用的高可靠性(例如:电动车)的应用。 新推出的TVS二极体系列具有相当广泛的应用范畴,尤其是随着现代电子设备技术提升,所产生的过电压保护需求。 首先是48 V输入/12 V输出的DC/DC CONVERTER,这种转换器在汽车应用及工业应用中相当常见,由于其高效能和高转换率的特性,对于过电压保护的需求尤为重要。SMAJ-HP6AT和1.5SMBJ-AT系列的高功率和快速反应速度使其成为这种应用的理想选择。 再来是LED照明设备的应用,由于LED驱动器12V输入端口需要稳定的电源输入,并且必须能够抵抗可能的电压尖峰或突波,使用SMAJ-HP6AT和1.5SMBJ-AT系列可以确保LED驱动器的稳定运行,并且可以延长其使用寿命。 SMAJ-HP6AT和1.5SMBJ-AT系列应用范围从工业到汽车,从照明到通信,优异的特性让新系列TVS二极体成为最佳的选择。 找元器件就上唯样商城
国巨18亿美元收购美商KEMET,进一步扩展产品线 kemet据路透社报导,国产台资企业国巨Yageo将以18亿美元全现金收买美资被动器材厂商KEMET,经过此次买卖,将扩展国巨的产品组合……  据路透社报导,国产台资企业国巨Yageo将以18亿美元全现金收买美资被动器材厂商KEMET,经过此次买卖,将扩展国巨的产品组合……   被动元件大厂国巨在11日盘后申请停牌,12日暂停买卖,发动跨国并购。   双十一放出劲爆消息,中国的台湾科技公司Yageo Corp表明,将以18亿美元的价格收买竞争对手电子元件制造商Kemet Corp,以扩展其全球掩盖规模。Yageo将以Kemet 每股27.20美元的价格收买,较周一收盘价溢价18%。  Kemet 官方也证实了此事,Kemet 首席执行长William M. Lowe Jr. 表明,很高兴能与国巨达到这项协议,此买卖符合股东、客户及职工的最佳利益。   揭露资料显现,Kemet Corp是一家美国电容器制造商,例如钽、铝、多层陶瓷、薄膜、聚合物电解和超级电容器。Kemet还出产其他各种无源电子元件, 如沟通线路滤波器、EMI磁芯和滤波器、挠性抑制器、机电设备(继电器)、金属复合电感器、铁氧体产品以及变压器/磁性器材。   Kemet 在钽电容的出产工艺和根底资料上都具有技术优势,其在高容和车用方面技术的堆集,是国巨急需的。国巨首席执行官陈泰铭表明:“整合将增强我们在消费电子范畴以及高端汽车、工业、航空航天、电信和医疗范畴服务客户的能力。”   目前该买卖已取得双方董事会的批准,两家公司在联合声明中表明,北美、欧洲与亚洲新增的事务,将扩展国巨的全球事务地图。   国巨表明,将以现金加融资的方式为这笔买卖筹款,并称买卖将于2020年下半年完成,兼并后的年营收将能达到约30亿美元。   值得一提的是,国巨在近年来经过多次收买提高竞争力,其在2018年4月和5月别离以15.6亿元人民币和50.28亿元人民币收买了君耀电子和美国普思电子。 找元器件就上唯样商城
车规级功率电感中的战斗机,用KEMET MPXV系列玩转车用DC-DC! KEMET MPXV系列金属复合功率电感器,可提供高效的功率转换,同时将电磁干扰(EMI)降至最低,非常适用于汽车系统中越来越多的电子控制单元(ECU)DC-DC开关电源等应用。MPXV系列产品专门针对汽车应用进行了优化。考虑到汽车对电子系统的需求和采用在不断增加,要求这些系统能够提供更高的效率,产生更少的热量,并具备更低的功耗。MPXV系列电感器的金属复合芯具有领先同类的高磁导率,完全可满足这些要求该系列产品的高质量使其非常适合于热量因素至关重要的设计,能够避免对其他关键系统产生不利影响。 MPXV系列电感器可在高达155℃温度下工作,并具有较低的电气噪声,能够应用于汽车的所有不同区域,包括引擎盖下电子设备以及动力总成等非常具有挑战性的工作环境。不仅符合AEC-Q200标准要求,甚至能够适用于最苛刻的汽车应用领域。 产品特性 电感范围:0.10µH~100µH 工作温度范围:-55°C~+155°C 电感容差:±20% 额定直流电阻范围:0.48mΩ~341.2mΩ 额定电流范围:2A~90A 低噪音 低漏磁 符合AEC-Q200标准 典型应用 汽车ECU应用,例如:LED大灯 DC-DC输出滤波 仪表板面板 平视显示器(HUD) 电动水泵(EWP)、电动油泵(EOP)和电动助力转向(EPS) 自动驾驶、ADAS、BMS KEMET高级副总裁兼首席技术官Philip Lessner博士表示:“KEMET在高磁导率电感器材料开发和生产方面具有丰富的经验和深厚的专业知识,这使我们能够推出性能卓越的电感器产品,并可满足甚至超越汽车等行业最新应用的要求。MPXV电感器就是这样一个完美的例证,凭借其强大的性能、高可靠性和节能特性,能够为客户提供可靠、易于设计的解决方案。” 找元器件就上唯样商城
TDK的SPE评估版重新定义工业物联网的链接标准 我们SPE技术可提供独特的从单个传感器到云端的无缝以太网连接能力,从而在市场上脱颖而出。它们可在长达 1000 米的距离内实现高达 10 Mbps 的数据传输,同时提供不同级别的电力。这项创新技术简化了网络基础设施,使从单个传感器到云端的基于以太网的通信成为现实,无需单独的数据和能源电缆。 包含的主要功能: 🔹即插即用,可轻松集成到 ADI 的评估板中 🔹衰减符合 IEEE 802.3cg 🔹完整的电感器系列,具有高可靠性和高性能 🔹LED 功能监控,实时更新状态 🔹符合 RoHS 标准的组件,符合环保要求 完美适配设计师 我们的主板不仅仅适用于一刀切的解决方案。它们预先配备了各种功率等级的快速测试,展示了多功能性和适应性。无论您是为小型应用程序还是大规模工业设置进行开发,我们的评估板都是为满足您的特定需求而量身定制的,让您对项目充满信心。 TDK 致力于塑造工业连接解决方案的未来。我们的 10BASE-T1L 评估板确保您的设置不仅实用,而且面向未来。 主要应用 MAIN APPLICATIONS 那些场景可以应用到该产品呢❓ 工业自动化 🏭 流程自动化🔧 楼宇自动化🏩 主要特点与优势 FEATURES&ADVANTAGES 专为不同APL和IEEE 802.3 g-2019功率等级要求而设计 衰减符合IEEE 802.3 g-2019 可覆盖10BASE-T1L完整的电感器产品线 高可靠性元件 大电流能力 找元器件就上唯样商城
电装和罗姆就开始考虑在半导体领域 建立战略合作伙伴关系事宜达 株式会社电装(总部位于日本爱知县刈谷市,社长:林 新之助,公司名以下简称“电装”)和 ROHM Co., Ltd.(总部位于日本京都市右京区,社长:松本 功,公司名以下简称“罗姆”)宣布,双方已就在半导 体领域建立战略合作伙伴关系事宜达成协议。 近年来,为了实现碳中和的目标,电动汽车的开发和普及进程加速,相应地,对汽车电气化所需的电子 元器件和半导体的需求也迅速增加。另外,有助于实现交通事故零死亡的自动驾驶和网联汽车等领域,也离 不开半导体的支持,因此半导体的重要性日益凸显,已成为实现可持续发展社会不可或缺的存在。 电装和罗姆此前曾围绕车载半导体的开发和相关项目开展过合作。未来,双方将探讨建立正式的合作伙 伴关系,除了要实现高可靠性产品的稳定供应外,还将探讨有助于实现可持续发展社会的高品质、高效率的 半导体开发相关的各种项目合作。 此外,为了进一步加强这种正式合作关系,电装还将收购罗姆的部分股份。 株式会社电装董事长兼 CEO 林 新之助表示:“电装将半导体定位为实现下一代车载系统的关键器件, 并致力于与拥有丰富经验和强大实力的半导体制造商加深合作关系。罗姆不仅拥有模拟、功率器件和分立等 对车载电子产品而言至关重要的丰富的半导体产品阵容,还拥有丰富的量产经验。我相信,通过将其与电装 多年来积累的车载技术和实力相结合,将能够实现稳定供应并加快技术开发速度”。 罗姆董事长 松本 功表示:“多年来,作为全球 Tier 1 制造商的电装和罗姆不断加深合作。近年来,在 模拟半导体产品领域也展开了联合开发。我相信,通过与电装建立合作伙伴关系以及电装对罗姆的股份收 购,将进一步加强双方的合作关系。要实现碳中和,着眼于最终产品和系统,在器件层面的技术合作至关重 要。电装在汽车和工业设备领域拥有强大的系统构建能力,通过深化与电装之间的融合,我认为双方将会为 实现可持续发展社会做出贡献。 找元器件就上唯样商城
