求大神给翻译一下这句话，、、、、、

level 1

七风残剑楼主

There is a certain voltage VGS at which the hole population immediately under the oxide-silicon interface will be identical to that deep within the bulk of the crystal.
小弟在这先谢谢了。 [在笼子里]

2010年12月30日 09点12分 1

level 1

七风残剑楼主

我顶，自己人工顶置。

2010年12月30日 10点12分 2

level 8

乐界の礻申忄光

栅源电压Vgs达到一定值时，栅氧化层于晶体硅之间的界面上的空穴数量就会和晶体内部的一致。
偶的微电子还没忘光哈。

2010年12月30日 19点12分 4