S80的纵向性能逐渐已经清晰了，我们仔细回顾下可以发现近一年半S80都是优化没有优化过的游戏，已经优化的游戏很难再有提升。优化到位的游戏就是1050-1050ti水平，少数优化到位且擅长的游戏可以达到1650或1060水平，但这就像A卡提COD一样没有代表性。所以1050ti基本就是S80的极限，如果还有人去信什麽“硬件规格3060水平，蛆洞跟不上”这肿鬼话，我只能说病得不轻。
与其期待S80蛆洞优化，不如期待下一代摩尔线程。对于下一代摩尔线程，我个人主张不要一味扩大规模，就算给妳用5nm，做个330亿晶体管的芯片，频率提高点，也就两倍S80的性能，大概是1660水平，用4070ti大小的芯片去实现1660性能一点前途没有。
摩尔线程起点这麽低，换代步伐又慢，隔了三年架构效率起码翻个倍不过分吧？如果能用S80的规格实现1660的性能，然后算上5nm的加持，应该就可以来到2060s这一层级。以下是个人对S1XX系列的展望。
MTT S180。芯片面积340mm2，晶体管350亿，8192musa，频率1.85GHZ，384bit GDDR6，显存频率20GHZ，显存容量24GB，功耗275w。性能~RTX2060s。
MTT S170。芯片面积340mm2，晶体管350亿，7680musa，频率1.6GHZ，320bit GDDR6，显存频率18GHZ，显存容量20GB，功耗240w。性能~RTX2060。
MTT S150。芯片面积180mm2，晶体管195亿，4096musa，频率2.15GHZ，256bit GDDR6，显存频率20GHZ，显存容量16GB，功耗180w。性能~GTX1660s。
MTT S140。芯片面积180mm2，晶体管195亿，3584musa，频率2.0GHZ，224bit GDDR6，显存频率18GHZ，显存容量14GB，功耗150w。性能~GTX1650s。
MTT S120。芯片面积100mm2，晶体管100亿，2048musa，频率1.35GHZ，128bit GDDR6，显存频率14GHZ，显存容量8GB，功耗45w。性能~GTX660。
MTT S110。芯片面积100mm2，晶体管100亿，1536musa，频率1.1GHZ，64bit GDDR6，显存频率14GHZ，显存容量4GB，功耗30w。性能~GTX650ti。
如果样品比这还差就别出来了，再回娘胎憋两年。

如果还是PowerVR BXT架构也没意思，性能提升实在有限，一点都不想支持。再次换个DXD也行了。

合理

不会出这么多张卡的，成本和市占率支撑不了，最多出两张s180和s170

你这个s180芯片的晶体管密度都接近4N制程的密度了，摩尔现在全部国产制程恐怕是达不到这个密度，和手机芯片不一样，4nm制程的gpu芯片一般选用低密度集，40系和50系晶体管密度都是1.25亿每平方毫米，9070xt是1.51亿每平方毫米，是4nm制程中相对中高密度集，手机芯片的4nm制程晶体管密度可达2.1亿每平方毫米。台积电早期手机芯片7nm制程晶体管密度是0.91亿每平方毫米，麒麟9000S的晶体管密度是0.97亿每平方毫米，摩尔S80用的台积电早期7nm制程，晶体管密度和AMD5000系接近都是在0.54~0.56亿每平方毫米。所以就这一代换国内制程，大概率晶体管密度在0.6-0.75亿每平方毫米左右

我觉得s180能保持规格不大幅增加的情况下，多把理论性能发挥出来就行了

你知道350亿晶体管是什么水平吗，5070！要是用5070的晶圆成本跑2060s的性能这东西还是别出了，起码要有3070以上的性能才有更新换代的价值。

最多是s130 s170和s180