TDK针对高动态工业应用的闭环数字加速度计Tronics AXO314 TDK一款基于Tronics AXO®300加速度计平台的产品。这也是Tronics继成功发布适用于航空电子的AXO315、用于陆地和海洋定位系统的AXO305,以及适合铁路和倾角测量应用的AXO301之后,再次扩展其产品组合,推出AXO314。后者是一款具有±14 g测量范围的高性能数字MEMS加速度计,专为具有高抗冲击性能和高抗振动性能要求的工业应用而设计。AXO314采用业内独有的闭环架构,具有优异的线性度和抗振动性能,是一种小尺寸、轻重量与低功耗 (SWaP)、数字化且具有成本效益的解决方案,可用于替代体积大且昂贵的战术级石英加速度计,并且优势明显。 AXO314具有出色的一年复合偏置可重复性 (1mg) 和偏置稳定性 (4 µg),是一款结构坚固、体积小巧、精度高的加速度传感器解决方案。其高稳定性和可靠性可满足恶劣工况中动态系统的应用要求。 Tronics的高稳定性MEMS陀螺仪GYPRO®4300与AXO314共享同一SMD J引线陶瓷封装,具有优异的热稳定性,并且都采用24位SPI接口。因此结合GYPRO®4300,AXO314非常适用于海陆空测绘应用以及航空和地勤车辆的GNSS辅助定位系统中广泛用到的多轴战术级惯性测量单元 (IMU) 和惯性导航系统 (INS)。 AXO314不属于双重用途出口管制类别,并符合REACH和RoHS标准。与TDK其他高性能MEMS惯性传感器产品组合中的所有产品一样,AXO314加速度计出厂时进行了校准,可在工作温度范围内提供高精度输出。同时,用户还可以选择原始数据输出,以便定制补偿策略。 AXO314\现在可直接在Tronics或通过专门的代理商申请样品和进行客户测评。 主要应用 MAIN APPLICATIONS 哪些场景可以应用到该产品呢❓ 航空和地勤车辆的GNSS辅助导航和定位系统中的IMU和INS🚕 航空测绘📏🚀 矿业仪器的测量和钻探引导🔨 用于轨道几何测量系统的IMU📐 主要特点与优势 FEATURES&ADVANTAGES 测量范围为±14 g的单轴加速度计 一年复合偏置可重复性:1 mg 抗振动性能:20 μg/g² 温度偏差:0.5 mg 噪音密度:15 μg/√Hz 工作温度范围:-40 °C至+85 °C 温度范围出厂时已校准 SMD J引线陶瓷密封封装(28针) 不属于双重用途出口管制类别 符合REACH和RoHS标准 找元器件就上唯样商城
太阳诱电 | 双电层电容器LT系列商品 太阳诱电 , 电容太阳诱电双层电容器LT系列商品,改进本公司常规产品在低温时的特性,适合于智能电表等用途. 太阳诱电双层电容器LT系列商品 —改进本公司常规产品在低温时的特性,适合于智能电表等用途—今天为大家介绍太阳诱电株式会社圆筒型双电层电容器 LT 系列“LT08202R7335”(φ8.0x20mm,标称电容量3.3F)等 8 款商品。 这些商品可被用于智能电表、行车记录仪、服务器等的峰值辅助和备份用途等。双电层电容器 LT系列商品,初始交流内部电阻低于本公司的常规产品 LP 系列,减少了低温下的特性变化。 已在海外子公司 TANIN ELNA CO., LTD.(泰国,清迈府)批量生产。 智能电表在无线发送数据时,短时间内需要很大电力,因此配备了补充电力供应的峰值辅助用蓄电装置。同时,从停电、事故等紧急情况下保护数据等角度出发,服务器和行车记录仪需要具备备份用应急电源。并且,智能电表和行车记录仪在室外等低温环境下使用,因此需要在低温时也能保持特性的蓄电装置。 为了满足市场提出的这些要求,太阳诱电推出了低温下的特性变化少于本公司常规产品 LP 系列的双电层电容器 LT 系列“LT08202R7335”等 8 款商品。太阳诱电今后仍将根据市场提出的要求,不断开发蓄电装置商品。 找元器件就上唯样商城
国巨 | 高频MLCC CQ系列推出01005 因应高频极小化需求 ,全球被动元件领导厂商 - 国巨集团于1月宣布强化 MLCC01005 X7R, X5R, 及 NPO 商用等级 (CC系列) 的产品范围及产能,以因应终端电子设备元件小型化的需求,引起热烈回响,对于MLCC高频极小化电容的询问度亦相对提升。 唯样商城代理品牌,全球被动元件领导厂商 - 国巨集团于1月宣布强化 MLCC01005 X7R, X5R, 及 NPO 商用等级 (CC系列) 的产品范围及产能,以因应终端电子设备元件小型化的需求,引起热烈回响,对于MLCC高频极小化电容的询问度亦相对提升。因此国巨日前接着再推出MLCC- 01005 NPO 高频等级 (CQ系列),容值介于0.1pF和15pF之间,额定电压25V。 国巨CQ系列MLCC以铜代替镍作为内电极材质,并配合自家设计的介电材料,除了展现电容优异的温度特性及窄容差外,并可达到低ESR (等效串联电阻)、低ESL(等效串联电感)和高SRF(自谐振频率)的要求,进而有效提高品质因数并降低损耗和功耗。 CQ系列MLCC通常用于500MHz至20GHz的高频应用,包括射频模块、移动通信、电信网路等。当这些高频的应用因为更多功能、复杂性、和有限空间内的便携性考量而需要小型化电容时,国巨CQ 01005系列便成为了最佳选择。除了材质的设计外,国巨在产品尺寸和端点尺寸的精度控制也付出相当多的研发心力,01005系列MLCC所采用的是新型端点技术,除了提升产品的可靠度以外,也使得客户端的打件更有效率。未来国巨将持续朝向小型化方向发展及研发,为客户提供优质的产品和服务。 找元器件就上唯样商城
国巨 | 强化MLCC - 01005系列的范围及产能以因应元件小型化需求 国巨 , MLCC , 电子元器件全球被动元件领导厂商 - 国巨集团,是唯样商城的代理品牌之一,近期扩展MLCC Class I和Class II于01005产品尺寸的容值与产能,NPO、X7R、及X5R的最高容值分别可达100pF、1.2nF、及470nF。MLCC 01005产品与在市场已具领导地位的01005电阻携手让国巨成为小型化被动元件非常重要的供应商。 全球被动元件领导厂商 - 国巨集团,是唯样商城的代理品牌之一,近期扩展MLCC Class I和Class II于01005产品尺寸的容值与产能,NPO、X7R、及X5R的最高容值分别可达100pF、1.2nF、及470nF。MLCC 01005产品与在市场已具领导地位的01005电阻携手让国巨成为小型化被动元件非常重要的供应商。由于现代电子设备的功能性、复杂性和可携性越来越高,电路板空间的利用成为一个重要考量条件。为了在有限的空间内达到电子电路的高密度,小型化元件是不可避免的选择,装置必须在不增加自身尺寸的情况下提供更高的性能。例如:智慧手机需要高精密功能以及长效电池寿命,设计人员必须在不减少电池空间的情况下放置更多的元件,因此成为驱动小型化MLCC使用量成长最显著的终端产品。 在日益普及的物联网趋势,与许多类似需求的终端产品,包括:移动型通讯装置、穿戴型装置、真无线蓝牙耳机(TWS)、智慧手表、掌上型游戏机等,也要求采用更小的模组及小型化的各种元件。 国巨凭借先进的材料设计和薄型介电技术,在01005制程中导入更加精确的控制技术。其中,产品尺寸和端电极尺寸的精度都是关键因素,国巨采用有别于大尺寸MLCC的端电极制程技术,除了增加小型化产品所需的可靠性外,更提升晶片的打件效率,确保国巨的 MLCC 01005产品成为满足客户达到各种应用需求的最佳选择。 找元器件就上唯样商城
