新人！想求解的问题是在热源项的激发下在金属薄膜中电子
温度
Te(z,t)与晶格温度Tl(z,t)随时间的变化。金属薄膜为100nm（100*10^-9m），时域为0-20ps(20*10^-12s)。方程组如下所示：
参数的话在这里我以金为例，具体见下，说一下初始条件与边界条件：
初始条件：Te(x,0)=Tl(x,0)=300K(室温）
边界条件：
参数：Ce(Te)=67.7*Te(z,t); ke=318; g=2.2*10^16; Cl=2.49*10^6; Qpump=0.30375*10^-9; rpump=15*10^-6; tp=2*10^-14s ,
=16.3*10^-9m
请大佬帮忙看看！

PDE和ODE混合型问题，NDSolve无法直接求解。不过这个问题在NDSolve无法直接求的问题里比较温柔的了，参看：
mathematica.stackexchange.com/q/188197/1871