ITO靶材一般具有立方晶系的结构，晶格参数通常在10.118 Å左右。晶体结构的完整性会直接影响到薄膜的质量。
热导率：
手181
机1262
号1213ITO靶材的热导率大约在20-30 W/(m·K)之间。较高的热导率有利于溅射过程中热量的迅速传导和分散，减少靶材损耗。
电导率：
ITO材料的电导率高，一般为10^3 - 10^4 S/cm，这使其成为制作透明导电薄膜的优选材料。
磁性：
纯度较高的ITO靶材通常表现出较弱的磁性，这对于靶材在溅射过程中的稳定性是有利的。
靶材的平均粒径控制在1-5μm以内，保证溅射过程中的均匀性。密度一般接近理论密度的95%以上，助于提高溅射效率和薄膜的质量。