国巨 | 推出保护元件 - TVS瞬态抑制二极体于快速成长的汽车及5G 全球被动元件领导厂商-国巨集团,为因应快速成长的电动车及5G通讯市场需求,主推半导体扩散工艺制成的瞬态抑制二极体(TVS)保护元件。TVS是采用半导体扩散工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的元件。TVS具有较高的可靠性,以及较低的动态内阻及低钳位电压,相较其他过压保护元件,TVS具有较快的回应速度。TVS具备击穿电压精度高的特性,击穿电压一般为±5%的偏差。基于上述优点适用于对保护器件要求较高的场合,如: 汽车电子、工业控制、照明及通信等产业 ; DC电源线、RS485 介面、通信电源及I/O接口的应用等。 对于汽车电子高防护要求的应用来说,回应速度快、高可靠性、低钳位电压、小封装的TVS成为关键性的保护器件。例如24V系统汽车电子产品的DC电源输入口,因使用环境复杂,行车环境因素的多变性,抛负载发生时会产生很大干扰脉冲,对汽车电子产品后级的DC/DC、积体电路造成损坏,为了行车的安全性和使用寿命,需要在抛负载发生时迅速的回应。TVS以皮秒级的回应速度和精确的击穿电压,能在第一时间抑制干扰。 通讯应用方面,以常用的通讯介面-RS485为例,由于通讯传输距离长,且其传输线通常暴露于户外,因此极易因为雷击等原因引入瞬态过电压干扰,而 RS485 收发器通常工作在低压状态 (5V左右),自身的抗干扰性较低,没有可疏导瞬变电压干第一时间扰的路径,如果不加适当保护很容易造成通信介面晶片损坏,而TVS的钳位电压低等优势可以作为RS485通讯介面浪涌防护的首选器件。 为因应电动车、5G基地台需求量逐年增加而产生的保护元件需求,国巨主推的TVS保护元件因其反应速度快、高可靠性、低钳位电压及小封装的特性,在过电压保护元件中占有不可或缺的地位,我们预期将在未来的应用市场大放异彩。 找元器件就上唯样商城
TDK 推出面向USB3.2/4应用的小型薄膜共模滤波器 滤波器作为应对电磁干扰的对策,TDK 推出了面向高频率高速差分传输应用的共模滤波器。业内首款*实现在10 GHz下的共模衰减为30 dB的产品 截止频率达20 GHz或以上,且支持高速信号 优化设计,大幅提升USB 3.2 和 USB 4接口的噪声控制能力随着笔记本电脑、平板电脑、游戏机及其它数码设备的便捷可扩展性、显示分辨率和功能性的不断提高,其传输信号的速度和容量也逐年增加。而与此同时,设备造成的电磁干扰(EMI)的频率和振幅也有所增强。因此,必需采取行动控制对其它设备的影响以及传输信号质量的恶化。 作为应对电磁干扰的对策,TDK 推出了面向高频率高速差分传输应用的共模滤波器。新的面向高速差分传输应用的TCM06U系列小型降噪薄膜共模滤波器(0.65 x 0.5 x 0.3 毫米 – 长 x 宽 x 高), 为电子设备的小型化、纤薄化和轻量化提供支持。新款共模滤波器于2024年8月开始量产。 该产品可在20 GHz或更高的截止频率下支持20 Gbps高速信号。10 GHz下的共模衰减达30 dB或以上,可有效控制高频噪声。从85到90 Ω范围内的阻抗匹配可控制高速USB线路的反射。内部导线圈图案采用TDK专有的精细图案排列设计,应用了薄膜法以及TDK磁头研发过程所中积累的技术。 为控制未来差分传输线路中预期将大幅增加的辐射和外生电磁干扰,TDK将继续致力于开发小型薄膜共模滤波器,提供优质服务,提高传输信号质量。 * 截至2024年8月, 根据 TDK(型号:TCM06UX-020-2P-T201) 主要应用 MAIN APPLICATIONS 笔记本电脑、平板电脑、智能手机、STB、AR/VR/MR、游戏机等设备的 USB 接口 主 要特点和效益 FEATURES & ADVANTAGES 业内首款*实现在10 GHz下的共模衰减为30 dB的产品 截止频率达20 GHz或以上,且支持高速信号 优化设计,大幅提升USB 3.2 和 USB 4接口的噪声控制能力 找元器件就上唯样商城
TDK的紧凑型门极驱动变压器 TDKTDK爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,有两款元件。紧凑型门极驱动变压器 TDK爱普科斯 (EPCOS) InsuGate系列 (B78541A) SMT变压器产品组合,有两款元件。该元件采用锰锌 (MnZn) 铁氧体磁芯,尺寸紧凑,支持高工作电压,工作频率为100 kHz至500 kHz,工作温度为-40°C至+150°C,非常适合电动汽车(经AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求)和工业电子中的IGBT和MOSFET门极驱动应用。元件绕组的圈比为1:1.08 (B78541A2467A003) 或1:1.07:0.6 (B78541A2492A003),具体视型号而定。凭借低至4 pF的耦合电容,这种SMT变压器还适用于SiC或GaN半导体应用。 通过结合相对耐漏电起痕指数 (CTI) ≥600 V的高性能塑料材料和特殊的线圈设计,该元件的尺寸仅为13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高),具有比传统绝缘或灌封元件更短的空间间隙和爬电距离。以UI7平台为例,其一次绕组与二次绕组之间的爬电距离>9.2 mm,局部放电熄灭电压≥840 V(峰值电压),并能通过3 kV(50 Hz,1 s)的交流高压测试。虽然元件重量仅为2克,但符合IEC 61558标准,达到工作电压高达300 V(交流)下的加强绝缘或700 V(直流)下的基本绝缘要求,从而可满足诸多工业和汽车应用的要求。 UI7系列有两种型号可供选择,支持正激式和推挽式拓扑的绕组配置,并能提供相应数量的输出。 主要应用 开关电源(桥式拓扑); 门极驱动电路; 电隔离的DC-DC转转器; 电隔离的单通道IGBT驱动器集成电路 (IC)。 优势与特点 紧凑尺寸:13.85 x 10.5 x 9.2 mm(长x宽x高); 表面贴装 (SMT); 较短的间隙和爬电距离:分别为8.14 mm和 9.2 mm; 低耦合电容:4 pF(典型值); AEC-Q200认证并符合AQG标准关于振动的要求。 找元器件就上唯样商城
国巨推出高功率SMA 600W及SMA 1500W TVS瞬态抑制二极体 国巨随着电动车和5G技术的快速发展所衍生的电子系统也愈来愈复杂,这些系统需要高效、可靠的保护元件来确保其正常运行。 随着电动车和5G技术的快速发展所衍生的电子系统也愈来愈复杂,这些系统需要高效、可靠的保护元件来确保其正常运行。然而国巨所推出的二款高功率瞬态抑制二极体TVS - SMAJ-HP6AT及1.5SMBJ-AT系列,提供了卓越的过电压保护,还具备高功率和高可靠性。 SMAJ-HP6AT系列采用SMA封装,提供600W高功率效能,高于一般业界400W标准1.5倍; 而1.5SMBJ-AT系列提供1500W高功率效能,高于业界600W标准2倍之多,在相同的封装SMA或SMB的条件下,有助于设计人员在有限空间内进行高功率元件的应用。SMAJ-HP6AT及1.5SMBJ-AT系列符合 AEC-Q101 标准,适用于恶劣环境中使用的高可靠性(例如:电动车)的应用。 新推出的TVS二极体系列具有相当广泛的应用范畴,尤其是随着现代电子设备技术提升,所产生的过电压保护需求。 首先是48 V输入/12 V输出的DC/DC CONVERTER,这种转换器在汽车应用及工业应用中相当常见,由于其高效能和高转换率的特性,对于过电压保护的需求尤为重要。SMAJ-HP6AT和1.5SMBJ-AT系列的高功率和快速反应速度使其成为这种应用的理想选择。 再来是LED照明设备的应用,由于LED驱动器12V输入端口需要稳定的电源输入,并且必须能够抵抗可能的电压尖峰或突波,使用SMAJ-HP6AT和1.5SMBJ-AT系列可以确保LED驱动器的稳定运行,并且可以延长其使用寿命。 SMAJ-HP6AT和1.5SMBJ-AT系列应用范围从工业到汽车,从照明到通信,优异的特性让新系列TVS二极体成为最佳的选择。 找元器件就上唯样商城
