GaN肖特基器件求助
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level 3
Makalovas 楼主
试着跑了下IV,跑出来之后按电流密度算了一下远大于实验数据,求老哥看看是什么问题
2024年07月11日 10点07分 1
level 10
只做了结构,没定义任何材料参数吗?
2024年07月11日 23点07分 2
@Makalovas 要写出来,如果你有实测数据,拟合的时候有很多需要调整的,而且这个不能只看单一边界条件的电流密度,得用转移曲线idvg或者输出曲线idvd来拟合,比如缺陷的能级和浓度,doping浓度,介电常数等等,都有特别大影响。如果看击穿电压或者电流崩塌,还有一些物理模型的参数要调整。
2024年07月12日 17点07分
@Makalovas 还可以参照手册看看迁移率和极化模型,这个要加上的
2024年07月22日 15点07分
是的,主要是不知道材料参数要改哪些值,我记得GaN应该是有默认值?
2024年07月12日 02点07分
@597362331 原来如此,谢谢老哥,我再调一调试试
2024年07月17日 01点07分
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