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我的印象里相同制程的pmlc之比真的mlc寿命低一点，不会差别很大。

pmlc寿命远超mlc

mlc也看制程的，15nm的可能还不如pmlc，但是支持再老点的寿命就好不少。
pmlc寿命速度可以和mlc抗衡，但是数据断电保存时间还是不如原生mlc的

mlc已经成过去了，现在pslc寿命快接近slc了，是pslc不是pmlc。

只有3Dflash会涉及pslc，pmlc，从擦写次数来说pslc，pmlc和slc，mlc是几乎相同的，至于断电保存能力目前3D NAND存储层分两种结构，一种是浮栅型Flash器件，厂商为镁光/因特尔，一种是电荷俘获型SONOS器件，厂商为三星/海力士/东芝/闪迪/长江存储。
浮栅型器件特点是（1）浮栅中电荷可以自由移动，单一缺陷就可以导致电荷流失;（2）相邻元件存在浮栅间电容耦合干扰;（3）多级存储需要控制存储电荷数量;（4）栅结构复杂；（5）Reliability好；（6）堆栈方式为OPOP。
电荷俘获型SONOS器件的特点是（1）氮化物存储层中电荷被存在电荷阱中，电子无法自由移动;（2）相邻元件不存在耦合干扰;（3）可实现多物理位存储;（4）栅结构简单，利于工艺集成；（5）堆栈方式为ONON。
所以我认为采用电荷俘获型的pslc，pmlc和slc，mlc断电存储能力是差不多的，采用浮栅型的pslc，pmlc断电存储能力是不如slc，mlc的

pMLC是把闪存当做原生MLC来操作，不同于FastPage的简单屏蔽高位，从理论上来说和同工艺（注意是同工艺）下的原生MLC具有相同的擦写次数和数据保存时间。而实际上反直觉的是同等级，同等级，同等级（重要的事说三遍）下的闪存，从闪存体质上来说QLC≥TLC≥MLC≥SLC，因为一个cell存储的bit数越高，电位就越多，就需要更低的漏电率和控制能力，因此使用QLC或者TLC来做pMLC，是有可能比同等级原生MLC的寿命和数据保存期更长的。