C. Down Stream Mode (Inductive Coupled Plasma)
ICP腔体的结构示意图，于上电极RFpower一般为13.56MHz或其倍频，主要作为控制电浆密度之用，一般称作source-RF，而阴极电极可接地。 ICPsystem 最重要的结构之一在于阳极电极的感应线圈设计，HDP的线圈形式种类繁多，有立体绕组、平面绕组、或多重线圈绕组等设计。藉以提高电浆解离率，增加效率，也是适合低温制程(与substrate距离约
100mm左右才可以)，但是匹配线路复杂。压力不稳定时，较难匹配
RF 腔体需加装】介电窗才可导入感应磁场
HDP Source Dielectric Window 为得到更有效率的蚀刻制程，便发展出所谓变压耦合
式电浆源(Transformer Coupled Plasma,TCP)以
High Density 及感应式耦合电浆源的高密度电浆系统。TCP与ICP两
Plasma
者在名称上虽有不同，但其实为同一原理。统称为 ICP system。
基材与腔体等电位
B. RIE Mode( Reactive lon Etching)
为了增强离子轰击，也就是为了增加蚀刻制程的非等向性所做的设计，与PE-Mode的配置恰好相反，此时基材将置于接上13.56MHz射频电极的一侧，电极，产生一自我偏压(self-bias)，电子同样在两电极间来回震荡激发气体分子成为电浆态，阴极极板所承受的离子轰击此时变为电浆电位加上自我偏压的合，蚀刻速率较高，但是基材表面温度易高于120℃)
RIE的设计使得制程倾向于更具非等向性的物理性蚀刻机制，在同时具有物理及化学特性的电浆系统之下，也让蚀刻
Plasma 制程变的更有效率。是封装打线前处理
机制主要的设计
RF 13.56MHz 基材至于RF端
A. PE Mode(Plasma Etching)
基材置于接地电极的一侧，另一端(shower head)为接上13.56MHz的射
频电极，电子在两电极间来回震荡激发气体分子成为电浆态。腔体内的电浆电位Vp一般维持约10V~20V之间，依据系统设计的不同将会有所差异。在PE-Mode的系统内，最大的直流偏压就是电浆电位，两电极板承受相同但并不剧烈的离子轰击。(适合低温制程<70℃)
在制程中PE-Mode的优点在于离子损伤
13.56MHz RF 较小，操作压力一般在10~100 mTorr
左右，整个制程以化学反应机制呈现，可应用于整面有机物、油膜残留或是
Plasma 光阻的移除以及substrate镀膜前的电
浆改质等等。适用于单一平面或是基材与电极距离很近的应用
基材与腔体等电位