罗姆集团旗下的SiCrystal成立25周年 全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。 SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世界,并拥有200多名员工。 虽然公司规模不是很大,但是其关键技术现已作为SiC功率半导体广泛应用于世界各地的电动汽车中, 该公司已经成为SiC晶圆市场的先进企业之一。 SiCrystal的CEO Robert Eckstein回顾了公司成立以来的发展历程,他表示“公司在这25年里得到长足发展,是值得纪念且可喜可贺的。” 公司于1997年4月开始生产SiC晶圆。晶圆是现代电子元器件的基础,看起来像“无孔CD”。而SiC 是一种硬度可与金刚石匹敌、而且耐热性非常优异的材料。如果没有这种厚度不到1毫米的圆盘,也许就不能实现电动出行和数字社会。 基于1990年代初期在埃尔朗根-纽伦堡大学进行的研究,于1997年成立了SiCrystal AG(现SiCrystal GmbH)。最初的SiC晶圆开发和供样是在上普法尔茨行政区的Eschenfelden进行的。在2000年代初期,公司迁至埃尔朗根市,2009年加入日本电子元器件制造商罗姆集团,这也是SiCrystal历史上的重大转折点。罗姆将SiCrystal作为全资子公司迁至纽伦堡,以确保进一步整备开发和生产体系所需的空间。正因为这一重要决定的推动作用,使SiCrystal得以像今天一样大规模生产出电力电子领域用的晶圆。 前景广阔的SiC产品 经过25年的发展,SiC已成为被全世界所需要的产品,市场潜力巨大,前景可期。专家预计,未来对SiC晶圆的需求还会继续增长。为满足这一需求,SiCrystal将继续致力于提高生产效率,并与广大员工共同努力扩大生产规模。 关于SiCrystal GmbH SiCrystal GmbH历经25年长足发展,凭借先进半导体材料SiC制成的新型晶圆(基板)不断为实现可持续发展的未来贡献着力量,产品广泛应用于太阳能发电和风力发电等绿色能源领域以及电动出行领域。作为在全球拥有超过23,000名员工的罗姆集团旗下的一员,SiCrystal将会继续在全球发挥积极作用,并不断提升其在单晶晶圆领域的专业度。 坚实的根基,往往是万丈高楼的关键。SiCrystal作为SiC单晶晶圆市场的先进企业之一,将持续为先进的电子元器件提供不可或缺的基础技术。 找元器件就上唯样商城
罗姆与台达电子缔结电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系 以GaN功率器件为核心,加速各种电源系统技术创新~全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和电源管理解决方案领导厂商台达电子(以下简称“台达”)就第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。 双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术,联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。 2022年3月,罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系,并将该系列产品命名为“EcoGaN™”,产品非常适用于基站和数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路应用,今后罗姆将继续扩大“EcoGaN™”的产品阵容,并致力于进一步提高产品性能。 罗姆董事、常务执行官、CSO 兼财务本部长伊野 和英表示: “非常荣幸罗姆可以和在电源管理和散热解决方案具全球领先地位的台达,缔结以GaN功率器件为核心的战略合作伙伴关系。在全球实现无碳社会的努力中,作为罗姆的重点发力产品之一,功率半导体在其中发挥的作用越来越大。从Si、SiC(碳化硅)到GaN,罗姆一直在广泛的领域推动先进元器件的开发,同时积极致力于提供可以更大程度提升这些元器件性能的控制IC、以及与外围部件相结合的解决方案。通过此次的战略合作伙伴关系,将成功实现GaN功率器件的量产,有助于构建高效电源系统,让罗姆引以为傲的GaN IPM(内置模拟IC)能尽早进行量产,不断扩大符合客户需求的产品阵容。” 台达副董事长 柯子兴表示: “GaN功率器件是今后深受业界关注的新一代半导体之一,过去几年双方进行了非常密切的交流,今年技术交流的成果是一个值得欣喜的里程碑,也象征双方的合作关系将更加紧密。对台达而言,积极推动GaN电源应用研发是今后的重点事业方向之一,除了在GaN产品面之外,我们也希望跟罗姆擅长的模拟电源技术(Nano技术)等有更多合作的机会,并且通过这样的合作,共同努力为全球电源市场带来全新的变化。” 据统计,电源和电机占全球用电量的一大半,在实现无碳社会的过程中,它们的效率改善已初见成为全球性的课题。功率元器件是提高它们效率的关键,SiC和GaN等新材料在进一步提高各种电源的效率方面被寄予厚望。罗姆与台达多年来一直保持着技术交流,并在各种应用产品的开发上建立了稳固的合作关系。今后,双方将在战略合作伙伴关系下,积极推动全球先进的GaN功率器件的开发与量产,同时,通过更大程度地提高GaN功率器件的性能,加快电源技术的创新速度,为实现可持续发展的社会做出贡献。 什么是EcoGaN™ EcoGaN™是通过更大程度地优化GaN的低导通电阻和高速开关性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。 找元器件就上唯样商城
基本半导体与罗姆签订战略合作协议 0基本半导体与罗姆签订战略合作协议,双方将围绕车载碳化硅功率器件的开发助力新能源汽车技术革新,唯样商城将为ROHM打开国内市场助力!日前,深圳基本半导体有限公司(以下简称“基本半导体”)与全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)在位于日本京都的罗姆总部签订车载碳化硅功率器件战略合作伙伴协议。罗姆董事长松本功(图左)、基本半导体总经理和巍巍(图右)出席签约仪式 此次签约,双方将充分发挥各自的产业优势,就碳化硅功率器件的创新升级、性能提升等方面展开深度合作,开发出更先进、更高效、更可靠的新能源汽车碳化硅解决方案。 此外,作为第一批合作成果,融合了双方技术的车载功率模块将提供给多家大型汽车企业,用于电动汽车的动力总成系统。今后,双方也将加快开发以碳化硅为核心的功率解决方案,助力汽车技术革新。 基本半导体 总经理 和巍巍表示:“在新能源汽车的技术革命中,碳化硅功率器件脱颖而出,成为电驱动效率提升的关键。基本半导体较早开始布局汽车级碳化硅功率模块领域,在产品研发和市场推广方面取 得了突破性进展。我们非常荣幸能与国际知名半导体厂商罗姆达成合作,携手打造出客户满意的高性能、 高可靠性的车载碳化硅功率产品,一同助推电动汽车的技术创新,为低碳减排贡献力量!” 罗姆 董事长 松本功表示:“我们很高兴能与基本半导体缔结战略合作关系,共同为新能源汽车市场提供十分有竞争力的碳化硅解决方案。多年来,罗姆一直致力于通过先进的电子技术,为全球实现无碳社会 而持续做出努力。随着半导体在汽车领域发挥的作用越来越大,罗姆今后也将努力制造高品质的产品,同 时,提供广泛的解决方案,为创造安心、安全、环保的社会做出贡献。” 关于基本半导体 基本半导体是中国国内碳化硅功率器件行业领军企业,掌握国际先进的碳化硅技术,研发覆盖碳化硅材料 制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等关键产业链环节。目前公司已形成了以深圳为总部、辐射北京、上海、南京、无锡、日本名古屋等多区位一体的产业布局,并建立了完备的国内国外双循环供应链体系。 基本半导体的碳化硅功率器件产品累计出货超过2000万颗,服务于电动汽车、光伏储能、通信电源、服务 器电源、充电桩电源、家用电器等领域的600多家全球客户。 关于罗姆 罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备 市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的电力电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱 动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。 找元器件就上唯样商城
