silvaco仿SPAD暗计数率
silvaco吧
全部回复
仅看楼主
level 5
nyuall💫 楼主
关于silvaco仿SPAD的暗计数率，读了文献但是还是不太清楚，电子空穴的寿命taun、taup和SRH 复合时的陷阱能量（Et-Ei）这两个应该怎么得到，看文献像是自己设置的？具体的仿真步骤应该是怎样的呢？求大佬指点
2024年06月11日 09点06分 1
level 10
597362331
taun和taup是自己设置的，但是这个在软件中有默认值，你不设置也能跑出来。另外，这两个τ和常规理解的载子寿命是不一样的，这个说明书中有解释。
Et是Trap Energy Level，你需要定义材料的缺陷态，可以用defect指令，也可以用trap指令，另外可以参考BB.KLA，我经常用这个模型，觉得和实验结果比较匹配。
2024年06月11日 16点06分 2
nyuall💫
我有点不太懂的是，taun和taup以及缺陷设置多少。。另外想请问一下BB.KLA指的是Klassen模型吗[乖]？
2024年06月12日 08点06分
597362331
以常见的硅仿真举例，τ默认是1E-7秒，如果你没有其他可靠的结果，比如第一性原理仿真，或者通过一些手段测试表征出来的，建议不要改，就用默认值。缺陷态密度有效的范围应该是1E15到1E19，除此之外你还要看它的能带位置，以及施主还是受主类。
2024年06月13日 08点06分
597362331
@nyuall💫 关于Klaassen模型，具体你可以去读他的Paper，标题“Physical modeling bipolar device simulation”
2024年06月13日 08点06分
level 10
597362331
怎么样了，还有什么问题没？
2024年06月15日 21点06分 3
nyuall💫
关于缺陷态密度那部分，我不知道这个器件详细的属性，所以我直接令的etrap=0.1左右（我看一些文献中也用了这个值），这样算下来的DCR还是有点偏大，很头疼，不知道错在哪里了[泪]
2024年06月17日 07点06分
nyuall💫
@nyuall💫 emmmm不是有点偏大，是很大，分子那部分，n和p的乘积有大概35次方，这样算下来暗计数有14次方，物理学都被我颠覆了[心碎]
2024年06月17日 07点06分
level 10
597362331
0.1eV应该不太合理，另外你的DCR是要看多少电压下的？
2024年06月17日 09点06分 4
nyuall💫
那我重新调一下etrap，过电压0.4V[委屈]
2024年06月17日 09点06分
597362331
你做的是2D截面仿真吧？
2024年06月17日 09点06分
nyuall💫
@597362331 是的 我看很多人也是2D的仿真呢
2024年06月17日 15点06分
nyuall💫
@597362331 我还有一个问题就是 我好像可以直接得到SRH Recomb rate，可以直接用这个乘雪崩概率进而得到暗计数吗
2024年06月18日 07点06分
1