后处理
三. 金线偏移
在芯片封装成型的充填阶段时，环氧塑料的黏性流体施加在金在线的拖曳力 (dragforce) 将造成金线变形，更严重会使金线接触彼此，导致芯片封装成型失败。此现象为金线偏移问题，Moldex3D芯片封装成型模块能提供便利的工具用应力分析引擎来预测金线偏移，并在Moldex3D Project中直接显示分析结果。
(X, Y, Z) 位移 ((X, Y, Z) Displacement)
显示在充填阶段时，各个方向的金线位移组件。
总位移 (Total Displacement)
显示在充填阶段时的导线架位移的大小。
金线偏移指数 (WireSweep Index)
金线偏移指数（Wire Sweep Index, WSI）是常被用于决定金线位移程度的参数。其定义如下列方程式：
流动方向 (Flow Direction, DN) 对金线是最大变形常数，且长度（L）是金线的投射长度。金线偏移指数在每条金线的分布将在窗口中显示。
金线偏移指数 (依金线) (Wire Sweep Index (by Wire))
在窗口中显示每条金线的金线偏移指数最大值。
金线偏移指数与金线偏移指数（依金线）的结果比较
金线交叉 (WireCrossover)
在芯片封装的充填阶段时，具有黏性的环氧树脂熔胶所施加在金在线的拖曳力，将造成金线变形；更严重的情况下，将造成金线接触另一条金线，并导致封装失败，此现象为金线交叉。在金线偏移分析之后，Moldex3D芯片封装成型项目提供金线交叉分析的结果，以评估金线交叉的可能性。下列将说明检视金线交叉分析结果的一般步骤。
步骤1：执行充填分析
产生网格档后，即可在Moldex3D Project中启动充填分析。
注意：充填分析必须在金线交叉、金线偏移及导线架偏移的进阶模拟之前完成。
在金线交叉分析前的充填分析
步骤2：执行金线偏移分析，并在Moldex3DProject中检视结果
完成金线偏移分析后，可在Moldex3D Project中检视结果。在金线交叉的结果项目，互相接触的金线将会以红色标示，其他金线将维持原色。如下图，显示变形的网格上的金线形状（X1）。
金线交叉结果
此外，如果有金线交叉现象，则会在记录文件中标示金线 ID。
金线交叉记录文件