罗姆荣获博世2023年全球优秀供应商大奖 罗姆 , 全球优秀供应商 , 博世罗姆荣获博世2023年全球优秀供应商大奖作为博世集团的技术和服务供应商,全球知名半导体制造商罗姆被博世集团评选为全球最佳供应商之一,再次荣获博世全球优秀供应商大奖。罗姆此次获得的奖项属于“可持续发展”类别。此次,博世从全球约35000家供应商中筛选出来自11个国家的共46家,授予“优秀供应商大奖”。这是博世集团第18次颁发该奖,以鼓励和肯定供应商在原材料、产品、服务的制造和供应(尤其是品质、成本、可持续性和创新)方面的杰出表现。 博世供应链管理和全球物流服务高级副总裁 Arne Flemming博士表示: “稳定运行的经济体离不开稳健的供应链。为了确保这一点,我们和我们的供应商致力于在整个供应链范围内确保从创新阶段到生产乃至售后服务过程中的最佳表现。” 罗姆半导体欧洲总裁 Wolfram Harnack表示: “我们很荣幸第三次荣获博世全球优秀供应商大奖。这证明罗姆与博世拥有长期、可靠、稳固的合作伙伴关系。”Arne Flemming博士(左),博世供应链管理和全球物流服务高级副总裁、博世2023年全球优秀供应商大奖活动主持人,博世执行副总裁兼移动出行解决方案直接材料采购负责人Lutz Berg先生(右)向罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack颁发博世2023年全球优秀供应商大奖。 关于博世全球优秀供应商大奖 博世每两年会从全球供应商中挑选出表现杰出的供应商并颁发“博世全球优秀供应商大奖”,旨在鼓励和肯定技术和服务供应商在原材料、产品、服务的制造和供应方面的卓越表现。根据一系列的评选标准选出获奖者,并分为“间接材料和服务采购”和“原材料和零部件”两类颁奖。自1987年起,博世就一直通过颁发这些奖项来表彰表现出色的供应商,这些奖项在业内享有很高的声誉。“可持续发展”类别是特殊奖项,由跨学科评审团评估供应商在可持续发展方面所做出的成就。这一类别的入围者需要以身作则,以实际行动履行对气候中和的承诺,在享有盛誉的碳信息披露项目(CDP)中的评级至少为A-。 Arne Flemming博士解释道: “可持续供应链能够促进全球繁荣并造福社会。我们特别表彰供应商对气候行动的承诺和履行,授予供应商‘可持续发展’类别奖项。” Wolfram Harnack补充道: “罗姆制定了‘罗姆集团2050环境愿景’,旨在全球范围内打造可持续发展的社会,造福子孙后代。为了实现这一目标,我们还设定了‘气候变化’、‘资源循环利用’和‘与自然共生’三大主题。” 关于博世的供应商合作伙伴关系 博世深知供应商是其发展和创新的合作伙伴,能够帮助公司保持竞争力并实现可持续发展目标。博世通过与供应商建立长期合作关系,促进双方共同追求并实现这些目标。愿意与博世密切合作的合作伙伴可以在早期阶段就参与到战略和开发项目中,并深入了解未来需求。供应商与博世之间的合作关系也加强了全球供应链的韧性。同时,还为经济体的稳健运转提供了重要的支撑。 博世在全球范围内拥有来自约60个国家的约35000家材料和服务供应商。零部件的采购(主要是半成品和成品)占整个供应链的大部分。此外,博世还采购原材料、转售商品、软件、服务和操作设备。2022年,博世集团的采购额约为500亿欧元。 找元器件就上唯样商城
罗姆的EcoGaN™被台达电子Innergie品牌的45W输出AC适配器“C4 Du EcoGaN™ , 台达 , C4 DuoROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件(EcoGaN™),被台达电子(Delta Electronics, Inc.,以下简称“台达”)Innergie 品牌的45W输出AC适配器(快速充电器)“C4 Duo” 采用。全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件(EcoGaN™),被台 达电子(Delta Electronics, Inc.,以下简称“台达”)Innergie 品牌的45W输出AC适配器(快速充电器) “C4 Duo” 采用。台达是基于IoT技术的绿色解决方案全球供应商。Innergie的AC适配器通过搭载可提高 电源系统效率的罗姆EcoGaN™“GNP1150TCA”,提高了产品性能和可靠性的同时也实现了小型化。在推动实现无碳社会的进程中,由于处理大功率的设备的功率损耗尤为显著,因而相关制造商正在采 取措施加快节能步伐。另外,对于电源而言,如果能够使器件高频工作,不仅可以节能,还可以实现电路 的小型化,因此在产品中搭载使用了可实现高速开关的GaN(氮化镓)的器件已经被很多制造商提上日程。 罗姆将使用了GaN的器件命名为“EcoGaN™”品牌,并正在不断扩大其产品阵容。GaN的潜力很大, 但处理起来却很难,目前罗姆正在推进注重“易用性”的产品开发并提供相关解决方案。在分立产品方面,罗 姆已于2022年开始量产150V耐压的GaN HEMT,并于2023年开始量产实现业界超高性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐压GaN HEMT。此次,由于650V耐压产品“GNP1150TCA-Z”内置的ESD保护 元件,使其静电耐受能力比普通GaN HEMT提高了约75%,而这有助于提高应用产品的可靠性,在这方面 的出色表现得到了客户的认可,从而被应用到客户的产品中。 Innergie(台达的品牌) General Manager Jason Chen表示: “GaN功率器件的技术进步引起了全 球电子行业的高度关注。过去多年来,双方交流不断加深,并于2022年就电源系统用的功率器件达成了 战略合作伙伴关系。作为双方技术交流的成果,罗姆的650V GaN HEMT“GNP1150TCA-Z”为Innergie 新产品提供了支持。“C4 Duo”是“One for All系列”产品中第一款使用罗姆GaN器件的产品,希望未 来能够用在更多型号的产品中。相信通过继续加强与罗姆的合作,我们将能够提供输出功率更高、功能 更强大的AC适配器。” 罗姆 LSI事业本部 电源LSI业务担当 Power Stage商品开发部 部长 山口 雄平表示: “非常荣幸罗姆的 EcoGaN™能够被电源管理和热对策领域的全球领导者台达的AC适配器采用。罗姆正在通过提高功率半 导体的性能和可构建更出色拓扑结构的模拟技术,助力台达提高其大功率电源装置的功率转换效率。另 外,两家公司在实现无碳社会和数字社会方面有着相似的经营愿景,利用台达在电源电路设计方面的优 势以及罗姆在器件和IC等产品方面的优势,双方建立了稳固的合作关系,这也促成了此次的成功采用。 希望双方利用不断深入的合作关系,继续推动更小型、更高效的充电器等产品开发,为丰富人们的生活 做出贡献。” <关于罗姆的EcoGaN™> EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进 一步节能和小型化的罗姆GaN器件,该系列产品有助于应用产品 进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元 器件数量等。 找元器件就上唯样商城
Nexperia | 发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFE MOSFET基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET,该产品采用超紧凑晶圆级 DSN1006 封装,具有市场领先的 RDS(on) 特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。 新型 MOSFET 非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品,迎合了更智能、功能更丰富的趋势,满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on) 与竞争器件相比性能提升了 25%,可最大限度降低能耗,提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低,从而增强可穿戴设备的用户舒适度。 具体而言,在 VGS = 4.5V 时,PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS(on) 分别为 50mΩ 和 55mΩ。因此,在市场上类似的 30V MOSFET 中, PMCB60XN 和 PMCB60XNE 单个芯片面积导通电阻最低。此外,PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中,还可提供额定 2kV ESD 保护(人体模型 – HBM)。这两款 MOSFET 的额定漏极电流最高均可达 4A。 除了采用 DSN1006 封装的这两款 MOSFET 外,Nexperia(安世半导体)还推出了一款采用 DSN1010 封装的 12V N 沟道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 时的最大 RDS(on)为16mΩ,在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007) 尺寸下可具备市场领先的效率。 30V PMCB60XN 和 PMCB60XNE 以及 12V PMCA14UN 现已供货,可从 Nexperia(安世半导体)获得 找元器件就上唯样商城
干货 | VCC(电源)和 GND(地)之间电容的作用 VCC(电源)和 GND(地)之间电容的作用,这就为你揭晓答案!作用: 电源输入/输出滤波电容,主要用于稳定输出,对稳压有利 。 电容的主要作用 稳压 电源与地之间接电容的原因有两个作用,储能和旁路储能:电路的耗电有时候大,有时候小,当耗电突然增大的时候如果没有电容,电源电压会被拉低,产生噪声,振铃,严重会导致 CPU 重启,这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来,稳定电源电压,就像河流和水库的关系旁路:电路电流很多时候有脉动,例如数字电路的同步频率,会造成电源电压的脉动,这是一种交流噪声,小容量的无极电容可以把这种噪声旁路到地(电容可以通交流,阻直流,小容量电容通频带比大电容高得多),也是为了提高稳定性。 电源滤波 电容的容量 = 介电常数面积 / 距离 =εS/d,通常 ε、d 不易改动,只能改动 S 来改变电容量。当电容很大时,S 必然大,为了减小体积,不得不用卷叠的方式,但卷叠必然增加电感量(尽管对称双绕)。电容实际是 R、L、C的组合,如此,大电容相对电感量 L 也大。例如:用 2200uF 电容波时,对于低频 50Hz是很好的,但是对于高频(K、MHz)来说,一点用也没有,因为L太大。所以高手很讲究电源的滤波,会采用大、中、小三种电容,分别针对低、中、高频来滤波。 实际应用 01 在直流电源(Vcc)和地之间并接电容的电容可称为滤波电容,滤波电容滤除电源的杂波和交流成分,压平滑脉动直流电,储存电能,取值一般 100-4700uF。取值与负载电流和对电源的纯净度有关,容量越大越好。有时在大电容旁边会并有一个容量较小的电容,叫高频去耦电容,也是滤波的一种形式,用来滤除电源中的高频杂波,以免电路态产生自激,稳定电路工作状,取值一般 0.1-10uF,取值与滤除杂波的频率有关。 这样接的作用一般叫 “退耦”,也叫 “退交连”、“旁路” 电容,常按排在电源供给、IC 和功能模块电路附近。以无感的瓷片、独石电容为佳。 作用是为高频信号提供通路,减小电源内阻,去除电源和地线在敷铜板上 “走长线” 的影响,防止公用电源的各部分电路之间的 “有害交连” 等等。常用 10nF。 02 在开发板上,通常直流电源和地之间有很多 0.1uF非电解电容和 10uF的电解电容。 这些电容,目的是使电源线和地线之间为低阻抗,电源接近理想电压源。你要说是滤波作用也可以,但需要弄清楚是滤什么波。不是滤电源的纹波,而是某芯片电流发生变化在电源线上造成的纹波,使其不影响其它芯片。 使用 0.1uF 无极性电容和 10uF 电解电容并联,是因为电解电容的寄生电感比较大,消除高频纹波能力较差。而无极性电容寄生电感小,滤除高频纹波能力较好。但若根据低频的要求选择容量,则无极性电容体积太大,成本也高,电解电容体积小,同样容量价格较便宜。故采用两种电容并联。 你自己设计电路,也应该这样使用,而且各电容位置和走线很有讲究。只能说两句原则: 01 各小容量的无极性电容两端到芯片的电源引脚和地引脚联接线尽可能短,越短越好。 02 电源通常由其它电路板引入,电解电容通常每块电路板上只有一个两个。一个电解电容的话,放到电源进入该电路板之处。此时电解电容当然离各芯片较远,但因电解电容主要在较低频率起作用,所以稍远一点没有关系。如果该电路板上用两支电解电容,另一支放到耗电最多的芯片附近。 这些和电路板元件布局、地线的走线安排 (多层板通常有地层) 都有关系。 10MHz 以下的噪声 0.1μF 电容效果好。 按 C=1/F,即 10MHz 取 0.1μF。 简单的说是,将干扰通过电容接地。 找元器件就上唯样商城
Nexperia | 超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)今日宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD 保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护 USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V 监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外,该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟 MGbit 以太网应用。 新晋产品包括 2 引脚单线器件 PESD5V0C1BLS-Q 和 PESD5V0C1ULS-Q,采用超紧凑型DFN1006BD-2 封装,同时优化了布线灵活性。此外,还有两款采用 DFN1006-3 封装的 3 引脚差分线路器件 PESD5V0C2UM 和 PESD5V0C2UM-Q。为改善电气性能和信号完整性,所有版本均采用无引脚封装。 静电放电(ESD)电压钳位二极管可保护汽车子系统中的数据接口免受损坏,起到了至关重要的作用。更值得一提的是,它们不会影响数据信号完整性,也不会对其所保护系统的电磁兼容性(EMC)性能造成负面影响。 Nexperia(安世半导体)在设计 ESD 保护解决方案方面拥有长期累积的专业知识,可实现超低器件电容(低至 0.3 pF),使这些二极管能够提供出色的信号完整性性能。为尽可能提高设计灵活性,这些二极管提供双线 DFN1006-3 和单线 DFN1006BD-2 两种封装。后一种封装具有可焊性侧面,可实现自动光学检测(AOI)。 这些 AEC-Q101 车规级器件具有深度回弹特性和 0.27 Ω 低电阻特性,可提高高速数据接口中的系统级稳健性和钳位性能。 找元器件就上唯样商城
MDD | MOS在锂电池的核心原理 MOSFET锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高。随着科学技术的发展,锂电池已经成为了主流。锂 电 池 特 点 是一类由锂金属或锂合金为正/负极材料、使用非水电解质溶液的电池。1912年锂金属电池最早由Gilbert N. Lewis提出并研究。20世纪70年代时,M. S. Whittingham提出并开始研究锂离子电池。由于锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高。随着科学技术的发展,锂电池已经成为了主流。 锂电池大致可分为两类:锂金属电池和锂离子电池。锂离子电池不含有金属态的锂,并且是可以充电的。可充电电池的第五代产品锂金属电池在1996年诞生,其安全性、比容量、自放电率和性能价格比均优于锂离子电池。由于其自身的高技术要求限制,只有少数几个国家的公司在生产这种锂金属电池电 池 组 锂电池的优势 锂电池最大的优点也就是环保 电动车在这几年需求量急剧增加,很大部分的原因就是环境问题越来越凸显。全球对于环境保护问题不约而同地重视起来。锂电池即使在废旧状态,也不会对环境造成危害,在制作过程中,也不会有污染环境的化学物质产生 锂电池的续航能力强,还有使用寿命更长 续航能力对于电动汽车而言,也是很多消费者的最担忧的问题。使用寿命长短关系到车的使用成本,锂电池寿命大概在五年,比其他电池高出许多 锂电池电压高,重量轻 一个单体电池平均电压就能达到3.7V或者3.2V.相对等于2-4个镍氢电池或镍隔电池的串联电压。如果客户要求使用电池的电压过关,那么选用锂电池也容易方便组成锂电池组,方便快捷把锂电池电压提升 锂离子电池的能量和密度针对其它电池也很高 锂离子电池具有高储能量密度,目前常用的锂离子电池密度可达到450-620Wh/kg,是铅酸蓄电池的5-7倍 找元器件就上唯样商城
Nexperia优化齐纳二极管产品组合,以解决过冲和噪声现象 二极管Nexperia(安世半导体)近日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化,以消除不良的过冲和噪声行为,这在齐纳技术领域是重大进步。基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化,以消除不良的过冲和噪声行为,这在齐纳技术领域是重大进步。 首先,新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%),Vz范围从1.8 V到51 V,提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用,例如电动汽车(EV)的车载充电器,以及广泛的工业和消费应用,例如通用计算单元、电池管理系统、设备充电器和智能手表。 Nexperia的全新50 µA器件系列目前即使在高电压(高达75 V)下也能提供完整的齐纳功能。它们的设计旨在完全消除噪声和过冲现象,这是过去许多齐纳二极管导致应用故障的共同特征。这些器件采用小尺寸封装,包括SOT23、SOD323、SOD523和SOD123F以及带或不带侧边可湿焊盘(SWF)的DFN1006BD-2和DFN1006-2。附带SWF具有显著的优势,包括对焊点质量进行高度可靠的自动光学检测(AOI)以及增强焊点坚固性,与没有SWF的器件相比,增强了与PCB的结合。 此外,Nexperia还解决了其现有通用PZU齐纳二极管系列中的过冲和噪音问题。这将为工程师提供更大的灵活性,用于诸如电源电压稳定、传感器或电源电压比较等应用,以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。PZU系列提供SOD323、SOD323F、SOT23、DFN1006BD-2和DFN1006-2 (2.4 V-51 V)封装,包括汽车版本和标准版本。这为设计人员提供了一种可行的替代方案,适用于需要更灵敏的齐纳二极管“拐点”的关键应用,或标准齐纳二极管可能出现噪声和过冲行为的应用。 找元器件就上唯样商城
英飞凌为AI数据中心提供先进的高能效电源装置产品路线图 人工智能(AI)引发全球数据中心能源需求不断增长· 基于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的新型电源装置(PSU)巩固了英飞凌在AI电源领域的领先优势· 全球首款12 Kw PSU凭借更高的能效、功率密度和可靠性,为AI数据中心运营商带来优势人工智能(AI)的影响推动了全球数据中心能源需求的日益增长,凸显了为服务器提供高效可靠能源供应的必要性。英飞凌科技股份公司已翻开AI系统能源供应领域的新篇章,发布了电源装置(PSU)产品路线图。该路线图在优先考虑能源效率前提下,专为满足AI数据中心当前和未来的能源需求而设计。PSU产品界面图 通过实现更高的PSU性能等级,英飞凌可帮助云数据中心和AI服务器运营商降低系统冷却能耗。这些创新的PSU能减少功耗和二氧化碳排放,从而降低总体运营成本。功能强大的PSU不仅能用于未来数据中心,还可取代服务器中现有的电源装置并提升效率。 除了已推出的输出功率为3 kW和 3.3 kW的 PSU 外,全新8 kW和12 kW PSU也将在不久的将来进一步提高AI数据中心的能效。借助12 kW参考板,英飞凌即将推出全球首款达到这一性能水平的电源装置,为未来数据中心供电。Adam White 英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁 “ 英飞凌为AI提供动力。我们正在解决这个时代的一大关键问题——如何高效地满足数据中心不断升级的能源需求。英飞凌将硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)三种半导体材料集成到单一模块中,正是这项专业技术使这一开发工作成为可能。因此,我们的 PSU 产品组合不仅体现了英飞凌的创新实力,为数据中心和AI生态系统带来了一流的性能、效率和可靠性,还巩固了英飞凌在功率半导体市场的领先优势。 ” 英飞凌也在响应数据中心运营商对更高系统效率和更短停机时间的要求。服务器和数据中心应用的上涨增加了对电源的需求,因此需要开发额定功率从 800 W 到 5.5 kW甚至更高的电源。这一增长是由于计算AI应用的图形处理器(GPU)对功率的要求不断提高。 目前,高阶GPU的单芯片功耗高达1 kW,到二十年代末将达到 2 kW或更高,这将增加数据中心的总能源需求。根据国际能源机构(IEA)的预测,到2030年,数据中心的耗电量将占全球总耗电量的7%,相当于印度目前的耗电量。 尽管能源需求快速增长,但英飞凌的新型PSU可为减少AI数据中心的二氧化碳排放量做出贡献。这得益于新PSU具有极高的效率,能更大程度地减少功率损耗。英飞凌新一代PSU的效率高达97.5%,符合严格的性能要求。全新8 kW PSU支持最高输出功率达300 kW或以上的AI机架。与当前3 kW PSU的32 W/in³ 相比,其效率和功率密度提升至100 W/in³,进一步缩小了系统尺寸并节省了运营商的成本。 从技术角度看,能实现这一点的原因在于Si、SiC 和 GaN 三种半导体材料的独特组合。这项技术有助于提升AI服务器和数据中心系统的可持续性与可靠性。基于SiC 和 GaN 等宽带隙材料的创新半导体是理性地与高效地利用能源以推动低碳化的关键。 8 kW PSU将于 2025 年第一季度上市。 找元器件就上唯样商城
村田 | 新增支持CAN FD的片状共模扼流线圈产品系列 株式会社村田制作所在汽车专用新一代车载网络CAN FD用片状共模扼流线圈“DLW32SH_XF系列”的基础上,新增了支持DCMR Class3 的“DLW32SH510XF2”的产品系列。NEW 株式会社村田制作所在汽车专用新一代车载网络CAN FD用片状共模扼流线圈“DLW32SH_XF系列”的基础上,新增了支持DCMR Class3 的“DLW32SH510XF2”的产品系列。CAN FD (CAN with Flexible Data-Rate),是新一代车载网络标准,比传统的可以更高速(1Mbps以上)地收发更大容量数据(每帧最大64字节)的车载通信标准。DCMR (Differential to Common Mode Rejection)是指差模成分变换为共模成分变换量,满足CAN所使用的共模扼流线圈要求的DCMR特性被分为3个Class,DCMR Class3是指其中最严格的DCMR特性。 近年来,汽车行业追求更加安全舒适的驾驶体验,通过引入ADAS(高级驾驶辅助系统)等,快速推进汽车控制技术的高性能化发展。伴随着当前的发展趋势,要求实现车载通信的高速化,加速将数据传输速度从1Mbps(字节/秒)的Classical CAN 向更加高速的CAN FD转换。 为此,村田支持CAN FD的片状共模扼流线圈产品系列,除了原有的100µH外,还新增了51µH的“DLW32SH510XF2”。该产品可有效降低 CAN/CAN-FD等汽车内部网络信号线的辐射噪声。 IEC62228-3实现了CAN-FD针对专用共模扼流线圈所要求的DCMR Class3。IEC62228-3是IEC(International Electrotechnical Commission即国际电工委员会)制定的有关电气和电子技术的标准之一。 主要规格 产品名称 DLW32SH510XF2 尺寸 3.2mm x 2.5mm 共模电感量at 0.1MHz 51µH 额定电流 125 mA 工作温度范围 -40 to 125°C 其他 符合AEC-Q200标准 找元器件就上唯样商城
MDD | 二极管的失效的主要原因 1.电压击穿(过压) 对普通整流二极管来讲,只要应用电路中存在电网波动、同网中的大功率设备开启关断、雷击、开关火花、大容量的感性负载、大容量的容性负载这些情况下,瞬间电压高于二极管反向击穿电压值时,就可能产生电压损伤参数衰减或完全击穿短路开路的情况。 对保护二极管来说,就是电路中存在高于器件保护电压的,造成保护器件连续导通,使保护器件永久损伤不可恢,即可能发生电压损伤参数衰减或完全击穿短路开路的情况。电压击穿失效时间无固定规律,但较大概率发在开关机瞬间。2.电流击穿(过流) 应用选型余量不足、应用电路中有其它元件发生短路导致电流突然增大、应用电路中负载异常等情况时,瞬间大电流造成二极管芯片在极短时间内高温碳化或瞬间高温造成芯片炸裂,导致芯片PN结遭到严重破坏,出现短路或开路情况。电流击穿发生较高概率为通电测试过程中或正常使用过程中。3.温度击穿(过温) 应用选型余量不足、器件设计位置靠近大功率发热元件、应用环境温度过高等情况时,二极管芯片结温超过其电流衰减温度,造成二极管的过电流能力线性下降,而线路中的电流不变时,二极管的芯片结温将迅速增高,达到材料的极限温度后,发生硅基材料熔化和碳化,出现短路或开路情况。温度击穿多发生于老化或用户使用过程中。4.应力损伤(应力) 由于硅基芯片为高硬度的薄片,抗机械应力能力较弱,在二极管封测中塑封、应用端的切脚、管脚整形折弯、电批锁散热片过程、机械碰撞等过程中,造成二极管芯片受损伤或发生机械裂纹,通电时其各项电性参数衰减或失效。严重损伤多发生在开关机瞬间或通电后较短时间内,轻微损伤后失效的时间无规律,安全隐患较大。5.过载击穿 应用选型余量问题、多管并联使用的电路中二极管参数一致性问题、负载受外界环境因素发生功率增加等情况,出现二极管过压、过流、过温中一种或多种情况同时发生,二极管在较短时间内发生击穿短路或开路情况。 找元器件就上唯样商城
Vishay | 汽车级光电压输出光耦 Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压(8.5V)达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦,用于 MOSFET 开关 ,该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装,集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271 专门用来提高汽车应用性能,同时提高设计灵活性并降低成本,开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。日前发布的光耦集成关断电路,典型关断时间为 0.7ms,在 SOP-4 小型封装 MOSFET 驱动器中达到先进水平。此外,VOMDA127 的导通时间为 0.05ms,比接近的竞品快两倍,作为这一封装规格中的一款出色驱动器,其隔离电压和典型开路输出电压分别达到 3750V 和 8.5V,适于各种 MOSFET 驱动应用。 器件通过 AEC-Q102 认证,适用于预充电电路、壁挂式充电器,以及电动 (EV)和混合动力(HEV)汽车电池管理系统(BMS)。为产生驱动这些应用中 IGBT 和 SiC MOSFET 的较高电压,可以串联使用两个 VOMDA1271 光耦。此外,采用这款新型驱动器,设计师在开发下一代汽车时,可以用定制固态继电器取代传统机电式继电器。 光隔离式 VOMDA1271 采用 AIGaAs 红外 LED(IRLED),其发射光被光电二极管阵列吸收,产生 MOSFET 导通电压。这种结构不需要外部供电电源,因此简化设计并降低成本。该器件可由微控制器的 GPIO 引脚驱动,从而进一步提高设计灵活性。新型光耦符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准,无卤素。 找元器件就上唯样商城
特瑞仕 | 线性稳压IC网络研讨会问答集锦,请查收~ 【问答】Q 我想让电源打开时电压呈线性上升,想了解软启动电路。 A 有些情况下,线性稳压IC后面的负载电容(CL)容量很大,希望缓慢启动以避免输入冲击电流,或者有些情况下为某些存储设备指定了功率上升斜率。 方法有两种: 1、使用具有软启动功能的稳压器 虽然各家厂商的产品有限,但也有一些具备可以控制输出电压(VOUT)上升斜率的功能。 该功能是通过将IC内部的参考电压从0V缓慢升高来实现,一般可以通过外部电容来调节上升时间。 2、使用具有浪涌电流限制功能的稳压IC 可以通过在一定的启动周期内抑制电流限制值来实现慢启动。 负载电容CL与其浪涌电流限制值之和得出 ⊿V/t = 浪涌电流限制值 / CL。 请注意,防浪涌电流功能可能有工作时间限制。 Q2 想了解隔离式稳压IC的优点和注意事项,以及GND处理的基础知识。 A2 隔离型是一种使用变压器的开关电源,与我们所说的电压(串联)稳压IC不同,对于相对较小的功率范围,通常使用一种称为Flyback的方法。 其典型用途有以下情况: ・AC/DC适配器和设备内部的模块/电路,如果不分开,会因与其他GND相连而有触电或烧伤的危险,必须对设备进行绝缘处理。例如,有2kV等绝缘规定,使用光电耦合器也传递电压控制用信号的机构。 ・当您想将设备内部和连接的设备(例如FA设备)电气隔离时,通常可以将它们电气隔离,以便每个设备可以独立运行。在这种情况下,也使用 DC12V至5V等隔离型flyback电源。 Q3 听说普通线性稳压器IC的噪声比LDO低,这是真的吗? A3 不是。LDO是一种稳压IC,可以使用输入电压(VIN )到输出电压(VOUT)的极限,并使用 Pch FET 或 PNP Tr 进行输出。需要输入和输出之间存在电压差。此输出格式与电路噪声无关。 VOUT上的噪声分为两部分。 ・从VIN 到VOUT的外部噪声 这取决于稳压器的 PSRR(电源纹波抑制比)性能,在电气规格中通常表示为 1kHz 时的值。所谓的高速稳压器具有良好的 PSRR 和来自VIN的低噪声。反之,这对低消费类型不利。 ・稳压器产生的热噪声 现代“低噪声 LDO”通常被称为抑制这种热噪声。它源自内部差分放大器电路、将来自VOUT的电压分压到其中的反馈电阻以及参考电压源产生的热噪声。这种噪声在高速型中比在低功率型中相对较小,它是通过抑制或消除电阻值,设计放大器电路的常数,并在参考电压源中插入滤波器来实现。 找元器件就上唯样商城
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